Питання 1.

Схемотехнчні компоненти:резистори, котушки індуктивності, конденсатори. Способи їх підєднання, характеристики

Резистор-елемент,що задає значення струму в ланцюгах електричних схем

При последовательном соединении резисторов их сопротивления складываются

При параллельном соединении резисторов складываются величины, обратные опротивлению (то есть общая проводимость  складывается из проводимостей каждого резистора )

При параллельном соединении резисторов их общее сопротивление будет меньше наименьшего из сопротивлений

Характеристики: максимальна потужність, паразитна ємність, паразитна індуктивність і нелінійність вольт-амперної характеристики.

Конденсатор-елемент,що забезпечує розділення постійного та змінного струмів.(змінний пропускає,постійний ні)

Котушки індуктивності- Котушка індуктивності - гвинтова, спіральна або вінтоспіральная котушка з згорнутого ізольованого провідника, що володіє значною індуктивністю при відносно малій ємності і малому активному опорі. Застосовуються для придушення перешкод, згладжування пульсацій, накопичення енергії, обмеження змінного струму, в резонансних (коливальний контур) і частотноізбірательних ланцюгах,

Питання2.

Коливальні контури: види,характеристики,схеми включення.

Коливальнй контур — електричне коло, складене з резистора, конденсатора та котушки індуктивності, в якому можливі коливання напруги йструму.

Види:

Коливальий контур без джерела напруги

Коливальний контур, що складається із послідовно з'єднаних котушки індуктивністю  , конденсатора ємністю   та активного резистора   називається RLC-контуром.

У випадку, коли активний опір малий, і ним можна знехтувати, коливальний контур називаю LC-контуром.

Коливальний контур із джерелом напруги

Послідовний контур

Послідовний контур - це такий коливальний контур, в якому джерело живлення підключено послідовно.

Паралельний контур

Паралельний контур - це такий коливальний контур, в якому джерело живлення підключено паралельно.

Питання 3.

Напівпровідникові діоди фізичні процеси у напівпровідниковому переході, види переходів,характеристики.

Напівпровіднико́вий діо́д — являє собою прилад з 1 p-n переходом і 2 виводами, який пропускає струм в одному напрямку.

( p-n перехід (Електроно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- та n-типу, яка характеризується одностороннім пропусканням електричного струму.

В напівпровіднику p-типу концентраціядірок набагато перевищує концентрацію електронів. В напівпровіднику n-типу концентрація електронів набагато перевищує концентрацію дірок. Якщо між двома такими напівпровідниками встановити контакт, то виникне дифузійний струм— носії заряду, хаотично рухаючись перетікатимуть із тієї області, де їх більше у ту область, де їх менше. При такій дифузії електрони та дірки переносять із собою заряд. Як наслідок, область на границі стане зарядженою. Та область у напівпровіднику p-типу, яка примикає до границі розділу, отримає додатковий негативний заряд, принесений електронами, а погранична область в напівпровіднику n-типу отримає позитивний заряд, принесений дірками. Таким чином, границя розділу буде оточена двома областями просторового заряду протилежного знаку.

Електричне поле, яке виникає внаслідок утворення областей просторового заряду, спричиняє дрейфовий струм у напрямку протилежному дифузійному струму. Врешті-решт, між дифузійним і дрейфовим струмами встановлюється динамічна рівновага і перетікання зарядів припиняється.)

Основні параметри напівпровідникового діода

Вольт-амперна характеристика

Максимально допустимий постійне зворотна напруга

Максимально допустимий імпульсна зворотна напруга

Максимально допустимий постійний прямий струм

Максимально допустимий імпульсний прямий струм

Номінальний постійний прямий струм

Пряме постійна напруга на діоді при номінальному струмі (т. Зв. «Падіння напруги»)

Постійний зворотний струм, вказується при максимально допустимому зворотній напрузі

Діапазон робочих частот

Ємність

Пробивна напруга (для захисних діодів і стабілітронів)

Тепловий опір корпусу при різних варіантах монтажу

Максимально допустима потужність розсіювання

Питання 4

Класифікація напівпровідникових діодів, їх властивості та використання, схемні позначення.

Види напівпровідникових діодів

є 2 класи: Точкові та Площинні

1. Площинні

2. Випрямні

3. Стабілітрони

4. Тунельні діоди

5. Фотодіоди

6. світо діоди

1.Точкові

2.Детекторні

2.НВЧ Діоди

4.Варикапи

Властивості:

Точкові- Площа контакту дуже мала, тому малим є і струм таких діодів, а також і ємність між електродами,що дозволяє використовувати їх для надвисоких частот(НВЧ). Загалом вони використовуються для детектування та випрямлення малих струмів.

У площинних діодах p-n перехід утворюється двома напівпровідниками різного типу провідності, площа переходу може жосягати кілька сантиметрів, а струм до 250 ампер.

Випрямні діоди використовуються як випрямлячі змінного струму в постійний.

Стабілітрони- напівпровідникові діоди, які використовують для стабілізації напруги в електричному колі. Параметри Pст.max;Uст;Iст.

 (используются В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора Предназначается для работы в источниках питания для стабилизации напряжения.)

Тунельний діод- напівпровідниковий діод в я кому тунельний ефект приводить появи на вольт-амперній характеристиці дільниці від єдмної диференційної провідності. Наявність такої дільниці дозволяє використовувати такі діоди в окремих підсилювачах та генераторах

Фотодіод- під дією світла значно змінюється струм через діод.

Світлодіоди- при протіканні через них певного струму випромінюють світло(струм має соблюдати полярність)( В телевизорах и других приборах с ПДУ, в системах автоматики освещения.)

НВЧ діоди- призначені для використання у надвисоких частотах (змішуючи,детекторні діоди)

Варикапи- діоди дія яких зчнована на використанні залежності внутрішньої ємності керуючої напруги. Використовується у діодах з електричнокерованою ємністю.

(Варикап (англ. vari(able) — переменный и cap(acity) — ёмкость) — полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного напряжения. Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной модуляции, управляемых фазовращателей и др)

Питання 5

Стабілітрони: особливості роботи, характеристики, схеми включення.

• Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом^[1]. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов Включение стабилитрона  показано на рисунке. Включение стабилитрона на первый взгляд нелогично.Стабилитроны разработаны таким образом, чтобы включались как бы "наоборот". При подаче на них обратного напряжения происходит "пробой" и напряжение между их выводами остаётся неизменным. Последовательно обязательно должен быть включён резистор для ограничения проходящего тока через стабилитрон и обеспечения падения "лишнего" напряжения от выпрямителя.

INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://katod-anod.ru/pictures/Image/texts/components/stabilitron.gif" \* MERGEFORMATINET

Последовательное соединение стабилитронов делают в тех случаях, когда надо получить стабилизированное напряжение, на которое не существует стабилитронов (или нет в наличии). Как правило в высоковольтных стабилизаторах напряжения устанавливают несколько последовательно соединённых стабилитронов. Общее напряжение стабилизации будет равно сумме напряжений стабилизации каждого стабилитрона. Желательно соединять последовательно только однотипные стабилитроны.

Основные характеристики: U_{стабилизации}, І_min, I_max– граничные значения тока через стабилитрон.

 Стабилитрон – разновидность диода, которому характерна вертикально спадающая ВАХ, на которой стабилитрон предназначен продолжительно работать.

INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/Stabilitron.png" \* MERGEFORMATINET

INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://h4e.ru/images/Low_voltage/Poluprovodnikovie_diodi/VAH_stabilitrona.png" \* MERGEFORMATINET

Питння 6

Біполярні транзистори-це напівпровідникові прилади. Які використовується для підсилення ел.сигнлів.

Він має 3 області з різними типами електропровідності

2 pn переходи і 3 виводи: емітер, база, колектор. Біполярним він називаеться тому, що струм в ньому створюють носії зарядів 2 типів електрони та дірки.

Між емітором і колектором є шар-база. Його товщина 0.01 мм. Концентрація основних зарядів в ньому більша ніж в Е чи К. Щоб транзистор працював в активному режимі для його виводів треба підєднати зовн. Джерело напруги з полярнітю приведенею на малюнку. Тоді до pn переходу ЕБ буде прикладена напруга ЕБ в прямому напрямку, або pn переходу БК напруга Uбк в зворотньому напрямку. Якщо тепер Uеб створити зовн. Поле є запираюче дірки з Е почнуть інжектуватись у Б, в якій є наявності порівняно невелика кількість електронів, тому частина дірок з цими електронами рекомбінує, ств. Базовий струм, а більша частина дірок перетікає до К, утв. Струм К.

(рекомбінація-знищенння)

Питання 7

Види транзисторів ,основні параметри, схемні позначення.

• Биполярные

  • n-p-n структуры, «обратной проводимости».

  • p-n-p структуры, «прямой проводимости».

В биполярном транзисторе носители заряда движутся от эмиттера через тонкую базу к коллектору. База отделена от эмиттера и коллектора p–n переходами. Ток протекает через транзистор лишь тогда, когда носители заряда инжектируются из эмиттера в базу через p–n переход. В базе они являются неосновными носителями заряда и легко проникают через другой p–n переход между базой и коллектором, ускоряясь при этом. Управления током между эмиттером и коллектором осуществляется изменением напряжения между базой и эмиттером, от которой зависят условия инжекции носителей заряда в базу.

Транзистор применяется в: Усилительных схемах. .Генераторах сигналов.  Электронных ключах. 

Основні параметри

IКБО- обернений струм колектора(некерований, чим він менший, тим кращє)

h21э Статичний коефіцієнт передачі струму h21э=Ik /IБ (Чим вище значння, тив більше транзистор може дати підсилення)

fгр- Гранична частота коефіцієнта передачі струму ( Чим вище f, тим h21э менше.

Uкэ max

Iк max

Pк max (Потужність, яка перетворюється у тепло всередині транзистора)

Позначення

Питання 8

Вхідні та вихідні характеристики транзисторів, пояснити основні залежності.

Входные характеристики – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении. Для схемы с общей базой ( Входная характеристика выражает связь между током базы i6 ( являющимся для этой схемы входным) и напряжением между эмиттером и базой иъ (, при постоянном значении напряжения между коллектором и эмиттером)

I_Э = f (U_БЭ) при U_БК = const.

Входные характеристики представляют собой прямую ветвь открытого p-n перехода. При увеличении выходного напряжения U_КЭ носители заряда быстрее пролетают базу, рекомбинируют, следовательно, и ток базы уменьшается. Поэтому характеристика при U_КЭ > 0 будет проходить ниже.

Резистором R₁ изменяется напряжение база-эмиттер, а резистором R₂ поддерживается постоянным U_БК. Обычно входные характеристики измеряются при двух значениях постоянного напряжения U_БК (рис. 1.9, а).

Выходная характеристика – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе. Для схемы включения с общей базой

I_К = f (U_БК) при I_Э = const.

Выходные характеристики представляют собой прямые линии, почти параллельные оси напряжения.

Это объясняется тем, что коллекторный переход закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор, и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера.

 

INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image004.gif" \* MERGEFORMATINET

 

Рис. 1.9. Статические характеристики транзистора с ОБ: а – входные; б – выходные

Входная характеристика для схемы включения с общим эмиттером (рис. 1.11, а)

I_Б = f (U_БЭ) при U_БК = const.

Выходная характеристика для схемы включения с общим эмиттером (рис. 1.11, б)

I_К = f (U_КЭ) при I_Б = const.

 

INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://edu.dvgups.ru/METDOC/ENF/OP_KV_EL/OSN_SHEMOTEH/METOD/BODROV_UP/WEBUMK/frame/1_1.files/image008.gif" \* MERGEFORMATINET

 Рис. 1.11. Статические характеристики транзистора с ОЭ(общим эмитером): а – входные; б – выходные

Питання 9

Польові транзистори: транзистор із затвором у вигляді pn переходу, фізичні процеси, схемне позначення, вхідні та вихідні характеристики

INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bd/Field_effect_transistors_(uk).svg/500px-Field_effect_transistors_(uk).svg.png" \* MERGEFORMATINET

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом^[ — это полевой транзистор, в котором пластина из полупроводника, например n-типа имеет на противоположенных концах электроды (сток и исток), с помощью которых она включена в управляемую цепь. Управляющая цепь, подключается к третьему электроду (затвор) и образована областью с другим типом проводимости, в данном случае p-типом.

Источник питания, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемых колебаний. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя (n-канал), то есть площадь поперечного сечения области, через которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называется каналом.

(Проводимость канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому по типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Полярность напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.

Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного напряжения, в следствии чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. При некотором запирающем напряжении площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток в канале транзистора станет весьма малым. В связи с незначительностью обратных токов p-n-перехода, мощность источника сигнала ничтожно мала.)

Питання 10

Польові транзистори з ізольованим затвором: транзистори з вмонтованим каналом: будова, фізичні процеси, відмінності, області використання.

Если пустить заряд + возле затвора, то заряды в транзисторе будут стремится к затвору но на пути попадут в канал и ток увеличится.