8.5 Жабынды түсірудің плазмалық қондырғылары
Коррозионды-тұрақты, ыстыққа төзімді және басқа да қорғаныс жабындарын түсіру шаңдау және қорыту әдістері арқылы жүзеге асырылады.
Плазмамен шаңдау кезінде түсірілетін материал бөлшектері жоғары жылдамдықтарға дейін балқытылады және қозғалады, ал жабын- төсеме түсірілетін деталь жоғары температураларға дейін қыздырылады. Төсемені балқу күйіне дейін жеткізу кезінде шаңдану процесі қорыту процесіне айналады.
Төсемеге түсірілетін материал ретінде электрөткізгіш сым немесе стерженьдер, сонымен қатар электр өткізбейтін суық күйдегі ұнтақ болуы мүмкін.
Сымдарды немесе шыбықтарды қолдану кезінде екі фазалық шаңдаушы ағынның (плазма+ сұйық күйдегі түсірілетін материал) пайда болу процесі 8.19 суреттегі сызба бойынша жүреді.
8.19-сурет. Нейтраль (а) және ток басқарушы (б) сымдардың доғалық плазмамен шаңдану сызбасы
Төсеме жолында балқытылған материалдың ұсақ тамшылары біраз суиды, бірақ алдын ала қыздыру сұйық күйдегі төсемеге дейін жеткізуге мүмкіндік береді.
Электр өтікзбейтін материалдардың шаңдануы ұнтақтарды плазмотронның разрядты каналына енгізудің екі әдісімен жүзеге асырылады: доғаға және доғадан кейінгі плазмалық ағыс аймағына (8.20-сурет).
Ұнтақты енгізу әдістерінің айырмашылығы олардың жылуфизикалық қасиеттерімен анықталады. Баяу балқитын ұнтақтар жеңіл балқитын-плазма ағысы аймағына енгізіледі. Сонымен қатар жоғары температура зонасында тұрудың әр түрлі уақыты және бөлшекке жылулық әсер етудің әр түрлі деңгейі қамтамасыз етіледі.
Плазмалық балқыту кезінде материал мен енгізілетін материал ток шектеуші кедергілер арқылы ток тізбегіне қосылады (8.21-сурет). Материалды беру жылдамдығы мен өңделінетін бет бойынша жандырғыштың ауысуы плазмалық ағыстың жылулық қуатымен келіседі және технологпен бақыланады.
8.20-сурет. Шаңдаушы ұнтақтың плазмалық доға бағанасына (а) және плазмалық ағысқа (б) енгізілу сызбасы
Плазмалық шаңдау мен қорытудың қиыстырылған сызбасы қорытылған материалдың төсемемен мықты балқытылған қабатын алуға мүмкіндік береді. Олардың өлшемдерін орнықты материалдың берілу саны мен плазмотронның негізгі қозғалысына перпендикуляр бағытталған оның қозғалыс амплитудасын өзгерте отырып, үлкен шектерде (ені бойынша-08-ден 45 мм-ге дейін, тереңдігі бойынша- 0,5-тен 6 мм-ге дейін) реттеуге болады.
8.21-сурет. Орнықты сымдары бар қорыту сызбасы: а- токқа қосылған бұйым; б- токтан ажыратылған бұйым; 1-жандырғыш (горелка); 2-плазма түзетін газды енгізу;3-қорғаныс газын енгізу каналы; 4-шектеуші кедергі; 5-қорек көзі; 6-балласт кедергісі; 7-орнықты сым
Материал дозаторы, электр қорек коздері, газбен жабдықтау жүйесі және плазматронды суыту – плазмалық жабындымен жабу қондырғыларының компоненттері болып табылады.
Жоғарыда аталған процестерден басқа, материал модификациясы болатын плазмалық процестердің саны өте көп (бөлшектердің сфероидизациясы, беткі жағының булануы және өңделуі). Бұл процестер туралы толық мағлұматтарды басқа әдебиеттерден де кездестіруге болады.