40 Вопрос
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Принцип действия. Напряжение отсечки. напряжение насыщения.
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
Н
а
рисунке 4.1 приведена упрощенная
структура полевого транзистора
с управляющим p-n переходом и
каналом n-типа. В принципе
канал может иметь электропроводимость,
как p-типа, так и n-типа; поскольку n > p выгоднее
применять n-канал. Затвор выполняют в
виде полупроводниковой области p+-типа.
Во входную цепь между затвором и каналом
включен источник обратного смещения
UЗИ. Выходная цепь состоит из источника
постоянного напряжения UСИ плюсом
подсоединенного к стоку. Исток является
общей точкой схемы. Контакты истока и
стока невыпрямляющие.
Полевой транзистор работает следующим образом. При отсутствии напряжения на входе основные носители
Рис. 4.1 ПТ с управляющим p-n переходом. |
Если обратное напряжение UЗИ подаваемое к затвору увеличить, то толщина p-n перехода по всей его длине увеличится, а площадь сечения канала и, следовательно, ток в цепи стока уменьшаются.
Указанный эффект будет тем сильнее, чем больше удельное сопротивление материала полупроводника, поэтому полевые транзисторы выполняют из высокоомного материала (с малой концентрацией примесей в канале). При обратном напряжении на затворе равном UЗИ0 сечение канала в определенной его части станет равным нулю и ток через канал прекратится. Такой режим называется режимом отсечки.
Напряжение отсечки Uотс - один из основных параметров, характеризующих полевой транзистор. При напряжении на затворе, численно равном напряжению отсечки, практически полностью перекрывается канал полевого транзистора, и ток стока при этом стремится к нулю.
Измерение истинного значения напряжения отсечки (при полном перекрытии канала) произвести довольно трудно, так как при этом приходится иметь дело с чрезвычайно малыми токами стока, к тому же зависящими от сопротивления изоляции. В справочных данных на полевые транзисторы всегда указывается, при каком значении тока стока произведены измерения напряжения отсечки. Так, например, для транзисторов КП102 напряжения Uотс получены при токе стока 20 мкА, а у транзистора КП103 - при токе стока 10 мкА.
Напряжение отсечки - это такое пороговое значение напряжения затвор-исток, по достижении которого ток через канал полевого транзистора уже не изменяется и практически равен нулю. Его также измеряют при фиксированном значении напряжения сток-исток и в англоязычной документации обозначают как VGS(off) или реже как Vp. |
|
В качестве усилительного элемента полевой транзистор работает при достаточно большом напряжении сток-исток VDS - на графике семейства выходных характеристик транзистора это значение напряжения расположено в области насыщения. Это значит, что величина тока через канал полевого транзистора, - ток стока ID, - зависит в основном лишь от величины напряжения затвор-исток VGS. Эту зависимость тока стока полевого транзистора ID от входного напряжения затвор-исток VGS описывает так называемая передаточная характеристика транзистора. Для транзисторов с управляющим p-n-переходом её обычно аппроксимируют следующим выражением: |
|
|
