- •Тема 3.1. Элементарные полупроводники, их получение и свойства расчет легирующей примеси в германии методом лигатур
- •1. Теоретические сведения
- •Методы легирования германия.
- •1.1.1. Легирование монокристаллов германия при выращивании их методом зонного выравнивания.
- •Легирование германия при выращивании монокристалла методом вытягивания из расплава (метод Чохральского).
- •2. Расчет количества легирующей примеси по методу лигатур.
- •3. Порядок расчета
- •4. Содержание отчета по задаче
- •5. Вопросы для самопроверки и зачета
- •Скорость роста, мм/мин
- •6. Варианты заданий
- •Библиографический список
Библиографический список
Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – М.: высшая школа, 1983.-271 с.
Пасынков В.В. Материалы электронной техники.- М.: Высшая школа, 1980.- 321с.
Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. – М.: Высшая школа, 1970.-504с.
Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. -М.: Металлургия, 1972.-432с.
Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. – М.: Металлургия, 1973. – 495с.
Содержание
№ п/п |
Наименование раздела |
Стр. |
1 |
Введение |
3 |
2 |
1. Теоретические сведения |
4 |
3 |
2. Расчет количества легирующей примеси по методу лигатур |
12 |
4 |
3. Порядок расчета |
17 |
5 |
4. Содержание отчета по задаче |
17 |
6 |
5. Вопросы для самопроверки и зачета |
17 |
7 |
6. Варианты заданий |
19 |
6 |
Библиографический список |
20 |
