- •Экзаменационный билет № 16
- •Экзаменационный билет № 15
- •Экзаменационный билет № 14
- •Экзаменационный билет № 13
- •Экзаменационный билет № 12
- •Экзаменационный билет № 11
- •Экзаменационный билет № 10
- •Экзаменационный билет № 9
- •Экзаменационный билет № 8
- •Экзаменационный билет № 7
- •Экзаменационный билет № 6
- •Экзаменационный билет № 5
- •Экзаменационный билет № 4
- •Экзаменационный билет № 3
- •Экзаменационный билет № 2
- •Экзаменационный билет № 1
Экзаменационный билет № 2
Направление подготовки 210106 «Промышленная электроника»
Специальность 210106 «Промышленная электроника»
Кафедра ЭиМЭ
Дисциплина СД.01 «Квантовая и оптическая электроника»
Часов по ГОС ВПО (ОС МГТУ) 120час.
Экзаменатор: доц., к.т.н. Леванов В.В.
Известно, что в приводе компакт-диска используется источник оптического излучения. Может ли им быть микроминиатюрная лампа накаливания или светодиод? Почему? Какой из параметров излучения определяет тип его источника?
Какие процессы происходят в кристалле фотодиода с p-n переходом в режиме холостого хода при облучении светом?
3.Источник квазимонохромного излучения (IRE) с λ=1мкм и интенсивностью 1Вт/м2 используется в системе охранной сигнализации. Расстояние до фотоприемника (фотодиода с диаметром линзы 5мм) составляет 6м. Какая энергия поглощается кристаллом полупроводника фотодиода с точки зрения корпускулярных и волновых представлений.
4. Опишите поведение изолированной мишени, которая подвергается бомбардировке пучком электронов, разогнанных до энергии менее первой критической величины.
_________________Леванов В.В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное агентство по образованию
ГОУ ВПО «МГТУ»
УТВЕРЖДАЮ
Зав. кафедрой, д.т.н., проф.
С.И.Лукьянов
17.05. 2013
Экзаменационный билет № 1
Направление подготовки 210106 «Промышленная электроника»
Специальность 210106 «Промышленная электроника»
Кафедра ЭиМЭ
Дисциплина СД.01 «Квантовая и оптическая электроника»
Часов по ГОС ВПО (ОС МГТУ) 120час.
Экзаменатор: доц., к.т.н. Леванов В.В.
1. Конструкция и принцип действия твердотельных (рубиновых) лазеров.
2. Оптроны. Назначение оптронов, их разновидности и сравнительная характеристика. Условное обозначение и параметры тиристорных оптронов.
3. Разработать схему усиления сигнала фоторезистора с помощью биполярного n-p-n транзистора и методику ее расчета.
4. Опишите поведение изолированной мишени, которая подвергается бомбардировке пучком электронов, разогнанных до энергии более первой критической, но менее второй критической величины.
__________________Леванов В.В.