
- •Резисторы, конденсаторы, индуктивности.
- •2.Электропроводность полупроводников. Полупроводников физические процессы в p-n переходе.
- •3. Типы полупроводниковых диодов. Их параметры и вольт-амперные характеристики.
- •7. Построение нагрузочной прямой и гиперболы допустимой мощности для однокаскадного усилителя собранного по схеме с оэ.
- •8. Двухтактный усилитель мощности на биполярных транзисторах. Принцип работы и основные характеристики.
- •Условия самовозбуждения
- •10. Фильтры индуктивные, емкостные, смешанные. Емкостные и индукционные фильтры
- •Емкостные фильтры
- •11.Основы Булевой алгебры. Основные элементы цифровой схемотехники.
Резисторы, конденсаторы, индуктивности.
Резистор (сопротивление) – пассивный элемент электрической цепи, характеризуемый сопротивлением электрическому току. Единицы измерения кОМ
Выпускаемые промышленностью постоянные резисторы на схемах обозначаются:
|
резистор без указания мощности |
|
резистор мощностью рассеивания 0,125 Вт |
|
резистор мощностью рассеивания 0,25 Вт |
|
резистор мощностью рассеивания 0,5 Вт |
|
резистор мощностью рассеивания 1 Вт |
|
резистор мощностью рассеивания 2 Вт |
|
резистор мощностью рассеивания 5 Вт |
U
/I=R
Температурный коэффициент сопротивления обозначает насколько меняется сопротивление резистора при изменении температуры окружающей среды на 1С°
Конденса́тор—
двухполюсник
с определённым значением ёмкости
и малой омической проводимостью;
устройство для накопления заряда
и энергии электрического поля. Конденсатор
является пассивным электронным
компонентом. Обычно состоит из двух
электродов в форме пластин (называемых
обкладками),
разделённых диэлектриком,
толщина которого мала по сравнению с
размерами обкладок. Сопротивление
конденсатора равно:
Единицы измерения Ф,мкФ,пкФ. Конденсаторы
используются для блокировки и шунтирования
сигнала, в схемах фильтров, синхронизации
и генерации сигналов di=
CdU/dt.
Первоначальный момент t=0
конденсатор представляет собой КЗ.
Правило: за время 5 тау конденсатор
зарядитя (разрядится) на 99%. Основные
параметры:емкость,рабочее
напряжение,предельное напряжение, ток
утечки, температурный коэфф емкости,
срок службы. С=β*S/d,
где β диэл проницаемость,S
площадь пластин,d
расстояние. Бывают бумажные,слюдяные,фторопластовые,
оксидные(электролитические).
Индукти́вность —
коэффициент пропорциональности между
электрическим током,
текущим в каком-либо замкнутом контуре,
и магнитным
потоком,
создаваемым этим током через поверхность,
краем которой является этот контур.
Катушка индуктивности обладает реактивным
сопротивлением
величина которого равна:
,
где
—
индуктивность катушки,
—
циклическая
частота
протекающего тока. Соответственно, чем
больше частота тока, протекающего через
катушку, тем больше её сопротивление.
Единицы измерения Гн.
дроссель
НЧ и ВЧ,
трансформатор НЧ
воздушный
-ВЧ.
Свойство индуктивности- препятствовать
нарастанию или падению тока
2.Электропроводность полупроводников. Полупроводников физические процессы в p-n переходе.
В
чистых полупроводниках присутствует
определенная концентрация носителей
заряда (электронов и дырок). Для снижения
удельного сопротивления полупроводника
и придания ему опред. типа электропроводности
(электронной или дырочной) в чистые
полупроводники вносят определенные
примеси, такой процесс называют
легированием. Электронно-дырочным
переходом называют область на границе
двух полупроводников, один из которых
имеет электронную, а другой дырочную
электропроводность.
Если расположить
рядом p- и n-полупроводники, то на границе
между ними возникнет диффузный
ток.
IДИФ=
IДИФ+
+ IДИФ-
; IДИФ››
IДР
;
IДР=
IДР+
+ IДР-
;
IДИФ
+ IДР
=0.
Произойдет это потому, что с одной
стороны у нас чересчур много отрицательных
зарядов (электронов), а с другой —
положительных (дырок). Соответственно,
электроны будут перетекать в приграничную
область p-полупроводника. А поскольку
дырка — место отсутствия электрона, то
возникнет ощущение, будто дырки
перемещаются в противоположную сторону
— к границе n-полупроводника. Попадая
в p- и n-области, электроны и дырки
рекомбинируют, что приводит к снижению
количества подвижных носителей заряда.
На этом фоне становятся ясно видны
неподвижные положительно и отрицательно
заряженные ионы на границах полупроводников
(от которых «ушли» рекомбинировавшие
дырки и электроны). В итоге получим две
узкие заряженные области на границе
веществ. Это и есть p-n переход, который
также называют запирающим слоем из-за
малой концентрации в нем подвижных
носителей заряда. ВАХ перехода
.