- •Содержание
- •Модуль 1.
- •Полупроводниковые приборы
- •Модуль 1.1
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Модуль 1.2 Электронно-дырочный переход
- •Полупроводниковый диод.
- •Выпрямительные диоды
- •Кремневые стабилитроны (опорные диоды)
- •Контрольные вопросы по модулю 1.2
- •Тест контроля знаний по модулю 1.2
- •Транзисторы.
- •Модуль 1.3 Биполярные транзисторы.
- •Схемы включения биполярного транзистора.
- •Характеристики биполярных транзисторов.
- •Контрольные вопросы по модулю 1.3
- •Тест контроля знаний по модулю 1.3
- •Модуль 1.4 Полевые транзисторы.
- •Характеристики полевого транзистора.
- •Тест контроля знаний по модулю 1.4
- •Модуль 1.5 Тиристоры
- •Устройство приборов.
- •Динистор.
- •Тринистор
- •Контрольные вопросы по модулю 1.5
- •Тест контроля знаний по модулю 1.5
- •Маркировка полупроводниковых приборов.
- •Модуль 2 Фотоэлектронные приборы.
- •Фотоэлементы с внешним фотоэффектом.
- •Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •Б) вакуумного фотоэлемента; в) газонаполненного фотоэлемента.
- •Характеристики фотоэлемента
- •Фотоэлектронные умножители.
- •Устройство.
- •2. Внутренний фотоэффект.
- •Фоторезисторы.
- •Фотодиоды.
- •Фототранзисторы.
- •Применение:
- •3. Вентильный фотоэффект.
- •Тесты для контроля знаний по модулю 2.
- •Модуль 3 Интегральные микросхемы
- •Классификация имс.
- •По способу изготовления:
- •Гибридные имс
- •По типу формируемых транзисторов:
- •По степени интеграции.
- •По типу защиты от внешних воздействий (температуры, влажности, вредных веществ в атмосфере, солнечной радиации и др.)
- •По конструктивному оформлению:
- •По степени использования в различных видах аппаратуры:
- •Однотактные выпрямители
- •Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой.
- •Трёхфазный выпрямитель
- •Двухтактные мостовые выпрямители
- •Трёхфазный мостовой выпрямитель
- •Модуль 4.2. Сглаживающие фильтры
- •Основные требования к сглаживающим фильтрам.
- •Простейшие сглаживающие фильтры. Ёмкостный параллельный фильтр
- •Индуктивный последовательный фильтр
- •Сложные сглаживающие фильтры
- •Резистивно-ёмкостные фильтры
- •Тест для проверки предъявляются по модулю 4.
- •Модуль 5. Электронные усилители.
- •Классификация усилителей:
- •Основные параметры усилителя.
- •Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе.
- •Температурная стабилизация
- •Многокаскадные усилители.
- •Однотактный усилитель мощности.
- •Двухтактные усилители мощности
- •Преимущества двухтактных усилителей мощности:
- •Бестрансформаторный усилитель мощности
- •Усилитель постоянного тока
- •Режимы работы усилительных каскадов
- •Достоинство.
- •Применение.
- •Обратная связь в усилителях
- •Классификация обратной связи
- •Тест контроля знаний по модулю 5
- •Модуль 6 Электронные генераторы
- •Классификация электронных генераторов.
- •Параметры генераторов
- •Модуль 6.1. Электронные генераторы гармонических колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генератор с трансформаторной связью
- •Индуктивная трехточка
- •Емкостная трехточка
- •Генераторы типа rс
- •Модуль 6.2. Электронные генераторы несинусоидальных колебаний – импульсные.
- •Генераторы пилообразного напряжения
- •Генераторы прямоугольных импульсов.
- •Симметричный мультивибратор
- •Триггер
- •Тестовый контроль знаний по модулю:
- •Консультации по тестовому контролю знаний Модуль 1.
- •Модуль 2.
- •Модуль 4.
- •Модуль 5.
- •Модуль 6.
- •Третий знак цифра
- •Заключение
- •Студентам
- •Преподавателям
- •Список литературы
Фотоэлементы с внешним фотоэффектом.
Фотоэлементами с внешним фотоэффектом называются электронные приборы, работа которых основана на явлении фотоэлектронной эмиссии с фотокатода.
Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
У
стройство
внутри которого помещается фотокатод,
расположенный на внутренней поверхности
стеклянного баллона и занимающий до
50% всей поверхности (рис.2.2)
.Вторая половина баллона прозрачная,
через это окно попадает на катод световой
поток. Анод имеет форму рамки и расположен
так, чтобы не препятствовать попаданию
света на катод.
Рис. 2.2 а) Конструкция фотоэлемента, условное обозначение в схемах:
Б) вакуумного фотоэлемента; в) газонаполненного фотоэлемента.
Фотоэлементы с внешним фотоэффектом бывают вакуумные и газонаполненные.
В вакуумных из
баллона выкачен газ до высокой степени
разряжения (
),
а в газонаполненных баллон заполняется
инертным газом (аргоном) под давлением
(1–10Па). Условное обозначение вакуумного,
газонаполненного фотоэлемента
(рис.2.2.б, в)
Характеристики фотоэлемента
Световая (Iф=f(Ф), при Ua=const) характеристика – зависимость фототока от величины светового потока при неизменной величине анодного напряжения.
Рис. 2.3 Световые характеристики фотоэлементов:
1) – вакуумных, 2) – газонаполненных
2. Вольтамперная (Iф=f(Ua),при Ф=const) характеристика – зависимость фототока от величины приложенного напряжения Ua, при постоянном световом потоке.
Рис. 2.4 Вольтамперные характеристики фотоэлементов
1) – вакуумных, 2) – газонаполненных.
3. Спектральная характеристика - зависимость чувствительности фотоэлемента к световым потокам разной длины волны.
Рис. 2.5 Спектральная характеристика:
1)– сурьмяноцезиевого, 2) – кислородно-цезиевого.
Применение.
Фотоэлементы с внешним фотоэффектом используются в фоторелейном и фотометрическом режимах.
Фоторелейный режим работы устройства:
- эти устройства имеют два устойчивых положения – включено и выключено. Одно – при отсутствии света, другое - при его появлении.
Фотометрический режим работы устройства:
- эти устройства реагируют на изменение или интенсивность светового потока.
Фотоэлектронные умножители.
Недостатком фотоэлементов с внешним фотоэффектом является их невысокая чувствительность. Это вызывает необходимость последующего усиления сигнала.
Повышение чувствительности можно получить за счет вторичной эмиссии.
Такие приборы получили название фотоэлектронных умножителей.
ФЭУ бывают однокаскадные и многокаскадные.
Однокаскадные ФЭУ имеют: фотокатод, анод и вторичный катод – динод.
В многокаскадных ФЭУ используется несколько динодов (n=10…15)
Их условное обозначение в схемах рис. 2.6.б.
Устройство.
Стеклянный баллон с высоким вакуумом. На верхнюю торцевую поверхность баллона наносится полупрозрачный катод. Попадающий на него световой поток вызывает фотоэлектронную эмиссию. Электроны с катода попадают под ускоряющее электрическое поле между динодом Д1 и фотокатодам, бомбардируя динод Д1, выбивают из него вторичные электроны, которые двигаясь к диноду Д2, имеющего более высокий потенциал, бомбардируют его и т. д. (рис. 2.6.а)
Обычно число вторичных элементов в 4-5 раз больше числа первичных электронов. Значит, каждый динод усиливает электронный поток в указанное число раз.
Мощный электронный поток, попадающий, на последний электрод анод определяет выходной ток через нагрузку (Rн).
Чувствительность ФЭУ достигает сотен ампер на люмен (А/лм)
Коэффициент
усиления фототока
,
где
n – число динодов
G-
коэффициент вторичной эмиссии (
)
Кi
достигает в современных ФЭУ
Недостатком ФЭУ является: необходимость в высоковольтных источниках (несколько сотен В), изменение чувствительности во времени, неспособность переносить световые перегрузки.
