7.3. Примеры для самостоятельного решения

Пример 7.1. В схеме усилителя на транзисторе с общим эмит­тером R_K = 2 кОм, R₃ = 1 кОм, #_н == 5 кОм, /?, = 20 кОм, Р₂ = =10 кОм, Сд=со, внутреннее сопротивление генератора сигнала пре­небрежимо мало, значения /г-параметров в рабочей точке для приме­няемого транзистора: /г₁₁₉= 10^s Ом, Л_12Э = 5- Ю-*, h_2l3 = 120, h^ZB =

= 10^_4См. Найти параметры схемы усилителя.

Ответ: А_и=—162,5; Л_г=26,35; #_вх=812 Ом; /?_ВЫх=1,85 кОм.

Пример 7.2. В схеме усилителя на транзисторе с общим кол- лектором Я_э = 20 кОм, R_H= 20 кОм, R₁ = 100 кОм, R₂ == 100 кОм, Я_г=1 кОм, С=^со. Значения /z-параметров транзистора в рабочей точке Л_11э = 10³ Ом, Л_12Э= Ю-⁸, А_21Э=50, 10-* См. Опре-

делить параметры схем усилителя.

Ответ Л_г,=0,997; Лг=2,08; #вх=41,8 кОм; /?_вых=38,7 Ом.

Пример 7.3. Определить параметры усилительного каскада, показанного на рис. 7.48, при условии, что R_r = 940 Ом, Ri ~

= 60 кОм, /?₂ = 30 кОм, #_к = 400 Ом, /?_э = 200 Ом, #„ = 1 кОм Считать, что емкости С конденсаторов связи бесконечно велики, h-парамстры транзистора в рабочей точке: Ац_Э—¹ кОм, ^А12Э⁼0»

к2\Э = ^Ш> ^h223 ~ ^{0 См}'

Ответ: А'_п = 21.2 кОм; А'₁₂ = 0; h\_x = 100; А'₂₂ = 0; Л = = — 1.245; Л/=Ю; Явх = Ю.25 кОм; Я_ВЬ!Х = /?_к = 400 Ом.

Рис. 7.48. Схема к примеру 7.3.

Пример 7.4. Рассчитать усилительный каскад с общим эмит­тером на транзисторе со следующими ^-параметрами в рабочей

точке: Л_11э= 10^s Ом, Л_12Э = 10~³, /^ = 50, = 10-⁴ См, и

значениями элементов схемы: /?_к=1 кОм, /?_э=0,83 кОм, >Ri=> =28,8 кОм, /?₂=15,15 кОм, /?_Н=Ю кОм, С=оо и а) С₈=оо; б) С_э=0.

Ответ: Параметры усилительного каскада в этих случаях:

а) А_и=—43,5; Лг=3,81; Я_вх=875 Ом; /?_ВЫх=952 Ом;

б) Л„=—0,89; Лг=0,72; Я_вх=8,13 кОм; #_ВЫх=-985. Пример 7.5. Рассчитать элементы цепей смещения в схеме

усилителя с общим эмиттером, имеющей входное сопротивление /?_ва— 1 кОм. Напряжение питания е_п = 17 В, /?_н=0,ЗкОм, #_к//?_э = 5. Напряжение рабочей точки u^₃=8 В. Параметры тран­зистора тина ВС 212: £_шм = 250, (/_БЭ=0,7В. Принять, что ток в рабочей точке таков, что на транзисторе рассеивается мощность, равная предельно допустимой при рабочей окружающей температуре, а именно: Ррвс.маяс + 300 мВт. А-параметры в рабочей точке в схеме с общим эмиттером: А_пэ = 2-10³ Ом, ^123⁼ Ю-⁴, Й2,_э = 300, /г_22э=5-10-⁵ См.

Ответ: /?_э = 40 Ом; /?_к = 200 Ом; /?_Е = 13,6 кОм; R_z = = 2,35 кОм.

Прим ер 7.6. Рассчитать параметры усилителя на полевом транзисторе в схеме с общим истоком, рассмотренной в примере 7.6, при сопротивлении нагрузки /?_И=Ю кОм и условии, что параметры транзистора в рабочей точке £/,_1И = 0, pjgtf— 0i #21И ^{= 4 м}^^м«

«/₂2И ⁼ ^ МкСм.

Ответ: #_вх = 5 кОм; Д, — — 7,88, А_ь = 3,94; tf^ = 2,45 кОм.

Пример 7.7. При условиях задачи 7.8 определить параметры схемы усилителя с общим истоком с учетом разброса характеристик транзистора, /?,=! кОм, /?_Н=Ю кОм. При решении задачи парамет­

ры в рабочей точке у_Пц и у_121Л могут быть приняты равными нулю.

Ответ: в рабочей точке Mi /?_Вх=50 кОм, Л_1х=—7,78, Л_г= =38,9, /?вых=3,66 кОм; в рабочей точке М₂ #вх=50 кОм, Л_и— =—8,66, Л*=43,3, #„ых=3,64 кОм.