Озу Динамического типа

Элементом памяти ОЗУ динамического типа является МДП-конденсатор сформированный внутри полупроводникового кристалла.

При отсутствии обращений к элементу памяти конденсатор разряжается из – за наличия токов утечки и информация теряется, поэтому такая память нуждается в периодическом восстановлении заряда на конденсаторах. Этот процесс называется регенерацией. Достоинствами динамической памяти является большая информационная ёмкость, а недостатками – быстродействие ниже чем у статической а также необходимо сложное устройство управления.

Рассмотрим УГО БИС ОЗУ.

Рисунок 7

неRAS – Row Address Strobe – Стробирующий сигнал адреса строки.

CAS – Column Address Strobe – Стробирующий сигнал адреса столбца.

Элементы памяти внутри БИС собраны в двумерную квадратичную матрицу. Количество строк в матрице определяется по формуле 2ⁿ где n число адресных входов. Количество столбцов 2ⁿ где n число адресных входов. Количество ячеек памяти 2²ⁿ.

Для выбора любой из 64к ячеек память должна иметь 16ти разрядный адрес.

В начале на БИС ОЗУ поступает адрес строки матрицы (8старших разрядов A15-A8) сопровождаемый сигналом неRAS, а затем на те же адресные входы поступают 8 младших разрядов (А7-А0) сопровождаемые сигналом CAS.

Таблица 2

Структура бис динамического озу

Рисунок 8

БИС ОЗУ имеет организую 1Мх4. Основной частью является массив, который состоит из 4х матриц, каждая матрицы размером 1к на 1к.

В режиме считывания выбранная строка матрицы передаётся в буфер чтения который построен на элементах статического типа, где и фиксируется из буфера чтения. На выходы данных БИС поступает информация только из выбранной адресом ячейки памяти, так как считывание является разрушающим для элемента памяти, то потерянную информацию необходимо восстановить для того что…..

Виды и способы регенерации

Различают 2 вида регенерации: пакетная и распределённая. Существует 4 способа выполнения регенерации.

Таблица 3

Название		Обозначение
Классический		ROR (неRAS, only refresh)	Z
Современный		CBR (неCAS, before неRAS)	Z
		AR (Auto Refresh)	Z
		HR

Постоянное запоминающее устройство

Слово “постоянное” означает, что такой вид памяти может хранить информацию при отсутствии напряжения питания, то есть является энергонезависимой.

Основным режимом работы является считывание. Различают следующие виды ПЗУ:

1. Масочные ПЗУ – Программируются в ходе технологического процесса на заводе изготовителя. Обозначаются МПЗУ, MROM, ROM.

Рассмотрим принцип работы матрицы МПЗУ: Матрица элементов двумерная, прямоугольная, строк значительно больше чем столбцов. Элементом памяти является диод или транзистор.

2. ПЗУ однократно программируемые называются ППЗУ или PROM.

Программирование или запись информации осуществляется с помощью специального устройства – программатора, который подаёт электрические сигналы определённой величины и длительности. Существует 2 вида элементов памяти ППЗУ: Диод или транзистор плавкой перемычкой.

3. ПЗУ многократно программируемые (ППЗУ). Программируются программатором. Различают 2 вида РПЗУ в зависимости от способа стирания информации:

а) Со стиранием информации ультрафиолетовым лучом РПЗУ–УФ (EPROM).

Элементом памяти является МОП транзистор.