- •§30. Одноелектронне наближення в теорії невпорядкованих систем
- •§31. Гамільтоніан системи електронів і фононів невпорядкованого кристалу
- •§32. Функції Гріна системи електронів і фононів невпорядкованого кристалу
- •§33. Вільна енергія системи електронів і фононів невпорядкованого кристалу
- •§34. Формула Кубо
- •§35. Тензор електропровідності
- •§36. Локалізовані магнітні моменти
- •§37. Параметри атомного та магнітного впорядкувань
- •§38. Тензор електропровідності системи з сильними електронними кореляціями
- •§39. Матричні елементи гамільтоніана кристалу
- •Аналогічно
- •§40. Оптична провідність кристалу
- •§41. Оптична провідність кристалу з сильними електронними кореляціями
- •§42. Температурна залежність електроопору кристалів, що упорядковуються
- •§43. Намагніченість систем з сильними електронними кореляціями
- •§44. Електронна структура і магнітні домени в системах з сильними електронними кореляціями
- •§45. Спін-залежний транспорт в системах з сильними електронними кореляціями
- •§46. Самоузгоджена модель сильного зв’язку в теорії електронних кореляцій невпорядкованих кристалів
- •§47. Низьковимірні вуглецеві системи. Графен. Вуглецеві нанотрубки
- •Теорія твердого тіла. Невпорядковані середовища
§34. Формула Кубо
Для опису кінетичних властивостей системи використаємо рівняння руху для статистичного оператора (матриці густини) [12]
(34.1)
та початкову умову
(34.2)
У виразі
(34.1) H
– гамільтоніан системи (31.1),
– гамільтоніан взаємодії системи із
зовнішнім полем.
Перейдемо від статистичного оператора до 1 за допомогою канонічного перетворення
. (34.3)
Тоді рівняння руху для матриці густини перетвориться до вигляду
, (34.4)
з початковою умовою
, (34.5)
де
(34.6)
– оператор взаємодії системи із зовнішнім полем в представленні Гейзенберга з гамільтоніаном H. Розв’язуючи рівняння (34.4) з початковою умовою (34.5), матимемо
, (34.7)
або
. (34.8)
Якщо
збурення
мале,
то розв’язок рівняння (34.8) можна одержати
шляхом ітерації, приймаючи в якості
нульового наближення
.
В першому наближенні матимемо
. (34.9)
Формула (34.9) дозволяє вирахувати у лінійному наближенні по гамільтоніану взаємодії системи із зовнішнім полем середнє значення будь-якої величини, що описується оператором A:
. (34.10)
Підставляючи (34.9) у (34.10) і використовуючи інваріантність шпуру відносно циклічної перестановки операторів, одержимо
, (34.11)
де
(34.12)
– оператор в представленні Гайзенберга,
. (34.13)
Розповсюджуючи
інтегрування за часом у виразі (34.11) до
шляхом введення функції Хевісайда
,
матимемо
, (34.14)
де
(34.15)
– запізнювальна двохчасова функція Гріна (32.1). Вираз (34.14) є формулою Кубо для лінійної реакції системи.
Розглянемо реакцію системи на зовнішнє електромагнітне поле. Гамільтоніан взаємодії системи із зовнішнім полем в дипольному наближенні запишемо у вигляді
,
, (34.16)
де
–
напруженість зовнішнього електричного
поля, а
(34.17)
– вектор
поляризації. Тут покладено, що об’єм
системи
.
Під
впливом збурення (34.16) у системі виникає
електричний струм, який згідно (34.14)
можна подати у вигляді
. (34.18)
При
одержанні виразу (34.18) враховано, що у
стані статистичної рівноваги середній
струм дорівнює нулю, тобто
.
Підставляючи (34.16) у (34.18), матимемо
, (34.19)
де
. (34.20)
Легко
бачити, що величина
(34.20) є тензором електропровідності
системи.
Подамо вираз для тензора електропровідності (34.20) у більш зручному вигляді. Для цього скористаємося тотожністю Кубо.
Тотожність Кубо.
Покладемо
, (34.21)
де
–
оператор, який треба знайти. Диференціюючи
(34.21) по ,
одержимо диференціальне рівняння
(34.22)
з початковою умовою
, (34.23)
що випливає з означення (34.21).
Інтегруючи (34.22) з врахуванням початкової умови (34.23), одержимо тотожність Кубо:
. (34.24)
Одержимо
тепер другий вираз для тензора
електропровідності
,
записавши (34.20) у вигляді
(34.25)
і скориставшись тотожністю Кубо (34.24), згідно якої
. (34.26)
Тоді одержимо
. (34.27)
При одержанні (34.27) використано вираз (34.17), згідно якого
.
Таким чином, для тензора електропровідності системи маємо
, (34.28)
де
– оператор
– проекції густини струму.
