- •1.Электроника: прошлое, настоящее, будущее.
- •2.Пассивные элементы.
- •3. Основы электронной теории.
- •4.Электрические свойства полупроводников: собственная и примесная проводимость.
- •5.Электронно- дырочный переход.
- •6.Вентильные свойства р- n перехода и их параметры, характер.
- •7.Контактные и поверхностные явления в полупроводниках.
- •8.Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
- •9.Полупроводниковые резисторы.
- •10.Выпрямительные диоды.
- •11. Специальные диоды.
- •12. Классификация и устройство транзистора.
- •13. Принцип работы биполярного транзистора.
- •14. Режим работы транзистора.
- •15. Схемы включения бт с общей базой и статические характеристики.
- •16. Схемы включения бт с общим эмиттером и статические характеристики.
- •17. Схемы включения бт с общим коллектором и статические характеристики.
- •18. Первичные и вторичные параметры транзистора.
- •19. Общие сведения и устройство канальных полевых транзисторов.
- •20. Принцип действия канального полевого транзистора.
- •21. Параметры и характеристики пт с общим истоком.
- •22. Полевой транзистор с изолированным затвором (со встроенным каналом).
- •23. Полевой транзистор с изолированным затвором (с индуцированным каналом).
- •24. Сравнительные характеристики и параметры бт и пт.
- •25. Динистор – четырёхслойный полупроводниковый прибор.
- •26. Тиристор – управляемый четырёхслойный полупроводниковый прибор.
- •27. Симистор – многослойный полупроводниковый прибор.
- •28. Фоторезисторы.
- •29. Фотодиоды
- •30. Фототранзисторы.
- •31. Фототиристоры.
- •32. Светодиоды.
- •33. Оптроны.
- •34. Приборы для отображения информации.
- •35. Общие сведения и классификация ис.
- •36. Гибридные имс.
- •37. Полупроводниковые имс.
- •38. Функциональная микроэлектроника.
- •39. Общие сведения и классификация усилителей.
- •40. Параметры и характеристики усилителей.
- •41. Обратные связи в усилителе.
- •42. Построение усилительного каскада.
- •43. Динамический режим работы усилителя.
- •44. Выбор подачи смещения на усилитель.
- •45. Усилитель по току на бт.
- •46. Усилитель по напряжению на бт.
- •47. Усилитель по мощности на бт.
- •48. Усилительный каскад на пт.
- •49. Однотактный усилитель мощности.
- •50. Усилители постоянного тока. Общие сведения.
- •51. Балансная схема упт
- •52. Двухтактный упт на транзисторах и имс.
- •53. Дифференциальный усилитель.
- •54. Операционные усилители – основные свойства и характеристики.
- •55. Построение схем на базе оу: генераторы.
- •56. Общие сведения и принципы построения генераторов синусоидальных колебаний.
56. Общие сведения и принципы построения генераторов синусоидальных колебаний.
.
Данная группа генераторов предназначена для получения колебаний синусоидальной формы требуемой частоты.
Простейшим методом формирования синусоидальных колебаний является метод компенсации потерь в LC – колебательном контуре при помощи усилителя.
LC – генераторы почти не используются для получения низкочастотных колебаний, так как при этом требуются большие величины индуктивности и емкости.
Преимущественно используются генераторы, у которых частота генерации определяется параметрами RC – фильтров.
Часто применяется генератор на основе моста Вина (рисунок 12.1).
Рисунок
12.1 - Генератор на основе моста Вина
При
в
устройстве возникают автоколебания,
частота которых определяется формулой:
Обычно используют значения R1=R2=R; C1=C2=C, а частоту автоколебаний находят по соотношению:
Причем
автоколебания возникают при условии,
что коэффициент усиления на ОУ и
резисторах R3 и R4, больше 3, т.е. должно
быть выполнено условие
