Модуль 6.
Консультация по модулю 6.
1 |
Неверно |
Использование положительной обратной связи в усилителях может привести к самовозбуждению усилителя – его переходу в режим генератора. Поэтому эта связь в усилителях не используется, а используется отрицательная обратная связь. Положительная обратная связь используется в электронных генераторах для выполнения условия самовозбуждения генератора-баланса фаз. |
2 |
Правильно |
Читайте объяснение 1. Отрицательная обратная связь в усилителях обеспечивает стабильность работы, хотя и понижает коэффициент усиления. |
3 |
Неверно |
Читайте объяснение 1. |
4 |
Неверно |
Читайте объяснение 1. |
5 |
Неверно |
Индуктивность LБ определяет величину обратной связи.
|
6 |
Неверно |
Изменение индуктивности Lк в колебательном контуре изменяет частоту автоколебаний, но практически менять ее очень трудно.
fрез
=
|
7 |
Неверно |
Конденсатор СЭ стоит в цепочке температурной стабилизации и необходим для обеспечения отрицательной связи по постоянному току. |
8 |
Правильно |
Читайте объяснение п.6. Практически проще менять емкость конденсатора (построечные конденсаторы). |
9 |
Правильно |
Время разряда конденсатора определяет длительность импульса. |
10 |
Неверно |
Время перезарядки конденсаторов СБ1 и СБ2 определяет частоту генерируемых колебаний. |
11 |
Неверно |
Читайте объяснение п.12. |
12 |
Правильно |
Неравенство сопротивлений базы и конденсаторов приводит к тому, что время разряда конденсаторов будет разное τ1 ≠ τ2 , где τ1 ≈ 0,7 RБ2 СБ1 τ2 ≈ 0,7 RБ1 СБ2, а значит и время, когда открыты транзисторы будет различное. |
13 |
Неверно |
Читайте объяснение п.12. |
14 |
Неверно |
Фаза напряжения обратной связи при этом не изменится. |
15 |
Неверно |
Изменение индуктивности обратной связи приведет к изменению величины напряжения обратной связи. Этот способ используется для выполнения одного из условия самовозбуждения генератора – «баланса амплитуд». |
16 |
Неверно |
Читайте объяснение п.15. |
17 |
Правильно |
Фазу напряжения обратной связи можно изменить на 180 0, поменяв местами провода, идущие к LОС.=LБ. |
18 |
Неверно |
Читайте объяснение п.20. |
19 |
Неверно |
Читайте объяснение п.20. |
20 |
Правильно |
f рез
=
|
= МГц
Приложение 1
Модуль 1.3
Модуль 1.4
Модуль 4.1
МОДУЛЬ 4.2
ВЫВОДЫ О ПРДЕЛАННОЙ РАБОТЕ.
Модуль №5
Выводы__________________________
__________________________________
__________________________________
Модуль № 6
Приложение № 2
Вариант применения опорного конспекта
Модуль №1
Опорный конспект
Полупроводниковый прибор – перенос зарядов в твёрдом теле с помощью примесей
Донорной примесью – электронами n
Акцепторной – дырками p
поводимость осуществляется – p (дырками)
n (электронами)
-Подразделяются: - биполярные и униполярные
-К ним относятся: - диоды. Транзисторы, тиристоры, фоторезисторы, фототранзисторы и светодиоды.
-По способу управления потоком зарядов: - Полевые, токовые
- Электронно-дырочный переход: - граница соединения двух полупроводников с различными типами электропроводности.
Запирающий слой: граница соединения полупроводников обеднённая носителями зарядов.
Проводимость p-n перехода прямая: к n(+) , а к p(-) Вольтамперная характеристика -
Обратная: к p(+) , а к n(-) зависимость тока p-n перехода от
величины и полярности напряжения.
Маркировка полупроводников
Первый знак:
Г -или 1 германий, К – или 2 кремний. А – или 3 соединения галлия, 4 – или И соединения индия
Второй знак:
Д. Ц – диоды и выпрямительные сборки, У, Н – тиристоры, С – стабилитроны. Т – биполярные транзисторы, П – полевые транзисторы.