Уровень а.

1.К кристаллу p-типа подключен минус источника напряжения, к кристаллу n-типа подключен плюс источника напряжения. Какие носители заряда практически не смогут перейти через p-n переход?

a)..электроны;

b). Основные носители заряда;

c). неосновные носители заряда

d). дырки.

.2 Из предложенных условно-графических обозначений полупроводниковых приборов укажите условное графическое обозначение динистора и. полевого транзистора с управляемым. p-n переходом и каналом p-типа.

3.Среди предложенных вариантов маркировок полупроводниковых приборов укажите маркировку, принадлежащую варикапу и германиевому биполярному транзистору.

a).КД104А; b).KС175А;

c). КВ111Б d). АИ101А

e). ГТ109А; f). АЛ301Б

k). КП103М; m). 2Н104Б.

n). КТ606А; p). 2У202Е

4.Среди предложенных ВАХ укажите стоковую характеристику МДП-транзистора с индуцированным каналом.

5.Среди предложенных ВАХ укажите выходную ВАХ биполярного транзистора для схемы с общим эмиттером.

6.Среди предложенных схем укажите схему выпрямителя.

a).

b).

c).

d).

7.Среди предложенного набора формул укажите верную формулу для коэффициента усиления по напряжению биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

8.Среди высказываний выберите то, которое соответствует усилительному режиму биполярного транзистора.

1. эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный переход - в обратном;

2. эмиттерный и коллекторный переходы включены в обратном направлении;

3. эмиттерный и коллекторный переходы включены в прямом направлении;

4. эмиттерный переход включен в обратном направлении, коллекторный переход - в прямом.

9. Какой из полевых транзисторов имеет данную стоковую характеристику? Ответ:а)

10. Резистор нагрузки в данной схеме включен в цепь a). затвора, b).базы, с).эмиттера, d). коллектора

Уровень В

1. По точкам пересечения нагрузочной линии MN с координатными осями M( 7,5 ) и N( ) определите напряжение питания Е_К и сопротивление нагрузки R_Н усилителя с общим эмиттером.

2. Из предложенных вариантов ВАХ тиристора укажите ВАХ с верно выделенной областью малого тока, проходящего через тиристор и большого падения напряжения на нем (выбирать из устойчивых состояний)

3.Исправьте осциллограмму на нагрузке

Уровень с

1.Ток базы биполярного транзистора изменился на 0,1 мА при неизменном выходном напряжении коллектор-эмиттер. Определить изменение входного напряжения база-эмиттер, если входное сопротивление для схемы с общим эмиттером равно 300 Ом.

2. Нарисовать схему включения МДП-транзистора (с общим истоком) с встроенным каналом р-типа, работающего в режиме обеднения