
- •40. Сглаживающие фильтры. Принцип работы , параметры и характеристики
- •41.Устройство и усиливающие свойства биполярных транзисторов.
- •42. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •43. Однокаскадный усилитель с общим эмиттером.
- •44. Схемы смещения.
- •45. Схема температурной стабилизации.
- •46. Стабилитроны. Стабилизаторы напряжения.
- •47.Ключевой режим биполярных транзисторов.
- •48. Полевые транзисторы . Принцип работы , параметры , характеристики, схемы подключения.
- •Основные параметры полевого транзистора
- •Основные схемы включения полевых транзисторов
44. Схемы смещения.
Для подачи правильного напряжения смещения на n-p-n или p-n-p переходы все три схемы требуют двух источников питания. На переход Б-Э должно быть подано смещение в прямом направлении, а на переход Б-К – в обратном направлении. Однако оба напряжения смещения могут быть обеспечены с помощью одного источника тока.
Т.к. наиболее часто применяются схемы с общим эмиттером, то будем рассматривать их. Для схем с ОБ и ОК применимы те же принципы.
На рис.2.1 представлена схема усилителя с ОЭ и одним источником питания
Рис.2.1. Схема усилителя с ОЭ и одним источником питания.
Один источник обеспечивает подачу правильного напряжения смещения для переходов Б-Э и Б-К.
Резистор RБ управляет величиной тока базы. Ток базы, текущий через RБ, создает на нем падение напряжения, составляющего большую часть напряжения источника питания. Меньшая часть этого напряжения падает на переходе Б-Э, обеспечивая правильное прямое смещение. Таким образом, мы видим, что одним источником питания обеспечивается необходимые напряжения прямого (Б-Э) и обратного (К-Б) смещения.
Входной сигнал подключается между базой и эмиттером (или между выводом входа и землей) значение входного сигнала либо складывается с напряжением смещения либо вычитается из него. Это служит причиной изменения коллекторного тока, а значит и изменение падения напряжения на RК . Выходной сигнал снимается между выходом коллектора и землей.
Схема смещения изображенная на Рис.2.1 называется схемой смещения с фиксированным током базы.
Существует еще одна простая схема смещения Рис 2.2
Рис.2.2. Схема смещения с делителем напряжения в цепи базы.
В таком виде эти схемы применяются редко, т.к. не позволяют уменьшить влияние изменения обратного тока коллектора, связанного с изменением температуры, на ток коллектора транзистора IK , а также влияния технологического разброса коэффициента усиления транзистора на коэффициент усиления усилителя. То есть при использовании этих схем появляется температурная нестабильность. Поэтому для уменьшения влияния этих факторов в схеме транзисторного усилителя используют отрицательную обратную связь.
45. Схема температурной стабилизации.
46. Стабилитроны. Стабилизаторы напряжения.
Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивлениевесьма высоко[1]. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивлениепадает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом[1]. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.
Стабилиза́тор напряже́ния — электромеханическое или электрическое (электронное) устройство, имеющее вход и выход по напряжению, предназначенное для поддержания выходного напряжения в узких пределах, при существенном изменении входного напряжения и выходного тока нагрузки.
По типу выходного напряжения стабилизаторы делятся на стабилизаторы постоянного напряжения и переменного напряжения. Как правило, вид напряжения на входе стабилизатора и на его выходе совпадают (постоянное либо переменное), но в некоторых типах стабилизаторов их виды разные.