Содержание лекций

Лекция 1. Обзорная лекция по разделу 1 «Модели компонентов электронных схем» (2 часа).

Лекция 2. Обзорная лекция по разделам 2, 3 и 4 «Статический анализ», «Малосигнальный анализ в области средних частот» и «Малосигнальный анализ в диапазоне частот» (2 часа).

Лекция 3. Обзорная лекция по разделам 5, 6 и 7 «Анализ устойчивости», «Анализ чувствительности и допусков» и «Анализ переходных процессов» (2 часа).

Содержание практических занятий

Практическое занятие 1. Определение параметров моделей полупроводниковых компонентов.

Практическое занятие 2. Статический и малосигнальный анализ.

Практическое занятие 3. Анализ устойчивости и чувствительности.

Содержание лабораторных занятий

Лабораторное занятие 1. Ввод и редактирование электронных схем в программе Multisim 10. Работа с виртуальными измерительными приборами. Построение входных и выходных ВАХ полупроводниковых приборов. (4 часа).

Литература Основная

1. Калимуллин Р.И. Электронный конспект лекций по курсу «Методы анализа и расчета электронных схем» // Электронный образовательный ресурс по дисциплине «Методы анализа и расчета электронных схем» / Р.И. Калимуллин. – Казань: Казан. гос. энерг. ун-т, 2013.

2. Хернитер М.Е. Multisim 7: Современная система компьютерного моделирования и анализа схем электронных устройств / М.Е. Хернитер. – М.: ДМК Пресс, 2006. – 488 с.

3. Методы анализа и расчета электронных схем: Программа, методические указания и контрольная работа / Р.И. Калимуллин. – Казань: Казан. гос. энерг. ун-т, 2013. – 48 с.

Дополнительная

4. Баканов Г.Ф. Основы конструирования и технологии радиоэлектронных средств: Учебное пособие / Г.Ф. Баканов, С.С. Соколов, В.Ю. Суходольский; Под ред. И.Г.Мироненко. – М.: Академия, 2007. – 368 с.

5. Хетагуров Я.А. Проектирование автоматизированных систем обработки информации и управления (АСОИУ): Учебник / Я.А. Хетагуров. – М.: Высш. шк., 2006. – 223 с.

Методические указания к изучению дисциплины

Программа дисциплины состоит из 7 разделов. Ниже по каждому разделу приводятся ссылки с указанием источника, где излагается данная тема. Номер учебника, указанный в квадратных скобках, соответствует его номеру в приведенном выше списке литературы. В завершении каждого раздела приведены вопросы и задания для самопроверки, к которым следует приступать после изучения соответствующей темы.

Раздел 1. Модели компонентов электронных схем

Литература: [1], глава 1; [2], с. 197–218.

Вопросы для самопроверки:

1. В чем сущность кусочно-линейной аппроксимации нелинейного элемента?

2. Назовите основные способы нелинейной аппроксимации элемента.

3. В чем сущность нелинейной аппроксимации элемента методом выбранных точек?

4. В чем сущность нелинейной аппроксимации элемента методом выравнивания? Для нахождения параметров моделей каких полупроводниковых элементов этот метод применяется?

5. Зарисуйте нелинейную модель диода и назовите ее элементы.

6. Приведите кусочно-линейную модель стабилитрона и объясните, как получить значения ее параметров.

7. Зарисуйте модель Эберса-Молла для биполярного транзистора и назовите ее элементы.

8. Охарактеризуйте h-параметры транзистора. Как они связаны с y-параметрами?

9. Изобразите модель полевого транзистора для статического анализа и назовите ее параметры.

10. Изобразите малосигнальную модель полевого транзистора и назовите ее параметры.