- •Глава 1
- •1.1. Свободный электронный газ Ферми
- •1.2. Теплоемкость вырожденного электронного газа
- •1.3. Квантовая теория спинового парамагнетизма
- •1.4. Модель металлической проводимости
- •1.5. Плазменные колебания электронного газа
- •1.6. Свободные электроны в магнитном поле
- •Глава 2
- •2.1. Уравнение Шредингера для твердого тела
- •2.2. Теорема Блоха
- •2.3. Приближение почти свободных электронов
- •2.4. Приближение сильно связанных электронов
- •2.5. Зоны Бриллюэна
- •2.6. Число состояний электронов
- •2.7. Квазиимпульс
- •2.8. Движение электронов в кристалле под
- •2.9. Эффективная масса
- •2.10. Электроны и дырки
- •2.11. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •2.12. Энергетические уровни локальных и
- •2.13. Энергетический спектр некристаллических
- •Глава 3
- •Плотность квантовых состояний в зонах.
- •Концентрация электронов и дырок в зонах
- •Концентрация электронов и дырок
- •Статистика примесных состояний
- •Глава 1. Квантовая теория свободных электронов
- •1.1. Свободный электронный газ Ферми………………………..3
- •Глава 2. Зонная теория твердых тел
- •Глава 3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
Глава 3
Статистика электронов и дырок
в полупроводниках
Плотность квантовых состояний в зонах.
Распределение Ферми-Дирака
Предположим,
что энергетическая зона имеет единственный
минимум в центре зоны Бриллюэна (
)
и что сферические поверхности постоянной
энергии в
-
пространстве распределены вокруг этого
минимума по параболическому закону,
как того требует скалярная эффективная
масса. Тогда для полной энергии электрона
в зоне проводимости можно написать
.
(3.1)
Выделим
шаровой слой в пространстве квазиимпульсов,
заключенный между двумя изоэнергетическими
поверхностями
.
Объем этого слоя равен
.
Объем элементарной ячейки зоны Бриллюэна
составляет
,
где V
– объем кристалла. Тогда плотность
состояний, учитывая две возможности
ориентации спина электрона, равна
.
(3.2)
Из (3.1) имеем
;
.
(3.3)
Поэтому плотность состояний для энергий, не слишком превышающих Ес, составляет
.
(3.4)
Рассматривая по прежнему случай изотропного параболического закона дисперсии, для валентной (дырочной) зоны имеем
.
(3.5)
Для плотности состояний вблизи края валентной зоны получим
.
(3.6)
Вероятность того, что электрон будет находиться в квантовом состоянии с энергией Е, как известно, выражается функцией распределения Ферми-Дирака
.
(3.7)
Тогда вероятность того, данное квантовое состояние не занято электроном, т.е. занято дыркой, составит
.
(3.8)
Плотность заполненных состояний в зонах меняется с энергией для двух важных предельных случаев.
Электронный газ в зоне проводимости вырожден, когда электронов проводимости много, а температура достаточно низка. В этих условиях при вычислении полной концентрации электронов в выражении для функции распределения
следует положить
и все электропроводящие свойства
определяться изменяющимся числом
заполненных состояний ниже уровня
Ферми.Электронный газ является невырожденным, или классическим, когда полная концентрация электронов настолько мала (или температура так велика), что в распределении можно считать
.
Тогда распределение Ферми-Дирака
переходит в распределение Больцмана
.
(3.9)
Это позволяет при описании поведения электронов и дырок использовать классические подходы.
Таким
образом, в невырожденном донорном
полупроводнике уровень Ферми лежит в
запрещенной зоне ниже дна зоны проводимости
по крайней мере на
(
.
Соответственно, акцепторный полупроводник
невырожден, если выполняется условие
,
т.е. если уровень Ферми лежит в запрещенной
зоне выше потолка валентной зоны не
менее чем на
.
Концентрация электронов и дырок в зонах
Свободные носители заряда, возникающие в результате теплового возбуждения и находящиеся с решеткой в состоянии термодинамического равновесия, называют равновесными или тепловыми.
Равновесная концентрация электронов в с-зоне может быть найдена следующим образом
, (3.10)
где
- плотность электронных состояний,
определяемая выражением (3.4).
При значениях энергии выше уровня Ферми функция быстро спадает до нуля. Поэтому, учитывая спиновый множитель 2 и найденный вид функции , имеем
.
(3.11)
Введем безразмерные величины
;
,
(3.12)
где
и
- энергия Ферми, отсчитанная от дна зоны
проводимости (приведенный уровень
Ферми) и приведенные в единицах
энергия электрона в зоне проводимости.
С учетом произведенных замен выражение (3.12) преобразуется к виду
,
(3.13)
где
-
эффективная плотность состояний в
с-зоне;
-
интеграл Ферми-Дирака порядка 1/2.
Для
невырожденного электронного газа (при
или
)
.
(3.14)
Тогда для концентрации электронов в невырожденном собственном полупроводнике имеем
. (3.15)
Формула
(3.15) имеет ясный физический смысл:
экспоненциальный множитель соответствует
функции распределения по состояниям
Максвелла-Больцмана, взятой в точке
,
тогда величина
представляет собой эффективное число
состояний в зоне проводимости, приведенной
к ее дну, т е. к уровню
.
Формула (3.15) обозначает, что для
невырожденного полупроводника
концентрация подвижных электронов
получается такой же, как если бы, вместо
непрерывного распределения состояний
в зоне, в каждой единице объема было
состояний с одинаковой энергией
.
Выражение для можно представить в более удобном виде
.
(3.16)
Аналогично рассуждая, для концентрации дырок в отсутствии вырождения легко получить
,
(3.17)
где
(3.18)
-
эффективная плотность состояний в
-зоне.
