Вопрос 24

Прецизионные стабилитроны, двух анодные стабилитроны. Стабисторы.

Двуханодный стабилитрон.

Двуханодный стабилитрон представляет из себя два обычных стабилитрона, включенные последовательно встречно. Условное графическое обозначение двуханодного стабилитрона приведено на рис. 2.3.4а. Серийно выпускаются двуханодные стабилитроны, выполненные на одном кристалле кремния, но можно собрать двуханодный стабилитрон из двух отдельных стабилитронов, включив их последовательно встречно.

Вольтамперная характеристика двуханодного стабилитрона приведена на рис. 2.3.4б. Принципиальное отличие двуханодного стабилитрона от обычного - симметричность его характеристики: при протекании через двуханодный стабилитрон тока любой полярности (в пределах от IСТ.МИН до IСТ.МАКС) напряжение на двуханодном стабилитроне равно UСТ соответствующей полярности. В действительности, напряжение стабилизации двуханодного стабилитрона равно сумме двух напряжений: напряжения стабилизации стабилитрона и прямого падения напряжения на диоде.

Основные параметры некоторых двуханодных стабилитронов малой мощности, применяемых в электронных устройствах РЗА:

Тип	КС162А	КС191А
UСТ, В	6,2	9,1
IСТ.МИН, мА	3	3
IСТ.МАКС, мА	22	15
Где применяется	ШДЭ-2802	РСТ, РСН

Формирователь импульсов из синусоидального напряжения.

Принципиальная электрическая схема формирователя импульсов приведена на рис. 2.3.5а. Резисторы R1, R2 ограничивают ток через стабилитрон VD1.

Временные диаграммы входного и выходного напряжений формирователя приведены на рис. 2.3.5б.

Если амплитуда входного синусоидального напряжения ненамного превышает напряжение стабилизации стабилитрона VD1, то выходное напряжение формирователя будет трапецеидальным.

Если амплитуда входного синусоидального напряжения намного превышает напряжение стабилизации стабилитрона VD1, то на выходе формирователя будут практически прямоугольные импульсы.

Стабисторы

Основная часть стабисторов - это кремниевые диоды, отличающиеся от обычных выпрямительных диодов тем, что р-п-пе-реходы для стабисторов формируют в низкоомном кремнии. Это необходимо для получения меньшего объемного сопротивления базы и соответственно, меньшего дифференциального сопротивления стабистора. Сопротивление базы может влиять на значение дифференциального сопротивления стабистора, так как его p - n - переход при работе смещен в прямом направлении и имеет малое сопротивление. [1]

Для изготовления стабисторов применяют кремний с относительно большой концентрацией примесей, что необходимо для получения меньшего дифференциального сопротивления. [3]

Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое определяется прямым падением напряжения на диоде и для кремниевых стабисторов составляет примерно 0 7 В. Такие цепочки из последовательно соединенных диодов монтируют в одном корпусе. [5]

Поэтому стабилитроны и стабисторы используют в стабилизаторах напряжения и тока. Участки характеристик, соответствующие режимам работы этих приборов в схемах, называют рабочими. Рабочие участки аб стабилитронов и вг стабисторов находятся соответственно на обратной и прямой ветвях характеристик. [6]

Перспективными являются также селеновые стабисторы. У одного из типов стабисторов с диаметром селеновой шайбы 7 2 мм, напряжение стабилизации при токах 0 5 - 2 ма составляет 0 75 0 05 в; динамическое сопротивление - около 50 ом. [7]

Для стабилитронов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напряжение стабилизации, а шестой элемент - последовательность разработки с обозначением от А до Я. [8]

Разновидностью кремниевых стабилитронов являются стабисторы. В этих диодах для стабилизации низких напряжений ( до 1 В) используется прямая ветвь ВАХ р-п перехода. Для изготовления стабисторов используется сильнолегированный кремний, что позволяет получать меньшие значения сопротивления базы диода. Температурный коэффициент стабилизации стабисторов отрицательный и примерно равен - 2 мВ / К. [9]

Сначала выбирают стабилитрон ( стабистор), напряжение стабилизации которого t / cT возможно ближе к требуемому значению t / вьи. [10]

Для увеличения тока через стабисторы выводы 5 к6 следует замкнуть накоротко. [11]

Параллельное соединение стабилитронов и стабисторов не применяют, так как вследствие различия их сопротивлений ток распределится между ними неравномерно. В результате стабилитрон с меньшим сопротивлением окажется перегруженным и стабилизатор будет ненадежен в работе. [12]

Важным параметром стабилитронов и стабисторов является температурный коэффициент напряжения стабилизации ТКН ( дист / ДТ) ЮО, который показывает на сколько процентов изменится напряжение стабилизации ( AUCT) при изменении температуры ( ДТ) на 1 С. Этот параметр у стабилитронов с напряжением стабилизации более 6 В положительный, а менее 6В - отрицательный. Для уменьшения ТКН разработаны так называемые температурно-компенсированные прецизионные стабилитроны. В этих приборах путем последовательно соединенных двух или более р - n переходов с различным по знаку ТКН удается получить стабилитроны с ТКН не более 0.000 5 % / С в широком диапазоне температур. Такие стабилитроны применяются в ис - - точниках эталонного напряжения вместо нормальных элементов. Ряд стабилитронов используется в импульсных режимах и применяется для стабилизации амплитуды импульсов, их ограничения, а также для защиты входов чувствительных устройств от перегрузок по напряжению. Наряду со стабилитронами, имеющими несимметричную ВАХ, выпускаются двуханодные стабилитроны, имеющие симметричную ВАХ. Они применяются в качестве элементов для двустороннего ограничения напряжения и могут использоваться так же и как опорные стабилитроны. [13]

Из-за малого сопротивления базы стабистора изменение [ / Пр определяется зависимостью напряжения на р-п-переходе от температуры. Поэтому с ростом температуры 1 / ир стабистора уменьшается примерно на 2 мВ