6.Вентильные свойства р- n перехода и их параметры, характер.
p-n-переход, обладает свойством изменять свое электрическое сопротивление в зависимости от направления протекающего через него тока. Это свойство называется вентильным, а прибор, обладающий таким свойством, называется электрическим вентилем. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода – это зависимость тока через p-n-переход от величины приложенного к нему напряжения. Ее рассчитывают исходя из предположения, что электрическое поле вне обедненного слоя отсутствует, т. е. все напряжение приложено к p-n-переходу.
7.Контактные и поверхностные явления в полупроводниках.
физические процессы, происходящие на поверхности полупроводника. Поверхность полупроводникового материала находится в непосредственном контакте с окружающей ее средой. Химическое и физическое взаимодействия поверхности полупроводника с окружающей средой могут вызывать резкое изменение свойств поверхностного слоя полупроводника по сравнению с его объемными свойствами (в глубине): увеличение и даже изменение типа проводимости, повышение скорости рекомбинации неравновесных носителей и др. Даже при идеальной чистоте и гладкости поверхность, являясь границей кристалла полупроводника, представляет собой область, где связи граничных атомов полупроводника оборваны, т. е. упорядоченная монокристаллическая структура нарушена, и это неизбежно ведет к изменению всех электрофизических свойств полупроводника. У большинства полупроводниковых приборов отклонение поверхностных свойств полупроводника от объемных неблагоприятно отражается на их рабочих характеристиках, снижает стабильность параметров во времени и при изменении температуры. Поэтому задача пассивации поверхности, т. е. исключения влияния П. я. в п. на объемные свойства, является актуальной проблемой современной полупроводниковой техники, в особенности технологии транзисторов. Для пассивации поверхности применяются особые технологические приемы (химическая, термическая обработка). Для уменьшения дестабилизирующего влияния поверхности применяется герметизация полупроводниковых приборов в контролируемой газовой среде.
8.Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
Все многообразие оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках можно свести к следующим основным: – поглощение света и фотопроводимость; (Явлением фотопроводимости называется увеличение электропроводности полупроводника под воздействием электромагнитного излучения.) – фотоэффект в p-n переходе (испускание электронов веществом под действием электромагнитного излучения); – электролюминесценция(Люминесценцией называется всякое свечением, не вызванное сильным повышением температуры и происходящее при температуре светящегося тела); – стимулированное когерентное излучение (Излучение с одной длинной волны или лазерное излучение).
9.Полупроводниковые резисторы.
Полупроводниковый резистор — полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от температуры, освещенности, напряжения и других параметров. В полупроводниковых резисторах применяют полупроводник, равномерно легированный примесями. В зависимости от типа примесей удаётся получить различные зависимости сопротивления от внешнего воздействия.
