- •Содержание
- •Модуль 1.
- •Полупроводниковые приборы
- •Модуль 1.1
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Модуль 1.2 Электронно-дырочный переход
- •Полупроводниковый диод.
- •Выпрямительные диоды
- •Кремневые стабилитроны (опорные диоды)
- •Контрольные вопросы по модулю 1.2
- •Тест контроля знаний по модулю 1.2
- •Транзисторы.
- •Модуль 1.3 Биполярные транзисторы.
- •Схемы включения биполярного транзистора.
- •Характеристики биполярных транзисторов.
- •Контрольные вопросы по модулю 1.3
- •Тест контроля знаний по модулю 1.3
- •Модуль 1.4 Полевые транзисторы.
- •Характеристики полевого транзистора.
- •Тест контроля знаний по модулю 1.4
- •Модуль 1.5 Тиристоры
- •Устройство приборов.
- •Динистор.
- •Тринистор
- •Контрольные вопросы по модулю 1.5
- •Тест контроля знаний по модулю 1.5
- •Маркировка полупроводниковых приборов.
- •Модуль 2 Фотоэлектронные приборы.
- •Фотоэлементы с внешним фотоэффектом.
- •Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •Б) вакуумного фотоэлемента; в) газонаполненного фотоэлемента.
- •Характеристики фотоэлемента
- •Фотоэлектронные умножители.
- •Устройство.
- •2. Внутренний фотоэффект.
- •Фоторезисторы.
- •Фотодиоды.
- •Фототранзисторы.
- •Применение:
- •3. Вентильный фотоэффект.
- •Тесты для контроля знаний по модулю 2.
- •Модуль 3 Интегральные микросхемы
- •Классификация имс.
- •По способу изготовления:
- •Гибридные имс
- •По типу формируемых транзисторов:
- •По степени интеграции.
- •По типу защиты от внешних воздействий (температуры, влажности, вредных веществ в атмосфере, солнечной радиации и др.)
- •По конструктивному оформлению:
- •По степени использования в различных видах аппаратуры:
- •Однотактные выпрямители
- •Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой.
- •Трёхфазный выпрямитель
- •Двухтактные мостовые выпрямители
- •Трёхфазный мостовой выпрямитель
- •Модуль 4.2. Сглаживающие фильтры
- •Основные требования к сглаживающим фильтрам.
- •Простейшие сглаживающие фильтры. Ёмкостный параллельный фильтр
- •Индуктивный последовательный фильтр
- •Сложные сглаживающие фильтры
- •Резистивно-ёмкостные фильтры
- •Тест для проверки предъявляются по модулю 4.
- •Модуль 5. Электронные усилители.
- •Классификация усилителей:
- •Основные параметры усилителя.
- •Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе.
- •Температурная стабилизация
- •Многокаскадные усилители.
- •Однотактный усилитель мощности.
- •Двухтактные усилители мощности
- •Преимущества двухтактных усилителей мощности:
- •Бестрансформаторный усилитель мощности
- •Усилитель постоянного тока
- •Режимы работы усилительных каскадов
- •Достоинство.
- •Применение.
- •Обратная связь в усилителях
- •Классификация обратной связи
- •Тест контроля знаний по модулю 5
- •Модуль 6 Электронные генераторы
- •Классификация электронных генераторов.
- •Параметры генераторов
- •Модуль 6.1. Электронные генераторы гармонических колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генератор с трансформаторной связью
- •Индуктивная трехточка
- •Емкостная трехточка
- •Генераторы типа rс
- •Модуль 6.2. Электронные генераторы несинусоидальных колебаний – импульсные.
- •Генераторы пилообразного напряжения
- •Генераторы прямоугольных импульсов.
- •Симметричный мультивибратор
- •Триггер
- •Тестовый контроль знаний по модулю:
- •Консультации по тестовому контролю знаний Модуль 1.
- •Модуль 2.
- •Модуль 4.
- •Модуль 5.
- •Модуль 6.
- •Третий знак цифра
- •Заключение
- •Студентам
- •Преподавателям
- •Список литературы
Устройство приборов.
Те и другие имеют четырехслойную структуру полупроводника электропроводностями разного типа (р–n–р–n). Крайние являются анодом и катодом. А третий электрод у триодного тиристора является управляющим электродом.
П1 П2 П3
V
V
V
V
а)
б)
в)
Рис. 1.18 а) Структура, б) эквивалентная схема тиристора.
Переходы П1 и П3 называются эмиттерными, они включены в прямом направлении. Средний П2 – коллекторный переход заперт обратным напряжением источника Е. Внутренние области называются базами.
Для анализа работы тиристора четырехслойную структуру целесообразно представить в виде двух транзисторов: n–р–n и р–n–р – типов.
Коллекторный ток VT1 является одновременно базовым током VT2, а коллекторный ток транзистора VT2 базовым током VT1.
IБ2=Iк1 и IБ1=Iк2
Стоит подать питающее напряжение на электроды, как любое возрастание тока одного транзистора приводит к увеличении тока другого.
Динистор.
У
словное
обозначение динистора
в схеме
Переход П2 включен в обратном (непроводящем) направлении и его сопротивление велико. Все приложенное к прибору напряжение падает на переходе П2 и ток в цепи мал. При повышении напряжения ток в цепи увеличивается незначительно, т.к. ограничивается большим сопротивлением перехода П2. Вольтамперная характеристика подобна обратной ветви характеристики диода.
Рис. 1.19 Вольтамперная характеристика тиристора.
Если напряжение достигает некоторого определенного значения, называемого напряжением переключения (Uперmax при токе управления Iy=0), напряженность электрического поля в переходе П2 становится достаточной для образования новых свободных носителей заряда (электронов и дырок), его сопротивление резко уменьшается (происходит лавинный пробой коллекторного П2 перехода) и тиристор открывается. Напряжение на открытом тиристоре мало (порядка 1-2В) и почти неизменно, а ток ограничивается сопротивлением внешней нагрузки (рис. 1.19).
Если уменьшить ток через открытый тиристор, то он будет оставаться открытым до тех пор пока ток в тиристоре достаточен для поддержания процесса образования носителей в переходе П2. При токе меньше определенного значения – тока удержание (Iуд.), тиристор закрывается – возвращается в непроводящее состояние.
Динистор можно выключить:
уменьшить ток до величины, при которой лавинный процесс прекращается,
изменить полярность напряжения.
Тринистор
УЭ
Условное обозначение тринистора в схеме
Если на управляющий электрод (УЭ) подать положительный потенциал от постороннего источника (рис.1.20.а), то в переходе П3 возникает ток управления (Iy≠0) и появляются дополнительные носители заряда, вследствие чего уменьшается напряжение переключения этого перехода (рис.1.19) и тиристор открывается при меньшем напряжении U пер1<Uперmax
Рис.1.20 а) Устройство тиристора, б) схема включения
При определенном значении тока управления, называемых током спрямления Iyc (рис.1.19) тиристор работает как неуправляемый вентиль, т.е. открыт при любом положительном напряжении на аноде.
Управляющий электрод после открытия тиристора перестает оказывать влияния на его работу. В цепь управляющего электрода подают кратковременный импульс прямоугольной формы длительностью примерно 10 мкс.
Схема включения тиристора показана на рис. 1.20.б.
При подаче обратного напряжения тиристор закрывается обратно включенными переходами П1 и П3, независимо от управляющего тока.
Применение
:
Тиристоры
имеют два устойчивых состояния:- при
закрытом
,
при открытом
,
поэтому они находят применение как
бесконтактные переключатели в схемах
автоматики и вычислительной техники,
регулируемых выпрямителях, в системе
питания и импульсно фазового регулирования
электроприводов, на трансформаторных
подстанциях, на ЛЭП, в инверторах и т.д.
