Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Сам _роб_ЕП_І_А-тести.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
3.63 Mб
Скачать

71. Вакуумний фотоелемент – це

напівпровідниковий приймач променистої енергії, що має направлений рух носіїв зарядів та властивості підсилення фотоструму під дією енергії оптичного випромінювання

напівпровідниковий приймач променистої енергії, у якому відбувається направлений рух носіїв струму під дією енергії оптичного випромінювання

напівпровідниковий прилад, у якому під дією світла зростає кількість вільних електронів, а значить, і електропровідність

вакуумна або наповнена газом лампа з катодом з світлочуттєвого матеріалу, нанесеного на жорстку основу, та анодом у вигляді кільця або пластини

72. Фотодіод – це

напівпровідниковий приймач променистої енергії, що має направлений рух носіїв зарядів та властивості підсилення фотоструму під дією енергії оптичного випромінювання

напівпровідниковий прилад, у якому під дією світла зростає кількість вільних електронів, а значить, і електропровідність

напівпровідниковий приймач променистої енергії, у якому відбувається направлений рух носіїв струму під дією енергії оптичного випромінювання

вакуумна або наповнена газом лампа з катодом з світлочуттєвого матеріалу, нанесеного на жорстку основу, та анодом у вигляді кільця або пластини

73. Фототранзисторце

напівпровідниковий приймач променистої енергії, у якому відбувається направлений рух носіїв струму під дією енергії оптичного випромінювання

напівпровідниковий прилад, у якому під дією світла зростає кількість вільних електронів, а значить, і електропровідність

напівпровідниковий приймач променистої енергії, що має направлений рух носіїв зарядів та властивості підсилення фотоструму під дією енергії оптичного випромінювання

вакуумна або наповнена газом лампа з катодом з світлочуттєвого матеріалу, нанесеного на жорстку основу, та анодом у вигляді кільця або пластини

74. Світловою характеристикою напівпровідникових фотоелементів називають залежність

фотоструму від напруги при незмінному світловому потоці

фотоструму від частоти при незмінній прикладеній напрузі

фотоструму від світлового потоку при незмінній прикладеній напрузі

частоти струму від напруги

75. Вольт-амперною характеристикою напівпровідникових фотоелементів називають залежність

частоти струму від напруги

фотоструму від напруги при незмінному світловому потоці

фотоструму від світлового потоку при незмінній прикладеній напрузі

фотоструму від частоти при незмінній прикладеній напрузі

76. Які фізичні величини вимірюють та перетворюють на електричний сигнал потенціометричні датчики:

криволінійне переміщення

кутове переміщення

силу тиска

лінійне переміщення

77. Які фізичні величини вимірюють та перетворюють на електричний сигнал індуктивні датчики:

криволінійне переміщення

лінійне переміщення

силу тиска

кутове переміщення

78. Які фізичні величини вимірюють та перетворюють на електричний сигнал тензометричні датчики:

лінійне переміщення

вага

деформація об’єкта дослідження

настрій об’єкта дослідження

79. Зона чутливості дротяного потенціометричного датчика визначається:

довжиною дроту

тремтінням руки оператора вимірювання

діаметром дроту

повітряним зазором

80. Принципи дії індуктивних датчиків базуються на:

перетворенні за рахунок зміни свого електричного опору первинного перетворювача в змінну або постійну напругу

зміні взаємоіндуктивності котушки з магнітопроводом при переміщенні якоря

властивості деяких провідникових та напівпровідникових матеріалів змінювати активний опір при деформації

зміні індуктивності при переміщенні якоря

81. Визначте вхідний сигнал для індуктивного датчика з рухомим якорем, якщо вихідним є напруга:

тиск

напруга

переміщення якоря

струм

82. Індуктивні датчики з рухомим якорем забезпечують вимірювання механічних лінійних переміщень в межах:

від декількох метрів до декількох мікрометрів

від декількох мікрометрів до декількох міліметрів

від декількох метрів до декількох кілометрів

від декількох кілометрів до декількох міліметрів

83. Визначте тип індуктивного датчика, який використовуюється для вимірювання великих переміщень

 

 

84. Визначте тип індуктивного датчика, який використовуюється для вимірювання кутових переміщень

 

 

85. Визначте тип індуктивного датчика, який використовуюється для визначення сили тиску

 

 

86. Принципи дії тензорезисторних датчиків базуються на:

перетворенні за рахунок зміни свого електричного опору первинного перетворювача в змінну або постійну напругу

зміні взаємоіндуктивності котушки з магнітопроводом при переміщенні якоря

зміні індуктивності при переміщенні якоря

властивості деяких провідникових та напівпровідникових матеріалів змінювати активний опір при деформації

87. Сигнал на виході вимірювальних схем з тензодатчиками невисокої потужності, тому для його підсилення застосовують:

автоматичну систему регулювання вихідної величини замкненого типу

автоматичну систему регулювання вихідної величини розімкненого типу

підсилювач постійного струму

підсилювач змінного струму

88. Більш досконалими є мостові вимірювальні схеми з тензодатчиками, тому використання двох або чотирьох активних тензорезисторів збільшує чутливість тензометричного датчика. Також при цьому відбувається

пряма компенсація негативного впливу на точність вимірювання коливань повітря

пряма компенсація негативного впливу на точність вимірювання коливань вологості та запилення

пряма компенсація негативного впливу на точність вимірювання коливань радіохвиль

пряма компенсація негативного впливу на точність вимірювання коливань температури та напруги живлення