- •Архитектура вычислительной системы.
- •Система ввода-вывода.
- •Характеристики.
- •Быстродействие.
- •Классификация вычислительных систем по возможностям и назначению без применения сетей.
- •Двоичная система счисления.
- •Восьмеричная система счисления.
- •Шестнадцатеричная система счисления.
- •Значение и понятие памяти. Random Access Memory (ram) – оперативная память.
- •Сверхоперативная память – кэш-память.
- •Жёсткий диск.
- •Оптические диски и приводы.
- •Система ввода-вывода.
- •Быстродействие.
- •Разрядность.
- •Реальный режим.
- •Защищённый режим.
- •Виртуальный режим.
- •Первое поколение процессоров p1 или 086.
- •Второе поколение процессоров p2 или 286.
- •Третье поколение процессоров p3 или 386.
- •Четвёртое поколение процессоров p4 или 486.
- •Процессоры четвёртого поколения других фирм.
- •Пятое поколение p5.
- •Шестое поколение p6.
- •Седьмое поколение p7.
- •Регистр. Триггер.
- •Регистр процессора 8086.
- •Виды регистров: Регистры данных.
- •Регистры указатели и индексные регистры.
- •Сегментные регистры.
- •Регистры флага.
- •Физическая организация памяти.
- •Логическая организация памяти.
- •Структура памяти пк на основе Intel 8086.
- •Структура памяти пк на основе Intel 20286.
- •Понятия bios и её функции.
- •Действия bios при загрузке пк.
- •Виды микросхем bios.
- •Виды микросхем bios:
- •Элементы памяти.
- •Модули памяти.
- •Способы адресации.
- •Трудности адресации.
- •Понятие материнской платы.
- •Основные характеристики.
Виды микросхем bios.
В процессе развития компьютеров существовало несколько видов микросхем BIOS.
Отличительной особенностью любой микросхемы ROM является то, что скорость доступа в этой микросхеме очень низкая, поэтому для непосредственной работы с данными BIOS используется копия информации, находящейся в ROM, оперативной памяти. Эта копия сохраняется на протяжении всей работы компьютера и называется Shadow Memory.
Виды микросхем bios:
ROM – это первый вид микросхемы BIOS, она называется прожигаемой при изготовлении микросхемы, на неё данные записываются при производстве и в дальнейшем не меняются, никогда и не при каких обстоятельствах. Физически эта микросхема представляет собой небольшую кремниевую матрицу, на которой закодирована информация: 0 – это целый материал, а 1 – промежуточное состояние.
PROM (программируемый ROM) – эту микросхему можно программировать один раз, если необходимо обновить информацию в ROM, то предыдущую микросхему PROM извлекают из материнской платы и выбрасывается, берётся новая, чистая микросхема, вставляется в специальное устройство – программатор, программируется с помощью специальной системы и затем устанавливается на материнскую плату. Физически эта микросхема представляется собой матрицу из плавки предохранителей, при этом 1 – целый предохранитель, а 0 – расплавленный.
EPROM – эту микросхему можно перепрограммировать несколько раз. Для этого она извлекается из материнской платы, устанавливается в программатор. На первом этапе специальным лучом расплавленные предохранители восстанавливаются, а на втором этапе происходит программирование данной микросхемы. Особенности данной микросхемы является то, что её плавкие предохранители могут быть восстановлены.
EEPROM – это первая микросхема, которая перепрограммируется программно, а не аппаратно. Физически – это микросхема припаянная и не извлекается. Для её перепрограммирования необходимо использовать специальные программные средства.
FlashBIOS – это также программно перепрашиваемая микросхема, хранения данных в которой, основано на технологии Flash памяти. Это современный вид микросхемы BIOS. Её перепрограммирование осуществляется без извлечения из материнской платы с помощью специальной программы-прошивки. Однако, в отличии от предыдущей платы эту микросхему из материнской платы можно извлечь. Это делается в том случае, если микросхема повреждена.
Виды микросхем и модулей оперативной памяти.
Элементы памяти.
Элемент памяти (DRAM) – это небольшая микросхема, расположенная в пластиковом корпусе, которая предназначена для непосредственного хранения данных.
Виды элементов DRAM:
FPM – это старый элемент памяти (в переводе означает – режим быстрых страниц) реализует память со страничным режимом работы, появилась с процессорами 4 поколения.
EDO DRAM – память с расширенным выводом данных. Увеличение производительности достигалось за счёт увеличения единиц данных выводимых за единицу времени.
BEDO DRAM (быстрое EDO) – скорость ввода и вывода данных также увеличено. Все предыдущие виды элементов – устаревшие, они использовались с устаревшими модулями.
S DRAM – память, синхронизируемая по частоте с процессором. Все операции по вводу и выводу данных в этой памяти выполняются на частоте процессора. Это увеличивает её производительность. До 2002 года этот вид элементов памяти был наиболее популярным, так как обеспечивал оптимальное сочетание: цена-производительность.
R DRAM – этот вид элементов DIRAM был высокоскоростной и надёжный. Использовался вместе с модулем фирмы Rambus. Основным недостатком являлась высокая цена. По сколько при производстве этого вида элементов памяти использовались драгоценные металлы. Этот вид памяти вместе с модулем использовался в дорогих, высокопроизводительных компьютерах.
DDR SDRAM – элемент памяти с двойной скоростью передачи данных. Это более усовершенствованный SDRAM, обладает высокими характеристиками более производителен, чем R DRAM и стоит дешевле. Долгое время этот вид элементов памяти был самым распространённым для большинства компьютеров.
DDR2 SDRAM – этот вид памяти пришёл на смену предыдущему, полное его название синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных второго поколения. Была самой распространённым видом памяти до 2010 года и была вытеснена следующим элементов.
DDR3 SDRAM – современный элемент памяти, полное название: синхронная динамическая память с произвольным доступом данных третьего поколения. Увеличена скорость передачи данных до 200 Мб/с.
