- •Составители:
- •Рецензенты:
- •Лабораторная работа №6 исследование характеристик мостового однофазного выпрямителя на полупроводниковых диодах (файл Lab.6 )
- •6.2 Краткие теоретические сведения
- •6.3. Функциональная схема стенда. Функциональная схема модели стенда, используемого при исследованиях однофазного мостового выпрямителя, приведена на рис.6.4.
- •6.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •Лабораторная работа №7 исследование характеристик трехфазного двухполупериодного выпрямителя на полупроводниковых диодах (файл Lab. 7 еwb.)
- •7.1. Цель работы: Иследование характеристик трехфазного двухполупериодного выпрямителя на полупроводниковых диодах без трансформатора на входе.
- •7.2. Краткие теоретические сведения.
- •7.2.1.Однополупериодный трехфазный выпрямитель
- •7.2.2.Двуполупериодный трехфазный выпрямитель
- •7.5. Функциональная схема модели стенда.
- •7.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •Лабораторная работа №8 исследование характеристик интегрального полупроводникового операционного усилителя (файл –Lab 8.)
- •8.1.Цель работы. Исследование характеристик операционных усилителей, выполненных на интегральных полупроводниковых схемах. Измеренияамплитудной и амплитудно-частотной характеристик усилителя.
- •8.2. Краткие теоретические сведения
- •8.4. Порядок проведения работы.
- •Исследование характеристик параметрического стабилизатора напряжения (файл – Lab 9.)
- •9.2.Краткие теоретические сведения
- •9.4. Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа №10
- •10.2.Краткие теоретические сведения
- •10.2.2.Условия самовозбуждения колебаний напряжения
- •10.2.3.Автогенератор с r-c фильтром в цепи обратной связи.
- •10.4. Порядок выполнения работы
- •11.2.Краткие теоретические сведения
- •11.4. Порядок выполнения работы
- •12.1.Цель работы. Исследование характеристик и особенностей работы логических полупроводниковых интегральных схем на kмдп-транзисторах.
- •12.1.Краткие теоретические сведения
- •12.3.Функциональные схемы измерительных стендов
- •12.3.1.Исследование логической схемы «не».
- •12.3.2.Исследование логической схемы « 2и-не»
- •12.3.Исследование логической схемы «или-не»
- •12.4.Порядок выполнения лабораторной работы
12.3.Функциональные схемы измерительных стендов
12.3.1.Исследование логической схемы «не».
На рис 12.4. приведена схема стенда, используемого для исследования логических элемента «НЕ», выполненного на КМДП-транзисторе.
Рис 12.4.Функциональная схема стенда для исследования работы логического элемента «НЕ», выполненного на КМДП- транзисторе.
На функциональной схеме стенда представлены:
-генератор последовательности положительных импульсов, которые могут подаются на затвор транзистора. . Одновременно эта же последовательность импульсов подается на первый канал двухлучевого осциллографа (красная линия);
-логическая схема «НЕ», выполненная на КМДП-транзисторе с «n»- и «р»проводящими каналами. В интервалах времени, когда на затвор транзистора подаются от генератора последовательность положительных импульсов, соответствующих логическим единицам «1», «n» -канал транзистора открывается и через него идет ток. При этом на нагрузке в качестве которой используется «р»-канал транзистора, появляется последовательность импульсов отрицательной полярности, соответствующая логическим нулям («0»). Последовательность этих импульсов можно наблюдать на экране двухлучевого осциллографа, на второй вход которого подается напряжение с точки объединения стоков М1 и М2 транзисторов (синий провод). Электрическое питание на схему подается на исток транзистора М2 от источника питания с напряжением +5 В. Второй электрод батареи заземлен и соответственно соединен с истоком транзистора М1.
12.3.2.Исследование логической схемы « 2и-не»
Функциональная схема стенда, предназначенного для исследования логического схемы «2И-НЕ» (файл 12b), приведена на рис.12.5.
Рис 12.5. Функциональная схема стенда, предназначенного для исследования логических элемента «2И-НЕ».
На функциональной схеме показана логическая схема «2И-НЕ», выполненная на двух КМДП–транзисторах,«n»-проводящие каналы которых включены последовательно. Между затворами транзисторов М1 и М2 и землей включены резисторы утечки с сопротивлением 10МOhm. На затворы этих транзисторов от генератора сигналов подаются положительные импульсы. Импульс на затвор транзистора М1 подается через переключатель «Key=Space». В интервале времени, когда на затворы обеих транзисторов одновременно подаются от генератора положительные импульсы, соответствующие логическим единицам «1», транзисторы переключаются в открытое состояние и через них идет ток. При этом на нагрузке транзисторов М1 и М2, в качестве которой используются параллельно включенные транзисторы М3 и М4 с «р» проводящими каналами, появляется импульс отрицательной полярности, соответствующий логическому нулю«0».
Последовательность этих импульсов можно наблюдать на экране двухлучевого осциллографа, на второй канал (В) которого подается последовательность импульсов отрицательной полярности с нагрузки транзисторов М1, М2 (точка 9 на схеме). На первый канал осциллографа (А) подается изображение последовательности положительных импульсов, подаваемых на затворы транзисторов. Электрическое питание транзисторов осуществляется от батареи с напряжением +5 В, которое подается на выводы стоков транзисторов М3 и М 4. Второй электрод батареи заземлен, то есть соединен с выводом истока транзистора М1.
