Входное сопротивление вычисляется по формуле

при U_кэ = const.

Выходное сопротивление определяется классически по касательной, проведенной к выходной статической характеристике через рабочую точку, как показано на рисунке 3. Котангенс угла наклона касательной с осью абсцисс пропорционален выходному сопротивлению транзистора. На этой касательной строят прямоугольный треугольник АВС и отмечают соответствующие отрезки ΔU_кэ и ΔI_к.

Выходное сопротивление транзистора вычисляют по формуле:

при I_б = const.

Амплитуды выходных напряжений U_выхm = U_кэm и токов I_выхm = I_кm находятся графическим методом на основании данных об амплитудах входных напряжений U_бэm или токов I_бm (см. рисунок 6). На рисунке 6 рабочая точка (точка покоя) обозначена буквой П.

Появление на входе транзистора переменного напряжения сигнала u_вх (рисунок 6, б) вызывает изменение тока базы, т.е. появление переменной составляющей тока базы за счёт перемещения рабочей точки на входной характеристике.

Рисунок 6 – Графический анализ работы каскада ОЭ с помощью характеристик транзистора: а – выходных; б – входной

С появлением в цепи базы переменного тока в цепи коллектора возникает переменная составляющая коллекторного тока, создающая на резисторе нагрузки R_н переменное падение напряжения u_вых.

Найдя амплитуды входных и выходных напряжений и токов, рассчитываются входная P _вх и выходная P _вых мощности по переменному току, коэффициенты усиления по току k_i, напряжению k_u, мощности k_р, а также малосигнальные, низкочастотные h – параметры по следующим соотношениям:

(13)

P _вх = 0,5I_вхm U_вхm = 0,5 U_бэmI_бm;

P _вых = 0,5I_{m вых} U_{m вых} = 0,5 U_кэmI_кm;

k_i = I_кm/ I_бm; k_u = U_кэm/ U_бэm; k_р = k_ik_u;

h₁₁ = U_бэm / I_бm = R_вх;

h₁₂ = U_бэm / U_кэm ;

h₂₁ = I_кm/ I_бm = k_i = ;

h₂₂ = I_кm / U_кэm = 1/ R_вых;

Статические параметры β, R_вых и рассеиваемая коллектором мощность Р_к определяются по соответствующим значениям токов и напряжений в рабочей точке:

β = I_крт / I_брт;

R_вых = U_кэрт / I_крт;

Р_к = U_кэрт I_крт.