Полевые транзисторы
2.2.6. Полевые транзисторы с р—n- переходом
Полевыми транзисторами называются транзисторы, работа которых основана на управлении размерами области протекания тока, которая называется каналом. В полевых транзисторах с р—n-переходом размер канала изменяется за счет приложения электрического поля к р—n-переходу, непосредственно примыкающему к каналу. Обычно электрическое поле прикладывается к р—n-переходу в обратном направлении, при этом область объёмного заряда расширяется, сечение канала уменьшается и протекающий .через него ток снижается. Поскольку в полевых транзисторах в образовании тока участвуют носители одного знака основные носители материала канала, то такие транзисторы называют еще униполярными.
Схематическое изображение полевого транзистора приведено на рис. 2.23. Транзистор состоит из полупроводникового бруска с омическими контактами на концах, которые называются истоком и стоком, и р—n-перехода на боковой поверхности, внешний электрод которого называется затвором. Для увеличения глубины, модуляции сопротивления канала р—n-переход делается несимметричным и формируется на двух противоположных гранях бруска.
Рис. 2.23
Ширина области объемного заряда l с учетом того, что |Vpn|>> Vk и ND >> NA. (Здесь Vpn – напряжение, действующее на p-n - переходе, Vk – контактная разность потенциалов, ND и NA – концентрации донорной и акцепторной примеси в n и p областях, соответственно.)
где ρ — удельное сопротивление канала, может быть записано как
(18)
Поэтому для получения больших значений l, а следовательно, и dl/dV необходимо использовать материал с большим удельным сопротивлением,
Вследствие .падения напряжения при протекании тока через канал ширина области объемного заряда неодинакова по длине канала (рис. 1.23). Обычно пассивные участки между р—n-переходом и истоком и р—n-переходом и стоком стараются сделать как можно меньшими и падением напряжения на этих участках пренебрегают. Тогда эффективные Напряжения на р—n-переходе вблизи истока V’рп и вблизи стока V"рп будут равны
(19)
Найдем зависимость сопротивления канала от напряжения на затворе Vз при Vс=0. Из (18) и (19) следует
(20)
Напряжение Vзо, при котором области объемного заряда смыкаются (h=0) и протекание тока через транзистор становится невозможным, равно
(21)
Это напряжение называется напряжением отсечки или пороговым напряжением.
Если толщина бруска равна а, ширина b, длина L, то, используя (20) и (21), можно записать выражение для сопротивления канала Rk:
(22)
где Rk0 = ρL/(ab) - минимальное сопротивление канала при Vз=0.
Если Vс>0, то ширина канала неодинакова по длине бруска и формула (22) применима лишь для элементарного участка dх на активной части бруска (исток x=0, сток: х=L):
(23)
Из постоянства тока Jс по всей длине канала следует
(24)
После интегрирования выражения (24) с граничными условиями V|x=0= 0, V|x=L= Vc получим
(25)
Эта формула справедлива для значений Vз и Vс, при которых еще не происходит перекрытия канала, т. е. h>0 и Vрn = Vз+ Vc < Vз0. Перекрытие канала при увеличении Vрn происходит сначала в самом верхнем сечении канала, где выполняется условие
(26)
Перекрытие канала может произойти из-за увеличения Vз или Vс. Рассмотрим механизм перекрытия канала за счет увеличения Vс. Пусть для простоты Vз=0. При росте тока через канал увеличивается запирающее напряжение на р—n-переходе, что приводит к уменьшению сечения канала, т. е. к уменьшению тока. Таким образом, Возникает отрицательная обратная связь по току, что приводит к насыщению тока и установлению его предельного значения Jнас. Полного перекрытия канала при этом не возникает поскольку это означало бы установление нулевого тока и устранение причины, вызывающей сужение канала.
Насыщение тока происходит тогда, когда Vс близко к значению, Vзо и относительное изменение сечения канала велико. При малых значениях Vс характеристика Jс = f(Vс) почти линейна (рис. 1.24). Если на затвор подано запирающее напряжение Vз < Vзо, то насыщение тока наступает при выполнении равенства (26).
Подставив в (25) Vс, Определенное из (26), получим
(27)
Область насыщения токов используется для работы транзистора в усилительных схемах, поскольку при этом Jнас не зависит от Vс, а зависит только от Vз. Эта область характеризуется крутизной характеристики S = -dIc/dVз, выражение для которой можно получить из (27):
(28)
Наряду с описанным механизмом самоограничения тока присутствует механизм, обусловленный уменьшением подвижности, носителей при больших напряженностях электрического поля.
Основной особенностью и отличием от биполярных транзисторов являются высокое входное сопротивление (~106 Ом) и более высокая граничная частота, на которой могут работать полевые транзисторы. Это обусловлено тем, что в полевых транзисторах отсутствует инжекция и диффузионная емкость на входе прибора, а также то, что в протекании тока участвуют только основные носители материала канала. Последнее обстоятельство обеспечивает также более высокую термостабильность и радиационную стойкость полевых транзисторов по сравнению с биполярными, поскольку концентрация основных, носителей очень слабо зависит от температуры и изменение параметров с температурой происходит только за счет изменения подвижности. Наличие участка насыщения тока на характеристике полевого транзистора позволяет использовать его не только в качестве усилительного прибора, но и в качестве генератора тока.
Рис. 2.24. Зависимость тока стока Jс полевого транзистора от напряжения на стоке Vс при различных напряжениях на затворе Vз (Семейство выходных ВАХ)
Недостатком полевого транзистора с р—n-переходом является то, что он может работать только при одной полярности входного напряжения, когда р—n-переход включен в обратном направлении, поскольку при подаче прямого напряжения на р—n-переход резко падает, входное сопротивление транзистора и ухудшаются его частотные свойства. От этого недостатка свободны МДП транзисторы.
В электрических схемах полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом обозначаются следующим образом:
Рис. Условные графические обозначения полевых транзисторов:
а — с р—n-переходом и р-каналом; б — с р—n-переходом и n-каналом
Обозначения полевых транзисторов аналогичны обозначению биполярных и состоят из шести или семи элементов. Первый элемент—буква, указывающая исходный материал: Г—германий, К—кремний, А—арсенид галлия. Для транзисторов специального назначения первый элемент—цифра: 1—германий, 2—кремний, 3—арсенид галлия. Второй элемент—буква П. Третий элемент—число, присваиваемое в зависимости от назначения транзистора. Четвертый, пятый и шестой элементы—цифра, означающая порядковый номер разработки. Шестой (седьмой) элемент—буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов, например: КП103А