Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
qwe.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
28.66 Кб
Скачать

11 Слайд. Испарители с замкнутой траекторией дtJижения

катодного пятна

В зарубежной практике широко применяются торцевые

испарительные устройства с перемещающимся с тыльной стороны катода

постоянным магнитом [40].Схема этого испарителя изображена на рис. 2.51.

Испаритель содержит плоский катод в виде диска 1, у которого со

стороны противоположной поверхности испарения расположен ПQстоянный

магнит 2. Этот магнит образует на поверхности испарения катода арочное

кольцевое магнитное поле 3 замкнутой конфигурации. В таком поле КП дуги

совершает вращательное движение по кольцевой траектории. Перемещением

магнита обеспечивается равномерное испарение катода.

12 слайд. На рис./.16, а схематически изображён источник плазмы с искровЫ\1

поджигающим промежутком, расположенным в центре рабочего торца катода

на его поверхности [65]. Энергия поджига Д, в этом устройстве составляла

величину порядка 1 Дж. (Энергией поджига здесь принято считать

такую энергию поджигающего импульса, при которой возбуждеЮIL'

дуги происходит с вероятностью не ниже 90%). При заглублении торца керамической

втулки 4 на 3 мм Еп>=1200 Дж. Снизить энергию поджига щ

несколько порядков можно повышением напряженности электрического

поля у катода. Не изменяя конструкции основных электродов, этого можно

достичь, разместив рядом с катодом вспомогательный анод

(см. рис./.16, б).

Зажигание разряда на вспомогательный анод в этом случае даже при

заглубленной втулке 4 происходит при энергии поджигающего импульса

всего в несколько джоулей. Для зажигания же основной дуги теперь используется

энергия разряда на вспомогательный анод Ев (энергия "подхвата"),

которая не лимитируется так жёстко, как En. В обоих рассмотренны\

вариантах долговечность поджигающего устройства невелика. В этом отношении

предпочтительна конструкция, в которой элементы поджигающего

устройства вынесены за пределы зоны горения дуги (см., например.

рис.1.16,в). Зависимость порогового значения напряжения на вспомогательном

аноде Ивз от амплитуды пускового импульса ~,, при котором происходит

зажигание основной дуги, приведсна на рис./.17.

В качестве Uвз принималось напряжение, при котором зажигание основного

разряда происходило с вероятностью - 90%. Если в области малых

~~ характер кривых соответствует пусковым характеристикам вакуумного

тригатрона, то с повышением ~~ величина lJ"1 снижается лишь до

определённого предела, хотя промежуток "катод-вспомогательный анод"

при этом пробивается при всё более низком Uвз. Установлено, что для зажиr,

шшя ду1·и необходимо, чтобы заряд, прошедший через промежуток

подхвата, был не менее векоторой величины, постоянной для данной геометрии

электродов. Если справедливо существующее представление о линейной

зависимости между величиной заряда q, прошедшего через разрялный

промежуток, и количеством эродирующего материала катода т, то

привс;(енную зависимость можно интерпретировать следующим образом.__

14 Слайд. Зажигание дуги импульсным инжектором плазмы

На рис. 1.20 показавы два варианта реализации предложенного Спсоба

в источниках металлической плазмы для нанесения покрытий.

. В качестве пускового

инжектора здесь применяется разрядный промежуток между стержневым

поджигающим -:электродом и вспомогательным анодом. Импульсный разряд

формируется на торцевой поверхности диэлектрической втулки, отделяюшей

поджигающий электрод от вспомогательного анода. Плазменная

струя, генерируемая импульсным поверхностным разрядом, замыкаст

промежуток между катодом и вспомогательным анодом (рис. 1.21 ). При

наличии разности потенциала U0 между указанными электродами зажигается

дуга с КП в области контакта плазменной струи с поверхностью катода

(5).

слайд 15

Первый вариант фильтра с плазмоводом в виде части тора (рис.5.4),

предложенный четверть века назад [266], до настоящего времени остаётся

наиболее распространённым как в лабораторной практике, так и в промышленном

производстве.

слайд 16

Как альтернатива криволинейному плазменному фильтру в ХФТИ

разработан так называемый «прямолинейный» фильтр с "магнитным островом"

[267]. Его устройство и принцип действия достаточно понятны из

рисунка 5.5. Фильтр

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]