5.Плівкові конденсатори

Плівкові конденсатори формують на діелектричній підкладці гібридних інтегральних мікросхем. Для створення одношарового плівкового конденсатора необхідно провести три операції вакуумного напилення: нижньої провідної обкладинки, діелектричної плівки та верхньої провідної обкладинки. Для отримання більшої ємності або для зменшення площі, займаної конденсатором на підкладці, за більш складною технологією виготовляють багатошарові плівкові конденсатори, секції яких розміщують подібно до поверхні одну над одною.

В якості діелектрика в плівкових конденсаторах найчастіше застосовують моно оксид кремнію SiO.

Структура плівкового конденсатора: 1 – діелектрична підкладка; 2 – нижня обкладинка; 3 – діелектрична плівка; 4 – верхня обкладинка.