
- •6. Эффекты короткого канала в моп транзисторе. Критерии короткоканальности.
- •Величина порогового напряжения u пор моп – транзистора и пути его регулирования
- •Физическая экаивалентная схема и частотные свойства моп – транзистора.
- •Статические вольтамперные характеристики и дифференциальные параметры моп – транзистора.
- •Крутизна :
- •Проводимость канала g
- •Пробой моп транзистора: сквозное обеднение, лавинный пробой электронно-дырочного перехода сток-подложка.
6. Эффекты короткого канала в моп транзисторе. Критерии короткоканальности.
По мере уменьшения длины канала МОП-транзистора свойства последнего начинают резко отличаться от свойств обычных длинноканальных приборов. Эти отклонения – так называемые короткоканальные эффекты – обусловлены существенно двумерным характером распределения электрических нолей в активной области и сравнительно высокими абсолютными значениями напряженности нолей.
Если
при неизменной концентрации легирующей
примеси в подложке сокращать длину
канала прибора, она станет величиной
порядка толщины обедненных слоевp-n-переходов
стока и истока. При этом распределение
потенциала в канале будет равным образом
определяться поперечным полем
,
обусловленным
напряжениями на затворе и подложке, и
продольным полем
,
инициированным напряжением смещения
стока транзистора. Двумерный характер
распределения потенциала существенно
изменяет подпороговый участок
характеристики прибора, обуславливает
нежелательную зависимость порогового
напряжения от длины канала и напряжений
смещения на электродах, уменьшает
выходное сопротивление, препятствуя
отсечке канала.
становится важной полевая зависимость подвижности, которая в конечном итоге приводит к насыщению дрейфовой скорости. При еще больших полях в окрестности стокового перехода начинается ударная ионизация, становится существенной дополнительная проводимость по подложке и происходит так называемое включение паразитного биполярного транзистора. Высокие электрические поля приводят также к разогреву носителей и соответствующей инжекции горячих носителей в окисел. Такая зарядка окисла обуславливает сдвиг порога, дрейф характеристик и ухудшение крутизны прибора.
Все перечисленные короткоканальные эффекты усложняют работу прибора и ухудшают его рабочие характеристики. Следовательно, в практике конструирования следует стремиться к устранению или минимизации этих эффектов, чтобы «физически» короткоканальный прибор был электрически подобен длинноканальному.
Критерий,
разграничивающий длинно- и короткоканальные
приборы, можно
попытаться определить, используя одно
из двух характерных свойств обычного
длинноканального МОП-транзистора: 1)
обратно пропорциональную зависимость
тока стока от длины канала
;
2)
независимость подпорогового тока
обычного прибора от напряжения стока
при
.
На
рисунке 1.2 приведены зависимости
и
от
,
где
- ток стока транзисторов при напряжении
на затворе
,
равном пороговому напряжению Vпор,
а
-
относительная разность токов при том
же
=
Vпори
двух различных напряжениях стока
.
Началом
короткоканального поведения будем
считатьмомент, когда отклонение тока
стока от длинноканальной зависимости
составляет 10 % или когда относительная
разность
равна 0,1.
Результаты большого количества измерений, выполненных в МОП-транзисторах, параметры которых варьировались в широких пределах, обобщаются довольно простым эмпирическим соотношением
Здесь
-
минимальная длина канала, при которой
подпороговый участок сохраняет еще
длинноканальный характер, мкм;
– глубина переходов, мкм;
толщина
слоя окисла,
– сумма толщин обедненных слоев стока
и истока, вычисленная в приближении
одномерного резкого p-n-перехода:
Эмпирическую
формулу можно использовать в качестве
главного ориентира в практике
миниатюризации МОП-транзисторов.
Свойства прибора с L=10
мкм, у которого
=
, будут короткоканальными, в то время
как МОП-транзистор с L
= 0,5
мкм, но с
= 1
',
будет вести себя как длинноканальный
прибор.
Следствия эффекта короткого канала:
- уменьшение порогового напряжения;
- лавинное умножение носителей вследствие ударной ионизации, увеличение заряда окисла;
- повышенные подпороговые токи за счёт DIBL-эввекта
Обобщая
Пороговое напряжение уменьшается.
Крутизна уменьшается за счёт уменьшения подвижности носителей заряда
Напряжение пробоя линейного и лавинного уменьшается за счёт эффекта паразитного биполярного транзистора.
Критерии короткоканальности
Зависимость порогового напряжения от длинны канала перестаёт носить чёткую обратнопропорциональную зависимость(более,чем на 10%)
Подпороговый ток зависит от напряжения на затворе.