- •1.Электроника: прошлое, настоящее, будущее.
- •2.Пассивные элементы.
- •3. Основы электронной теории.
- •4.Электрические свойства полупроводников: собственная и примесная проводимость.
- •5.Электронно- дырочный переход.
- •6.Вентильные свойства р- n перехода и их параметры, характер.
- •7.Контактные и поверхностные явления в полупроводниках.
- •8.Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
- •9.Полупроводниковые резисторы.
- •10.Выпрямительные диоды.
- •11. Специальные диоды.
- •12. Классификация и устройство транзистора.
- •13. Принцип работы биполярного транзистора.
- •14. Режим работы транзистора.
- •15. Схемы включения бт с общей базой и статические характеристики.
- •16. Схемы включения бт с общим эмиттером и статические характеристики.
- •17. Схемы включения бт с общим коллектором и статические характеристики.
- •18. Первичные и вторичные параметры транзистора.
- •19. Общие сведения и устройство канальных полевых транзисторов.
- •20. Принцип действия канального полевого транзистора.
- •21. Параметры и характеристики пт с общим истоком.
- •22. Полевой транзистор с изолированным затвором (со встроенным каналом).
- •23. Полевой транзистор с изолированным затвором (с индуцированным каналом).
- •24. Сравнительные характеристики и параметры бт и пт.
- •25. Динистор – четырёхслойный полупроводниковый прибор.
- •26. Тиристор – управляемый четырёхслойный полупроводниковый прибор.
- •27. Симистор – многослойный полупроводниковый прибор.
- •28. Фоторезисторы.
- •29. Фотодиоды
- •30. Фототранзисторы.
- •31. Фототиристоры.
- •32. Светодиоды.
- •33. Оптроны.
- •34. Приборы для отображения информации.
- •35. Общие сведения и классификация ис.
- •36. Гибридные имс.
- •37. Полупроводниковые имс.
- •38. Функциональная микроэлектроника.
- •39. Общие сведения и классификация усилителей.
- •40. Параметры и характеристики усилителей.
- •41. Обратные связи в усилителе.
- •42. Построение усилительного каскада.
- •43. Динамический режим работы усилителя.
- •44. Выбор подачи смещения на усилитель.
- •45. Усилитель по току на бт.
- •46. Усилитель по напряжению на бт.
- •47. Усилитель по мощности на бт.
- •48. Усилительный каскад на пт.
- •49. Однотактный усилитель мощности.
- •50. Усилители постоянного тока. Общие сведения.
- •51. Балансная схема упт
- •52. Двухтактный упт на транзисторах и имс.
- •53. Дифференциальный усилитель.
- •54. Операционные усилители – основные свойства и характеристики.
- •55. Построение схем на базе оу: генераторы.
- •56. Общие сведения и принципы построения генераторов синусоидальных колебаний.
52. Двухтактный упт на транзисторах и имс.
Схема с двухполярным питанием
Сопротивление
R2 очень мало. При положительной
полуволне открывается транзистор VT2, а
VT1 сохраняет свое состояние. При
отрицательной полуволне наоборот открыт
VT1. Поскольку оба транзистора в схеме
подключены, по отношению к нагрузке как
эмиттерные повторители, согласование
выходного сопротивления усилителя с
Rн значительно упрощается и КПД может
быть достаточно высоким. Если транзисторы
имеют одинаковые параметры, то постоянный
ток через нагрузку не проходит.
Недостатком такой схемы является необходимость использования двух источников питания.
Схема с одним источником питания.
Схема
упрощается при питании от общего
источника. Однако нагрузка должна
подсоединяться к усилителю через
конденсатор С2 большой емкости, чтобы
через нагрузку не проходила постоянная
составляющая тока.
53. Дифференциальный усилитель.
Дифференциальный усилитель позволяет усиливать парафазный сигнал, передаваемый по двум соединительным линиям. Кроме того, дифференциальный усилитель позволяет переходить от несимметричного представления сигнала (относительно корпуса или земли) к симметричному (парафазному) и наоборот. Именно поэтому дифференциальные усилители получили широкое распространение в современных аналоговых интегральных микросхемах. Схема простейшего дифференциального усилителя приведена на рисунке 1
Рисунок 1
Схема простейшего дифференциального
усилителя
В этой схеме эмиттеры двух транзисторов соединены между собой, образуя дифференциальную пару. Подобное схемное решение позволяет сохранять постоянный суммарный ток этой пары транзисторов благодаря тому, что на базы транзисторов дифференциального усилителя подается противофазный сигнал (парафазный или симметричный сигнал). При увеличении тока эмиттера транзистора VT1, ток транзистора VT2 уменьшается на точно такую же величину. Благодаря постоянному току через резистор R3, падение напряжения на его сопротивлении тоже оказывается постоянным и поэтому можно считать, что точка соединения эмиттеров транзисторов дифференциального усилителя по переменному току эквивалентна нулевому потенциалу.
Так как точка соединения эмиттеров транзисторов дифференциального усилителя эквивалентна нулевому потенциалу, коэффициент усиления дифференциального каскада равен коэффициенту усиления транзистора, включенному по схеме с общим эмиттером. Коэффициент усиления дифференциального усилителя по напряжению можно найти по формуле:
(1),
Не менее важным параметром дифференциального усилителя является подавление синфазного сигнала. Этот параметр можно выразить через усиление синфазного сигнала. Усиление синфазного сигнала дифференциальным усилителем можно определить следующим образом:
(2),
Учитывая, что сигнал на выходе схемы дифференциального усилителя, приведенной на рисунке 1, снимается между резисторами R2 и R4, то коэффициент ослабления синфазного сигнала определяется следующим образом:
(3),
Учитывая, что на одном кристалле можно получить достаточно близкие значения коллекторных сопротивлений, а в качестве эмиттерного резистора R3 применить высокоомный генератор тока, то коэффициент подавления синфазной помехи получается настолько большим, что можно отказаться от применения разделительных конденсаторов между дифференциальными каскадами.
