Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
КР для ЗО. электротехника(султангараев).docx
Скачиваний:
8
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
680.86 Кб
Скачать
  1. Биполярный транзистор.

Перед решением задачи изучите по Л.§13.1-9, Л2.§11.1-7, Л3.§16.1-9.

Пример 11.1. Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы Iб, ток коллектора Iк, сопротивление нагрузки Rк, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э.

вариант

номер рисунка

UБЭ (В)

Uкэ (В)

Е (В)

0

11.0

0,25

6

20

Решение. Рис.11.0.

1.Определяем по входной характеристике при UБЭ = 0,25 В

ток базы IБ = 150 мкА.

2.Определяем по выходным характеристикам для Uкэ = 6 В

ток коллектора Iк = 14 мА.

3.Сопротивление нагрузки:

Rк = (Е – Uкэ) / Iк = (20 – 6) / 14 = 1 кОм.

4.Мощность на коллекторе:

Рк = Uкэ Iк = 6∙ 14 = 84 мВт.

5.На выходных характеристиках строим отрезок АВ, из которого

определяем:

∆Iк= АВ = IК1 – IК2 = 14 -9 = 5 мА= 5000 мкА.

∆ IБ = АВ = Iб1 – Iб2 = 150 – 100 = 50 мкА.

6.Определяем коэффициент усиления:

h21Э = ∆Iк / ∆ IБ = 5000 / 50 = 100. При Uкэ = 6 В.

Ответ: IБ = 200 мкА, Iк = 14 мА, Rк = 1 кОм, Рк = 84 мВт, h21Э =100.

Пример 11.2. Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы Iб, напряжение на коллек- торе Uкэ, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э.

вариант

номер рисунка

UБЭ (В)

Rк (кОм)

Е (В)

0

11.0

0,25

1,0

20

Решение. Рис.11.0.

1. Определяем по входной характеристике при Uбэ = 0,25 В ток базы

Iб = 150 мкА.

2. Для определения напряжения Uкэ строим линию нагрузки по двум

точкам: Uкэ = Е = 20 В при Iк = 0 на оси абсцисс и

Iк = Е / Rк. = 20 / 1,0 = 20 мА на оси ординат.

3. Определяем на выходных характеристиках точку А на пересечении линии

нагрузки с током базы IБ = 150 мкА.

4.Определяем для точки А ток коллектора Iк = 14 мА и напряжение Uкэ = 6В.

5.Мощность на коллекторе:

Рк = Uкэ IК = 6 14 = 84 мВт.

6.Для определения коэффициента усиления строим отрезок АВ, из которого

определяем:

∆Iк = АВ = IК1 – IК2= 14 -9 = 5 мА= 5000 мкА.

∆ IБ = АВ = Iб1 – Iб2 = 150 – 100 = 50 мкА.

7.Определяем коэффициент усиления:

h21Э = ∆Iк / ∆ IБ = 5000 / 50 = 100 при Uкэ = 6 В.

Ответ: IБ = 200 мкА, Uкэ = 6В, Rк = 1 кОм, Рк = 84 мВт, h21Э =100.

Задача 11. (Варианты 1-10) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, ток коллектора IК, сопротивление нагрузки Rк, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.1.

Таблица 11.1

вариант

номера рисунков

UБЭ (В)

U кэ(В)

Е (В)

1

11.1; 11.2

0,4

10

40

2

11..3; 11.4

0,25

10

40

3

11..5; 11.6

0,3

10

40

4

11.7; 11.8

0,2

10

40

5

11.9; 11.10

0,4

10

40

6

11.1; 11.2

0,45

20

40

7

11..3; 11.4

0,2

20

40

8

11..5; 11.6

0,2

20

40

9

11.7; 11.8

0,3

20

40

10

11..9; 11.10

0,6

20

40

Задача 11. (Варианты 11-20) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить напряжение базы

UБ, ток коллектора Iк, сопротивление нагрузки Rк, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.2.

Таблица 11.2

вариант

номера рисунков

U кэ (В)

Е (В)

11

11.1; 11.2

6 мА

25

40

12

11..3; 11.4

2 мА

25

40

13

11..5; 11.6

20 мА

25

40

14

11.7; 11.8

20 мкА

15

20

15

11..9; 11.10

60 мкА

25

30

16

11.1; 11.2

0,4 мА

20

30

17

11..3; 11.4

4 мА

20

30

18

11..5; 11.6

20 мА

25

30

19

11.7; 11.8

30 мкА

12,5

20

20

11.9; 11.10

90 мкА

15

30

Задача 11. (Вариант 21-30) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, напряжение на коллекторе Uкэ, сопротивление нагрузки Rк, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из

таблицы 11.3.

Таблица 11.3

вариант

номера рисунков

UБЭ (В)

Е (В)

21

11.1; 11.2

0,8 А

0,6

40

22

11..3; 11.4

0,32 А

0,25

30

23

11..5; 11.6

1,6 А

0,3

30

24

11.7; 11.8

1,6 мА

0,3

20

25

11..9; 11.10

6 мА

0,6

30

26

11.1; 11.2

0,6 А

0,45

40

27

11..3; 11.4

0,25 А

0,2

40

28

11..5; 11.6

1,2 А

0,25

30

29

11.7; 11.8

1,1 мА

0,25

20

30

11..9; 11.10

4 мА

0,45

30

Задача 11. (варианты 31-40) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы Iб, напряжение на коллекторе Uкэ, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.4.

Таблица 11.4

вариант

номера рисунков

UБЭ (В)

R кэ(кОм)

Е (В)

31

11.1; 11.2

0,4

0,08

40

32

11..3; 11.4

0,25

0,1

40

33

11..5; 11.6

0,2

0,025

30

34

11.7; 11.8

0,25

20

20

35

11.9; 11.10

0,45

5

40

36

11.1; 11.2

0,45

0,04

40

37

11..3; 11.4

0,2

0,075

30

38

11..5; 11.6

0,2

0,025

30

39

11.7; 11.8

0,25

1,0

20

40

11.9; 11.10

0,6

5

40

Задача 11. (Вариант 41-50) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить токи базы UБЭ1,UБЭ2, напряжения на коллекторе UКЭ1,UКЭ2, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.5.

Таблица 11.5

вариант

номера рисунков

UБЭ1 (В)

UБЭ2 (В)

RК (кОм)

Е (В)

41

11.1; 11.2

0,4

0,45

0,05

40

42

11..3; 11.4

0,2

0,25

0,1

40

43

11..5; 11.6

0,2

0,25

0,025

40

44

11.7; 11.8

0,25

0,3

10

20

45

11.9; 11.10

0,5

0,6

5

40

46

11.1; 11.2

0,3

0,4

0,05

30

47

11..3; 11.4

0,15

0,2

0,1

30

48

11..5; 11.6

0,1

0,2

0,025

30

49

11.7; 11.8

0,2

0,25

10

15

50

11.9; 11.10

0,4

0,5

3,75

30

Задача 11. (Вариант 51-60) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить напряжения базы UБЭ1,UБЭ2, напряжения на коллекторе UКЭ1,UКЭ2, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.6.

Таблица 11.6

вариант

номера рисунков

IБ1 (В)

IБ2 (В)

Rк (кОм)

Е (В)

51

11.1; 11.2

4 мА

6 мА

0,05

40

52

11..3; 11.4

2 мА

3 мА

0,1

40

53

11..5; 11.6

20 мА

30 мА

0,01875

30

54

11.7; 11.8

30 мкА

40 мкА

10

20

55

11..9; 11.10

90 мкА

120 мкА

5

40

56

11.1; 11.2

2 мА

4 мА

0,05

30

57

11..3; 11.4

1 мА

4 мА

0,1

30

58

11..5; 11.6

10 мА

20 мА

0,025

30

59

11.7; 11.8

20 мкА

30 мкА

1

15

60

11..9; 11.10

60 мкА

90 мкА

5

30

Входные и выходные характеристики транзисторов.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]