- •1. Теоретичні відомості
- •1.1. Фізико-хімічні властивості германію
- •1.2 Електрофізичні властивості чистого германію
- •1.3.Застосування германію в напівпровідниковій електроніці
- •2. Метод витягування монокристалів германію із розплаву по Чохральському
- •3.1 Розрахунок параметрів росту розплаву і зливків монокристалів германія методом Чохральского
- •Розрахунок маси розплаву Мр
- •Розрахунок довжини зливка кристалу, що вирощується
- •Розрахунок висоти розплаву в тиглі
- •Розрахунок часу вирощування монокристалу
- •Контрольні запитання
- •Перелік прийнятих в роботі позначень
3.1 Розрахунок параметрів росту розплаву і зливків монокристалів германія методом Чохральского
В
ихідні
дані: Варіант 15:
D’=2,55; H’=0,8; f=1,5 мм/хв; DT=153 мм;
Розрахунок маси розплаву Мр
Для отримання якісних монокристалів необхідно, щоб кристал ріс у відносно великому об’ємі рідини. Припустимі норми для монокристала (зливка) визначаються зі співвідношень:
,
де D – діаметр зливка, мм;
DТ – діаметр тигля, мм;
H – висота тигля, мм;
З цих співвідношень визначаємо діаметр зливка та висоту тигля:
Визначаємо масу розплаву за формулою:
,
де
– об’єм
розплаву, мм3;
– густина
розплаву;
г/мм3.
(г)
Розрахунок довжини зливка кристалу, що вирощується
Довжина зливка розраховується за формулою:
,
де
– об’єм зливка, мм3;
– площа
поперечного перерізу зливка, мм2;
– маса
зливка, г;
;
– густина
зливка;
;
Розрахунок висоти розплаву в тиглі
Для запобігання появи високих градієнтів температур між розплавом і кристалом, що вирощується, після завершення процесу в тиглі повинен залишитись певний об’єм розплаву. Вибір цього об’єму здійснюється зі співвідношення:
,
де
– об’єм розплаву, що має залишитись в
тиглі, мм3;
Таким чином:
Звідси
визначаємо висоту розплаву в тиглі
:
Розрахунок часу вирощування монокристалу
де
–швидкість
росту, мм/хв.
Висновок:Ознайомився з оцінюванням параметрів розплаву і зливків монокристалів германію під час росту та визначив час росту монокристалу германію за методом Чохральського.
Контрольні запитання
Варіанти реалізації методу Чохральського.
Суть контейнерного методу Чохральського.
До чого призводить термоудар в методі Чохральського?
Які вимоги до затравок у методі Чохральського?
Від чого залежать градієнти температури в розтопі (метод Чохральського).
Які причини смугастої неоднорідності в кристалах, одержаних методом Чохральського?
Які критерії підбору матеріалу контейнера для вирощування напівпровідникових кристалів?
Який основний контейнерний матеріал у напівпровідниковому виробництві?
Перелік прийнятих в роботі позначень
D - діаметр зливка;
,
-
густини розплаву і кристалу;
f - швидкість кристалізації;
g - доля закристалізованої маси або об'єму розплаву;
L-довжина зливку;
Мтв, Мр - маси кристалу, розплаву;
- час кристалізації.
