- •Содержание
- •Модуль 1.
- •Полупроводниковые приборы
- •Модуль 1.1
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Модуль 1.2 Электронно-дырочный переход
- •Полупроводниковый диод.
- •Выпрямительные диоды
- •Кремневые стабилитроны (опорные диоды)
- •Контрольные вопросы по модулю 1.2
- •Тест контроля знаний по модулю 1.2
- •Транзисторы.
- •Модуль 1.3 Биполярные транзисторы.
- •Схемы включения биполярного транзистора.
- •Характеристики биполярных транзисторов.
- •Контрольные вопросы по модулю 1.3
- •Тест контроля знаний по модулю 1.3
- •Модуль 1.4 Полевые транзисторы.
- •Характеристики полевого транзистора.
- •Тест контроля знаний по модулю 1.4
- •Модуль 1.5 Тиристоры
- •Устройство приборов.
- •Динистор.
- •Тринистор
- •Контрольные вопросы по модулю 1.5
- •Тест контроля знаний по модулю 1.5
- •Маркировка полупроводниковых приборов.
- •Модуль 2 Фотоэлектронные приборы.
- •Фотоэлементы с внешним фотоэффектом.
- •Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •Б) вакуумного фотоэлемента; в) газонаполненного фотоэлемента.
- •Характеристики фотоэлемента
- •Фотоэлектронные умножители.
- •Устройство.
- •2. Внутренний фотоэффект.
- •Фоторезисторы.
- •Фотодиоды.
- •Фототранзисторы.
- •Применение:
- •3. Вентильный фотоэффект.
- •Тесты для контроля знаний по модулю 2.
- •Модуль 3 Интегральные микросхемы
- •Классификация имс.
- •По способу изготовления:
- •Гибридные имс
- •По типу формируемых транзисторов:
- •По степени интеграции.
- •По типу защиты от внешних воздействий (температуры, влажности, вредных веществ в атмосфере, солнечной радиации и др.)
- •По конструктивному оформлению:
- •По степени использования в различных видах аппаратуры:
- •Однотактные выпрямители
- •Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой.
- •Трёхфазный выпрямитель
- •Двухтактные мостовые выпрямители
- •Трёхфазный мостовой выпрямитель
- •Модуль 4.2. Сглаживающие фильтры
- •Основные требования к сглаживающим фильтрам.
- •Простейшие сглаживающие фильтры. Ёмкостный параллельный фильтр
- •Индуктивный последовательный фильтр
- •Сложные сглаживающие фильтры
- •Резистивно-ёмкостные фильтры
- •Тест для проверки предъявляются по модулю 4.
- •Модуль 5. Электронные усилители.
- •Классификация усилителей:
- •Основные параметры усилителя.
- •Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе.
- •Температурная стабилизация
- •Многокаскадные усилители.
- •Однотактный усилитель мощности.
- •Двухтактные усилители мощности
- •Преимущества двухтактных усилителей мощности:
- •Бестрансформаторный усилитель мощности
- •Усилитель постоянного тока
- •Режимы работы усилительных каскадов
- •Достоинство.
- •Применение.
- •Обратная связь в усилителях
- •Классификация обратной связи
- •Тест контроля знаний по модулю 5
- •Модуль 6 Электронные генераторы
- •Классификация электронных генераторов.
- •Параметры генераторов
- •Модуль 6.1. Электронные генераторы гармонических колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генератор с трансформаторной связью
- •Индуктивная трехточка
- •Емкостная трехточка
- •Генераторы типа rс
- •Модуль 6.2. Электронные генераторы несинусоидальных колебаний – импульсные.
- •Генераторы пилообразного напряжения
- •Генераторы прямоугольных импульсов.
- •Симметричный мультивибратор
- •Триггер
- •Тестовый контроль знаний по модулю:
- •Консультации по тестовому контролю знаний Модуль 1.
- •Модуль 2.
- •Модуль 4.
- •Модуль 5.
- •Модуль 6.
- •Третий знак цифра
- •Заключение
- •Студентам
- •Преподавателям
- •Список литературы
Контрольные вопросы по модулю 1.5
Дайте определение тиристора.
Почему тиристоры обладают переключающими свойствами?
Каково устройство тиристора?
Объясните вольтамперную характеристику диодного и триодного тиристора.
Тест контроля знаний по модулю 1.5
1 |
На каком рисунке показано условное обозначение управляемого тиристора?
рис.1
рис.4
рис.2
рис.3
|
а) рис.1; б) рис.2; в) рис.3; г) рис.4. |
1 2 3 4 |
2 |
Н
|
а) область I; б) область II; в) область III; г) область IV; д) область V; е) область VI. |
5 6 7 8 9 10 |
3 |
Укажите правильное включение тиристора в схеме.
рис.1.
рис.2.
рис.3.
|
а) рис.1; б) рис.2; в) рис.3.
|
11 12 13 |
Маркировка полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые приборы имеют маркировку, состоящую из четырех чередующихся буквенных и цифровых элементов.
Первый элемент означает исходный полупроводниковый материал:
1 или Г – германий
2 или К – кремний
3 или А – арсенид галлия
Приборы могут работать при температуре:
Г – до +60 градусов, 1 – до +70 градусов,
К – до +85 градусов, 2 – до +120 градусов.
Второй элемент обозначения – буква, характеризующая тип прибора:
Д – диод, Ц – выпрямительные блоки, А – диоды СВЧ, С – стабилитроны, И – туннельные диоды, Т – транзисторы, Н – неуправляемые многослойные переключающие приборы (динисторы), У – управляемые многослойные переключающие приборы (тринисторы), Ф – фотоприборы, Л – светодиоды.
Третий элемент обозначения – число трехзначное, указывающее назначение и электрические свойства прибора.
В маркировке фотоэлектрических приборов третий элемент означает:
От 101 до 199 – фотодиоды
От 201 до 299 – фототранзисторы
Четвертый элемент (буквенный) – разновидность полупроводниковых приборов данной разработки.
Например:
КС 211 А – диод
К – первый элемент – материалы изготовления – кремний
С – второй элемент – тип прибора – стабилитрон
211 – третий элемент – стабилитрон малой мощности с напряжением стабилизации от 10 до 99 В.
А – четвертый элемент – разновидность стабилитрона данной разработки.
КТ 903 Б – транзистор
К – первый элемент – материалы изготовления
Т – второй элемент – тип прибора – транзистора
903 – третий элемент – транзистор высокой частоты, большой мощности
Б – четвертый – разновидность транзистора данной разработки
(Выпускают А и Б – они отличаются по предельным электрическим параметром)
Модуль 2 Фотоэлектронные приборы.
Приборы, в которых происходит преобразование световой энергии в электрическую называют фотоэлектронными. Явление получения электрического тока под действием света называется фотоэффектом.
Фотоэффект бывает.
Внешний: электровакуумные приборы.
Внутренний: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры.
Вентильный: солнечные батареи.
1. Внешний фотоэффект (фотоэлектронная эмиссия)
Этот фотоэффект был открыт в 1888 году А. Г. Столетовым. Прибор, на котором он проводил опыт, приведен на рис.2.1.
Рис.2.1 Схема прибора Столетова для исследования фотоэффекта.
При сильном освещении цинковой пластины 1, гальванометр 3 показывает наличие тока в цепи, несмотря на то, что между цинковой пластиной и сеткой 2 имеется воздушный промежуток. Происходит это потому, что световые лучи попадая на цинковую пластину, отдают свою энергию электронам, скорость их движение увеличивается, и они вылетают из металла наружу. Под действием напряжения они движутся к сетке (аноду), т.к. она подключена к плюсу источника, а пластина (катод) к минусу источника, создавая фототок – Iф.
Столетов же установил, что величина фототока прямо пропорциональна световому потоку, падающему на поверхность фотокатода Iф=S*Ф,
Iф – фототок
Ф – световой поток
S – Чувствительность фотоэлементов
Фотоэффект практически безинерционен.

азовите
область обратимого пробоя, соответствующую
переходу из закрытого в открытое
состояние