2.Польові транзистори з ізольованим затвором
В зв’язку з особливостями структури МДН-транзисторів їх можна формувати без створення кишень в монокристалі інтегральної мікросхеми, що спрощує технологію, зменшує кількість технологічних операцій, здешевлює інтегральні мікросхеми і дає можливість підвищити густину упаковки. Друга особливість і перевага МДН-транзисторів у якості елементів інтегральних мікросхем полягає в тому, що при нульовій напрузі на затворі МДН-транзистора з індукованим каналом струм стоку практично відсутній, тобто потужність транзистора споживається лише під час подачі напруги на затвор. Це зменшення споживаної потужності інтегральних мікросхем на МДН-транзисторах з індукованим каналом особливо суттєве для створення цифрових мікросхем. Важливою також є та обставина, що цифрові мікросхеми можуть бути повністю побудовані на гальванічно з’єднаних між собою МДН-транзиторах без використання інших елементів.
3.Діоди.
Хоч для створення діода достатньо сформувати лише один р-n перехід, в інтегральних мікросхемах під один діод відводять цілу транзисторну структуру і залежно від конкретного призначення діода використовують той чи інший р-n перехід шляхом застосування одного з п’яти можливих варіантів вмикання.
В першому варіанті (1) використовується емітер ний перехід, а колекторний перехід коротко замкнений. Таке виконання використовується в цифрових мікросхемах, оскільки в цьому випадку досягається найбільша швидкодія: нагромадження носіїв заряду може відбуватися лише в дуже тонкій базовій області. Час перемикання становить біля 1 нс.
В другому варіанті (2) використовується емітер ний перехід при розімкнутому колекторному колі.
В третьому варіанті (3) використовується колекторний перехід, а емітерна область при цьому може й не бути сформованою. Колекторна область звичайно є відносно високоомною, внаслідок чого такий діод має достатньо високу пробивну напругу (50 В). Завдяки великій площі колекторного переходу він дає можливість пропускати більші прямі струми.
В четвертому варіанті (4) емітерну і колекторну області з’єднують між собою, тобто емітерний і колекторний переходи вмикають паралельно. Допустимий прямий струм при цьому виявляється ще більшим, однак збільшується також і сумарна бар’єрна ємність.
В п’ятому варіанті (5) використовується колекторний перехід, а емітер ний перехід коротко замкнений.
Пасивні елементи інтегральних мікросхем
Дифузійні резистори
Для створення дифузійних резисторів в інтегральних мікросхемах доцільно використовувати одну з областей транзисторної структури: емітер, базу, або колектор.
Емітерна область містить найбільшу концентрацію домішок і має найменший питомий опір шару. Тому емітерна область придатна для формування дифузійних резисторів лише з малим опором (до 10 Ом).
Колекторна область транзисторної структури містить найменшу концентрацію домішок, а тому придатна для формування дифузійних резисторів з великим опором.
Таким чином, для формування дифузійних резисторів звичайно використовують базову область транзисторної структури. В базовій області можуть бути створені резистори з опором до 50 кОм, які маю прийнятні температурні залежності опору.
Дифузійні резистори, як і інші резистивні елементи, характеризуються наступними параметрами: діапазоном номінальних значень опору, допусками по опору, темпераутним коефіцієнтом опору, допустимою потужністю розсіювання та максимальною напругою.
Плівкові резистори
Основою плівкових резисторів є резистивна
…
Якість дифузійних конденсаторів , як і конденсаторі інших типів, можна оцінювати за такими основними параметрами, як діапазон номінальних значень ємності, питома ємність, допуски на ємність, добротність та пробивна напруга.
МДН-конденсатори
В якості діелектрика в МДН-конденсаторах використовують шар діоксиду кремнію, яким покритий кристал напівпровідника. Одою обкладинкою такого конденсатора є шар металу (звичайно алюмінію), нанесений на поверхню шару діоксиду кремнію одночасно із створенням між елементних з’єднань та контактних майданчиків; другою обкладинкою є сильно легована область напівпровідника, яка формується одночасно з формуванням емітер них областей транзисторних структур інтегральної мікросхеми.
В кишені, призначеній для МДН-конденсатора, не формують базову область транзисторної структури, тобто не проводять дифузію домішки для створення цієї області. Тому під МДН-конденсатором є лише один p-n-перехід між конденсаторною областю транзисторної структури та підкладкою, який необхідний для ізоляції МДН-конденсатора від інших елементів, розміщеній на одній з ним напівпровідниковій пластині.