17. Схемы включения бт с общим коллектором и статические характеристики.
Рис. 3 - Схема включения транзистора с общим коллектором
Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме ОЭ. Коэффициент усиления по напряжению приближается к единице, но всегда меньше ее. В итоге коэффициент усиления по мощности примерно равен ki, т. е. нескольким десяткам.
В схеме ОК фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным - потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.
Входное сопротивление схемы ОК довольно высокое (десятки килоом), а выходное - сравнительно небольшое. Это является немаловажным достоинством схемы.
18. Первичные и вторичные параметры транзистора.
Первичные (Собственные) параметры
Основными первичными параметрами являются следующие:
1. Коэффициент передачи тока эмиттера-α.
2. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению-μ, характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное в связи с модуляцией толщины базы.
3. Сопротивление эмиттера rэ, представляющее сумму сопротивлений эмиттерного перехода и эмиттерной области.
4. Сопротивление коллектора rk, являющееся суммой со-противлении коллекторного перехода и коллекторной области. Последнее очень мало по сравнению с сопротивлением перехода, по - этому им можно пренебречь.
5. Сопротивление базы rб, характеризующее поперечное со -противление базы.
Вторичные параметры
Все системы вторичных параметров основаны на той, что транзистор рассматривается как четырехполюсник, т. е. прибор, имеющий два входных и два выходных зажима. Вторичные параметры связывают входные и выходные переменные токи и напряжения и спра— ведливы только для данного режима транзистора и для малых амплитуд.
В настоящее время наиболее употребительными считаются смешанные (или гибридные) параметры, обозначаемые буквой h . Название"смешанные" дано потому, что среди них имеются два коэффициента, одно сопротивление и одна проводимость. Именно h - параметры приводятся в справочниках. В этой системе параметры измеряются в режиме холостого входа на входе и в режиме короткого замыкания на выходе (по переменному току), то есть в режимах, которые легко осуществить на практике. Независимыми переменными в этой системе являются ток на входе I1 и напряжение на выходе U2 , а функциями - напряжение на входе U1 и ток на выходе I2
19. Общие сведения и устройство канальных полевых транзисторов.
Полевой транзистор (ПТ) – полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Через ПТ под влиянием продольного электрического поля протекает ток, обусловленный движением носителей заряда одного типа. Принцип действия полевых транзисторов основан на протекании основных носителей заряда одного типа проводимости, поэтому такие компоненты ещё называют униполярными.
Затвор (Gate) – вывод транзистора, к которому подводят напряжение от устройства управления. Полевые транзисторы управляются напряжением, а биполярные транзисторы – током. Исток (Source) – вывод, который служит источником носителей заряда в канал транзистора от устройства электропитания. Сток (Drain) – электрод прибора, через который носители заряда выводятся из транзистора. Основные носители заряда от истока к стоку протекают по области, которая называется каналом полевого транзистора. Каналы ПТ могут быть электронного или дырочного типа проводимости. Носители заряда в полевых транзисторах n-типа – электроны, а в приборах p-типа – дырки.
Основные параметры полевых транзисторов: входное сопротивление; внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным; крутизна стоково-затворной характеристики; напряжение отсечки и др.
Входное сопротивление транзистора – это отношение приращения напряжения затвор-исток и приращению тока затвора.
Внутреннее сопротивление транзистора – это отношение приращения напряжения сток-исток к приращению тока стока при заданном напряжении затвор-исток.
Крутизна стоково-затворной характеристики – это отношение приращения тока стока к приращению напряжения затвор-исток при фиксированном напряжении сток-исток.