8.4. Твердотельные фотоэлектрические преобразователи изображения
Микроминиатюризация ТВ передающей аппаратуры тормозилась использованием в ней в качестве преобразователя свет — сигнал электровакуумного прибора, обладающего достаточно большими габаритами и сложной системой управления электронным лучом. В связи с этим в течение многих лет велись широкие поисковые работы в направлении безвакуумных анализирующих устройств — аналогов ТВ передающих электронно-лучевых трубок. Развитие твердотельной технологии, технологии тонкопленочных покрытий позволило разработать твердотельные матричные фотоэлектрические преобразователи ФЭП изображения, состоящие из массива фоточувствительных элементов, расположенных в местах пересечения проводящих шин. В качестве фоточувствительных элементов такой матрицы могут быть использованы фотосопротивления, фотодиоды, фототранзисторы с коммутацией фоточувствительных элементов в направлении координат X и Y тонкопленочными сдвиговыми регистрами.
8.4.1. Приборы с зарядовой связью (пзс). Принцип работы пзс
Твердотельные фотоэлектрические преобразователи (ТФЭП) изображений являются аналогами передающих ЭЛТ.
ТФЭП ведут начало с 1970г., с так называемых ПЗС и формируются на основе отдельных ячеек, представляющих собой конденсаторы МДП- или МОП-структуры. Одной из обкладок такого элементарного конденсатора является металлическая пленка М, второй – полупроводниковая подложка П (p- или n-проводимости), диэлектриком Д служит полупроводник, наносимый в виде тонкого слоя на подложку П. В качестве подложки П применяется кремний, легированный акцепторной (p-типа) или донорной (n-типа) примесью, а в качестве Д – окисел кремния SiO2 (см. рис.8.8).
Рис. 8.8. Конденсатор МОП-структуры
Рис. 8.9. Перемещение зарядов под действием электрического поля
Рис. 8.10. Принцип работы трехфазной системы ПЗС
Рис. 8.11. Перемещение зарядов в двухфазной системе ПЗС
При подаче на металлический электрод напряжения, под ним образуется «карман» или потенциальная яма, в которой могут «скапливаться» неосновные носители (в нашем случае электроны), а основные носители, дырки, будут отталкиваться от М. На каком-то расстоянии от поверхности, концентрирование неосновных носителей может оказаться выше концентрации основных. Вблизи диэлектрика Д в подложке П возникает инверсионный слой, в котором тип проводимости изменяется на обратный.
Зарядовый пакет в ПЗС может быть введен электрическим путем или с помощью световой генерации. При световой генерации фотоэлектрические процессы, возникающие в кремнии, приведут к накоплению неосновных носителей в потенциальных ямах. Накопленный заряд пропорционален освещенности и времени накопления. Направленная передача заряда в ПЗС обеспечивается расположением МОП-конденсаторов на столь близком расстоянии друг от друга, что их обедненные области перекрываются и потенциальные ямы соединяются. При этом подвижный заряд неосновных носителей будет накапливаться в том месте, где глубже потенциальная яма.
Пусть под воздействием света накоплен заряд под электродом U1 (см. рис.8.9). Если теперь на соседний электрод U2 подать напряжение U2 > U1, то рядом появится другая потенциальная яма, более глубокая (U2 > U1). Между ними возникнет область электрического поля и неосновные носители (электроны) будут дрейфовать (перетекать) в более глубокий «карман» (см. рис.8.9). Чтобы исключить двунаправленность в передаче зарядов, используют последовательность электродов, объединенных в группы по 3 электрода (см. рис.8.10).
Если, например, накоплен заряд под электродом 4 и необходимо передать его вправо, то на правый электрод 5 подается более высокое напряжение (U2 > U1) и заряд перетекает к нему и т.д.
Практически вся совокупность электродов подсоединена к трем шинам:
I – 1, 4, 7, …
II – 2, 5, 8, …
III – 3, 6, 9, …
В нашем случае напряжение «приема» (U2) будет на электродах 2 и 5, но электрод 2 отделен от электрода 4, где хранится заряд, электродом 3 (у которого
U3 = 0), поэтому перетекания влево не будет.
Далее, приложив напряжение приема к шине III, а U1 = 0, перенесем заряд от 5 электрода (ячейки) в 6-ой и т.д.
Трехтактная работа ПЗС предполагает наличие трех электродов (ячеек) на один элемент ТВ-изображения, что уменьшает полезную площадь, используемую световым потоком. Для сокращения числа ячеек (электродов) ПЗС металлические электроды и слой диэлектрика формируются ступенчатой формы (см. рис.8.11). Это позволяет при подаче на электроды импульсов напряжения создавать под разными его участками потенциальные ямы разной глубины. В более глубокую яму стекает большинство зарядов из соседней ячейки.
При двухфазной системе ПЗС сокращается число электродов (ячеек) в матрице на одну треть, что благоприятно сказывается на считывании потенциального рельефа.
ПЗС вначале предлагали использовать в вычислительной технике в качестве запоминающих устройств, регистров сдвига. В начале цепочки ставили инжектирующий диод, вводящий в систему заряд, а в конце цепи – выводной диод, обычно это n-p- или p-n-переходы МОП структуры, образующие с первым и последним электродами (ячейками) цепочки ПЗС полевые транзисторы.
Но скоро выяснилось, что ПЗС очень чувствительны к свету, и поэтому их лучше и эффективнее использовать в качестве светоприемников, а не в качестве запоминающих устройств.
Если ПЗС-матрица используется в качестве фотоприемника, то накопление заряда под тем или иным электродом может быть осуществлено оптическим методом (инжекция светом). Можно говорить, что ПЗС-матрицы по сути своей являются светочувствительными аналоговыми сдвиговыми регистрами. Сегодня ПЗС не используются в качестве запоминающих устройств (ЗУ), а только в качестве фотоприемников. Они используются в факсимильных аппаратах, сканерах (линейки ПЗС), в фотокамерах и видеокамерах (матрицы ПЗС). Обычно в ТВ камерах используются так называемые ПЗС-чипы.
Мы предполагали, что все 100% зарядов передаются в соседний карман. Однако на практике приходится считаться с потерями. Одним из источников потерь является «ловушки», способные захватывать и удерживать некоторое время заряды. Эти заряды не успевают перетечь в соседний карман, если скорость передачи будет велика.
Второй причиной является сам механизм перетекания. В первый момент перенос зарядов происходит в сильном электрическом поле - дрейф в Е. Однако по мере перетекания зарядов напряженность поля падает и дрейфовый процесс затухает, поэтому последняя порция перемещается за счет диффузии, в 100 раз медленнее дрейфа. Дождаться последней порции – значит снизить быстродействие. Дрейф дает более 90% переноса. Но именно последние проценты являются основными при определении потерь.
Пусть коэффициент передачи одного цикла переноса равен k = 0,99, полагая число циклов равным N = 100, определим суммарный коэффициент передачи:
0,99100 = 0,366
Становится очевидным, что при большом числе элементов даже незначительные потери на одном элементе приобретают большое значение для цепочки в целом.
Поэтому вопрос о сокращении числа переносов зарядов в матрице ПЗС является особо важным. В этом отношении у матрицы двухфазной ПЗС коэффициент передачи зарядов будет несколько большим, чем в трехфазной системе.