
Список литературы
Основная
Радиопередающие устройства /Под ред. В.В. Шахгильдяна. - М.: Радио и связь,1996.-560 с.
Петров Б.Е., Романюк В.А. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. – М.: Высшая школа, 1989.- 232 с.
Устройства генерирования и формирования радиосигналов/ Под ред. Г.М. Уткина, В.Н. Кулешова, М.В. Благовещенского. М.: Радио и связь, 1994 - 416 с.
Функциональные устройства формирования сигналов/Под ред. С.А. Баруздина, Ю.В. Егорова, Б.А. Калиникос и др. – М.: радио и связь, 1995 – 288 с.
Проектирование радиопередатчиков/ Под ред. В.В. Шахгильдяна. М.: Радио и связь, 2000. – 656 с.
Казанцев Г.Д., Бордус А.Д., Ильин А.Г. Проектирование радиопередающих устройств на транзисторах. – Томск.: ТУСУР, 2000.- 43 с.
Дополнительная
Перельман Б.Л. Новые транзисторы : Справочник. Ч.З. – М.: Солон, 1996 – 256 с.
Проектирование радиопередающих устройств с применением ЭВМ/ Под ред. О.В. Алексеева. – М.: Радио и связь, 1987 – 392 с.
Шумилин М.С., Козырев В.Б., Власов В.А. Проектирование транзисторных каскадов. – М.: Радио и связь, 1987. – 320 с.
Гребенников А.В., Никифоров В.В., Рыжиков А.Б. Мощные транзисторные усилительные модули для УКВ ЧМ и ТВ вещания // Электросвязь. – 1996. - № 3.- с.28-31.
Рыжков А.В., Попов В.М. Синтезаторы частоты в технике радиосвязи. – М.: Радио и связь, 1991.- 264 с.
Пьезокварцевые резонаторы : Справочник/Под ред. П.Е. Кандыбы и Г.П. Позднякова. – М.: Радио и связь, 1992. – 392 с.
Розов В.М. Автоматическое регулирование несущей в вещательных передатчиках // Электросвязь. – 1995. № 10.- с.24-27.
Розов В.М. Радиовещательные однополосные передатчики. М.: МТУСИ, 1992. – 60 с.
Глушко М.М., Хвиливицкий Т.Г. Радиовещательные передатчики ВЧ диапазона с двухполосным и однополосным режимами работы // Электросвязь. – 1994.-№ 6 – с.22-24.
Список сокращений и условных обозначений
РПУ – радиопередающие устройства;
ВЧ – высокие частоты;
УФС – устройства формирования сигналов;
АМ – амплитудная модуляция;
ЧМ – частотная модуляция;
ФМ – фазовая модуляция;
ОМ – однополосная модуляция;
АИМ – аплитудно-импульсная модуляция;
ЧИМ – частотно-импульсная модуляция;
ФИМ – фазово-импульсная модуляция;
ШИМ – широтно-импульсная модуляция;
ПП – полоса пропускания;
УМ – усилитель мощности;
СМХ, ДМХ – статистическая и динамическая модуляционные характеристики соответственно;
КНИ – коэффициент нелинейных искажений;
УЗЧ – усилитель звуковой частоты;
АЧХ – амплитудно-частотная характеристика;
ДВ – длинные волны;
СВ – средние волны;
КВ – короткие волны;
УКВ – ультракороткие волны;
СВЧ – сверхвысокие частоты;
ЛГР – линия (граничного) критического режима;
ООС – отрицательная обратная связь;
АПЧ – автоматическая подстройка частоты;
;f - высокие частоты;
- фазовый угол;
;F - низкие частоты;
U() - напряжение высокой частоты;
U() - напряжение низкой частоты;
J - амплитуда тока;
i(t) - текущее значение тока;
Jн - ток в режиме несущей волны;
Jmin - минимальный ток;
Jmax - максимальный ток;
J0 - постоянная составляющая тока;
Ja1 - первая гармоника анодного тока;
Ja0 - постоянная составляющая анодного тока;
Jan - высшие гармоники анодного тока;
Jg1 - первая гармоника сеточного тока;
Jg0 - постоянная составляющая сеточного тока;
Jgn - высшие гармоники сеточного тока;
P0 - мощность постоянной составляющей;
P1 - мощность первой гармоники;
Pn - мощность высших гармоник;
Pн - мощность в режиме несущей волны;
Pmin - мощность в минимальном режиме;
Pmax - мощность в максимальном режиме;
m - коэффициент модуляции;
Roe - эквивалентное (характеристическое) сопротивление колебательного контура;
P - мощность низкой частоты;
Pср - средняя мощность передатчика;
Pбок - мощность боковой частоты;
Ea - напряжение питания анодной цепи;
Eк - напряжение питания коллекторной цепи;
Eg - напряжение смещения в сеточной цепи;
Eб - напряжение смещения в базовой цепи;
Eg - напряжение отсечки анодного тока;
Eб - напряжение отсечки коллекторного тока;
Umg - напряжение возбуждения в сеточной цепи;
Umб - напряжение возбуждения в базовой цепи;
a - угол отсечки анодного тока;
к - угол отсечки коллекторного тока;
g - угол отсечки сеточного тока по низкой частоте;
б - угол отсечки базового тока по низкой частоте;
Cк - емкость колебательного контура;
Lк – индуктивность колебательного контура;
Qк - добротность колебательного контура;
Lдр - индуктивность дросселя по высокой частоте;
Сбл - блокировочная емкость;
Rш - сопротивление шунта;
- коэффициент использования лампы или транзистора по напряжению;
1, 2,…, i - коэффициенты Берга;
- коэффициент формы импульса тока;
- коэффициент полезного действия (КПД);
Pмод - мощность модулятора (УЗЧ);
Sк - крутизна линии граничного (критического) режима;
- коэффициент усиления лампы или транзистора;
Д - проницаемость лампы или транзистора;
Ri - внутреннее сопротивление лампы или транзистора;
Pg - мощность рассеяния на сетке;
Pб - мощность рассеяния на базе;
mf - индекс частотной модуляции;
m - индекс фазовой модуляции.