- •1.Электроника: прошлое, настоящее, будущее.
- •2.Пассивные элементы.
- •3. Основы электронной теории.
- •4.Электрические свойства полупроводников: собственная и примесная проводимость.
- •5.Электронно- дырочный переход.
- •6.Вентильные свойства р- n перехода и их параметры, характер.
- •7.Контактные и поверхностные явления в полупроводниках.
- •8.Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
- •9.Полупроводниковые резисторы.
- •10.Выпрямительные диоды.
- •11. Специальные диоды.
- •12. Классификация и устройство транзистора.
- •13. Принцип работы биполярного транзистора.
- •14. Режим работы транзистора.
- •15. Схемы включения бт с общей базой и статические характеристики.
- •16. Схемы включения бт с общим эмиттером и статические характеристики.
- •17. Схемы включения бт с общим коллектором и статические характеристики.
- •18. Первичные и вторичные параметры транзистора.
- •19. Общие сведения и устройство канальных полевых транзисторов.
- •20. Принцип действия канального полевого транзистора.
- •21. Параметры и характеристики пт с общим истоком.
- •22. Полевой транзистор с изолированным затвором (со встроенным каналом).
- •23. Полевой транзистор с изолированным затвором (с индуцированным каналом).
- •24. Сравнительные характеристики и параметры бт и пт.
- •25. Динистор – четырёхслойный полупроводниковый прибор.
- •26. Тиристор – управляемый четырёхслойный полупроводниковый прибор.
- •27. Симистор – многослойный полупроводниковый прибор.
- •28. Фоторезисторы.
- •29. Фотодиоды
- •30. Фототранзисторы.
- •31. Фототиристоры.
- •32. Светодиоды.
- •33. Оптроны.
- •34. Приборы для отображения информации.
- •35. Общие сведения и классификация ис.
- •36. Гибридные имс.
- •37. Полупроводниковые имс.
- •38. Функциональная микроэлектроника.
- •39. Общие сведения и классификация усилителей.
- •40. Параметры и характеристики усилителей.
- •41. Обратные связи в усилителе.
- •42. Построение усилительного каскада.
- •43. Динамический режим работы усилителя.
- •44. Выбор подачи смещения на усилитель.
- •45. Усилитель по току на бт.
- •46. Усилитель по напряжению на бт.
- •47. Усилитель по мощности на бт.
- •48. Усилительный каскад на пт.
- •49. Однотактный усилитель мощности.
- •50. Усилители постоянного тока. Общие сведения.
- •51. Балансная схема упт
- •52. Двухтактный упт на транзисторах и имс.
- •53. Дифференциальный усилитель.
- •54. Операционные усилители – основные свойства и характеристики.
- •55. Построение схем на базе оу: генераторы.
- •56. Общие сведения и принципы построения генераторов синусоидальных колебаний.
10.Выпрямительные диоды.
Выпрямительный диод – это полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный. Выпрямительные диоды помимо применения в источниках питания для выпрямления переменного тока в постоянный, также используются в цепях управления, коммутации, в ограничительных и развязывающих цепях, в схемах умножения напряжения и преобразователях постоянного напряжения, где не предъявляются высокие требования к частотным и временным параметрам сигналов. Конструктивно выпрямительные диоды оформляются в металлических, пластмассовых или керамических корпусах в виде дискретных элементов, либо в виде диодных сборок, к примеру, диодных мостов выполненных в едином корпусе.
11. Специальные диоды.
•
Стабилитроны
- Используют обратную ветвь характеристики
диода с обратимым пробоем для стабилизации
напряжения.
•
Туннельные
диоды - Диоды, существенно использующие
квантовомеханические эффекты. Имеют
область т. н. «отрицательного сопротивления»
на вольт-амперной характеристике.
Применяются как усилители, генераторы
и пр.
•
Обращённые диоды - Имеют гораздо более
низкое падение напряжения в открытом
состоянии, чем обычный диод. Принцип
работы обращённого диода основан на
туннельном эффекте.
•
Точечные диоды - Ранее использовались
в СВЧ технике (благодаря низкой ёмкости
p-n перехода); кроме того точечные диоды
имеют на обратной ветви вольт-амперной
характеристики участок отрицательного
дифференциального сопротивления, что
использовалось для их применения в
генераторах и усилителях.
• Варикапы - Используется то, что запертый p—n-переход обладает большой ёмкостью, причём ёмкость зависит от приложенного обратного напряжения. Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости.
•
Светодиоды - В отличие от обычных диодов,
при рекомбинации электронов и дырок в
переходе излучают свет в видимом
диапазоне, а не в инфракрасном. Однако
выпускаются светодиоды и с излучением
в ИК диапазоне, а с недавних пор — и в
УФ.
• Полупроводниковые лазеры - По устройству близки к светодиодам, однако имеют оптический резонатор, излучают когерентный свет. • Фотодиоды - Запертый фотодиод открывается под действием света.
•
Солнечный элемент. Подобен фотодиоду,
но работает без смещения. Падающий на
p-n-переход свет вызывает движение
электронов и генерацию тока.
•
Диоды Ганна. Используются для генерации
и преобразования частоты в СВЧ диапазоне.
•
Диод Шоттки. Диод с малым падением
напряжения при прямом включении.
•
Лавинный диод — диод, основанный на
лавинном пробое обратного участка
вольт-амперной характеристики. Применяется
для защиты цепей от перенапряжений
•
Лавинно-пролётный диод — диод, основанный
на лавинном умножении носителей заряда.
Применяется для генерации колебаний в
СВЧ-технике.
•
Магнитодиод. Диод, вольт-амперная
характеристика которого существенно
зависит от значения индукции магнитного
поля и расположения его вектора
относительно плоскости p-n-перехода.
•
Стабисторы. При работе используется
участок ветви вольт-амперной характеристики,
соответствующий «прямому напряжению»
на диоде.
•
Смесительный диод — предназначен для
перемножения двух высокочастотных
сигналов.
•
pin диод — содержит область собственной
проводимости между сильнолегированными
областями. Используется в СВЧ-технике,
силовой электронике, как фотодетектор.
