- •Содержание
- •Модуль 1.
- •Полупроводниковые приборы
- •Модуль 1.1
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Модуль 1.2 Электронно-дырочный переход
- •Полупроводниковый диод.
- •Выпрямительные диоды
- •Кремневые стабилитроны (опорные диоды)
- •Контрольные вопросы по модулю 1.2
- •Тест контроля знаний по модулю 1.2
- •Транзисторы.
- •Модуль 1.3 Биполярные транзисторы.
- •Схемы включения биполярного транзистора.
- •Характеристики биполярных транзисторов.
- •Контрольные вопросы по модулю 1.3
- •Тест контроля знаний по модулю 1.3
- •Модуль 1.4 Полевые транзисторы.
- •Характеристики полевого транзистора.
- •Тест контроля знаний по модулю 1.4
- •Модуль 1.5 Тиристоры
- •Устройство приборов.
- •Динистор.
- •Тринистор
- •Контрольные вопросы по модулю 1.5
- •Тест контроля знаний по модулю 1.5
- •Маркировка полупроводниковых приборов.
- •Модуль 2 Фотоэлектронные приборы.
- •Фотоэлементы с внешним фотоэффектом.
- •Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •Б) вакуумного фотоэлемента; в) газонаполненного фотоэлемента.
- •Характеристики фотоэлемента
- •Фотоэлектронные умножители.
- •Устройство.
- •2. Внутренний фотоэффект.
- •Фоторезисторы.
- •Фотодиоды.
- •Фототранзисторы.
- •Применение:
- •3. Вентильный фотоэффект.
- •Тесты для контроля знаний по модулю 2.
- •Модуль 3 Интегральные микросхемы
- •Классификация имс.
- •По способу изготовления:
- •Гибридные имс
- •По типу формируемых транзисторов:
- •По степени интеграции.
- •По типу защиты от внешних воздействий (температуры, влажности, вредных веществ в атмосфере, солнечной радиации и др.)
- •По конструктивному оформлению:
- •По степени использования в различных видах аппаратуры:
- •Однотактные выпрямители
- •Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой.
- •Трёхфазный выпрямитель
- •Двухтактные мостовые выпрямители
- •Трёхфазный мостовой выпрямитель
- •Модуль 4.2. Сглаживающие фильтры
- •Основные требования к сглаживающим фильтрам.
- •Простейшие сглаживающие фильтры. Ёмкостный параллельный фильтр
- •Индуктивный последовательный фильтр
- •Сложные сглаживающие фильтры
- •Резистивно-ёмкостные фильтры
- •Тест для проверки предъявляются по модулю 4.
- •Модуль 5. Электронные усилители.
- •Классификация усилителей:
- •Основные параметры усилителя.
- •Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе.
- •Температурная стабилизация
- •Многокаскадные усилители.
- •Однотактный усилитель мощности.
- •Двухтактные усилители мощности
- •Преимущества двухтактных усилителей мощности:
- •Бестрансформаторный усилитель мощности
- •Усилитель постоянного тока
- •Режимы работы усилительных каскадов
- •Достоинство.
- •Применение.
- •Обратная связь в усилителях
- •Классификация обратной связи
- •Тест контроля знаний по модулю 5
- •Модуль 6 Электронные генераторы
- •Классификация электронных генераторов.
- •Параметры генераторов
- •Модуль 6.1. Электронные генераторы гармонических колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генератор с трансформаторной связью
- •Индуктивная трехточка
- •Емкостная трехточка
- •Генераторы типа rс
- •Модуль 6.2. Электронные генераторы несинусоидальных колебаний – импульсные.
- •Генераторы пилообразного напряжения
- •Генераторы прямоугольных импульсов.
- •Симметричный мультивибратор
- •Триггер
- •Тестовый контроль знаний по модулю:
- •Консультации по тестовому контролю знаний Модуль 1.
- •Модуль 2.
- •Модуль 4.
- •Модуль 5.
- •Модуль 6.
- •Третий знак цифра
- •Заключение
- •Студентам
- •Преподавателям
- •Список литературы
Применение:
Фототранзисторы используются в качестве чувствительных элементов в системе телеконтроля, автоматике, в аппаратуре считывания числового материала, фототелеграфии и др.
3. Вентильный фотоэффект.
Вентильные фотоэлементы – фотоэлементы с фотоэффектом в запирающим слое. В них под действием светового излучения возникает э.д.с (фото – э.д.с), т.е. световая энергия преобразуется в электрическую без посторонних источников тока. Освещение поверхности фотоэлемента вблизи рn–перехода вызывает ионизацию кристалла и образование новых пар: электронов и дырок.
Под действием электрического поля рn – перехода электроны, возникающие под действием световой энергии, переходят в n область, а дырки в область р. Разность потенциалов между слоями р и n вызывает прохождение во внешней цепи тока Iф, величина которого пропорциональна числу электронов и дырок и, следовательно, освещенности фотоэлемента.
Начиная с 1954 года вентильные фотоэлементы стали применятся для изготовления солнечных батарей, преобразующих солнечную энергию в электрическую. Такие солнечные батареи успешно используются на искусственных спутниках Земли.
Солнечные фотоэлементы состоят из пластины кремния типа n. В качестве примесей вводятся атомы мышьяка. На поверхность пластины путем диффузии в вакууме вводится бор, образующий р – область, толщина этого слоя 2 – 3 мкм, поэтому световая энергия легко проникает в зону рn – перехода.
Рис. 2.12 Солнечный фотоэлемент:
а) – устройство, б) – спектральная характеристика.
У
словное
обозначение в схемах
Спектральная
характеристика
солнечного фотоэлемента имеет максимум
в инфракрасной (
)
области.Батареи кремниевых фотоэлементов
площадью
развивают мощность 60 Вт при коэффициенте
полезного действия 9 – 10%.
Контрольные вопросы по модулю 2.
В чем сущность фотоэффекта?
Каким образом в приборах с внешним фотоэффектом реализуются основные положения, связанные с явлением фотоэффекта?
Как обеспечивается внутренний фотоэффект?
Какие характеристики оценивают работу фотоэлектронных приборов?
Как в электрических схемах изображаются фотоэлектронные приборы?
Тесты для контроля знаний по модулю 2.
1 |
К
|
а) участок ОА; б) участок АВ; в) участок ВС. |
1 2 3 |
2 |
Для каких из перечисленных фотоэлементов не имеют значение полярность включения источника? |
а) вакуумные фотоэлементы; б) фотодиод; в) фоторезистор; г) фотоумножитель. |
4 5 6 7 |
3 |
На каком рисунке изображено условное обозначение фотодиода?
рис.1.
рис.2.
рис.3.
рис.4.
рис.5.
|
а) рис. 1; б) рис. 2; в) рис. 3; г) рис. 4; д) рис. 5. |
8 9 10 11 12 |
4 |
Какие виды эмиссии используются в фото умножителях? |
а) термоэлектрическая и вторичная; б) термоэлектронная и фотоэлектрическая; в) вторичная и фотоэлектронная; г) фотоэлектронная и автоэлектронная. |
13
14
15 16 |

акой
из участков вольтамперной характеристики
вакуумного фотоэлемента является
рабочим участкам?