
- •Индивидуальное задание на период прохождения практики №8
- •4 Кмоп-транзисторные пары. Преимущества кмоп имс.
- •6 Кмоп-транзисторы с плавающим затвором, как элементы зу.
- •6 Интерфейс usb. Физическая организация шины, ее топология. Хост, клиенты, идентификация устройств usb при их подключении.
- •7. Протокол передачи usb. Стандарты передачи Версии интерфейса.
- •8 Шина Firewire. Стандарт ieee 1394.
- •10 Дать определение стека протоколов. На какие уровни разбиваются стеки протоколов?
- •11. Назвать наиболее популярные сетевые протоколы. Привести описание протокола, примеры использования.
- •13.Назвать наиболее популярные прикладные протоколы. Привести описание протокола, примеры использования.
- •Характеристика
Министерство труда, занятости и трудовых ресурсов Новосибирской области
Государственное бюджетное образовательное учреждение среднего профессионального образования Новосибирской области «Новосибирский техникум электроники и вычислительной техники» (ГБОУ СПО НСО «НТЭ и ВТ»)
ДНЕВНИК ПРАКТИКИ
Вид практики Учебно- производственная: 01.09.2014 - 10.11.2014
Место прохождения практики: ООО «Тануки-Новосибирск»
Фамилия, имя и отчество студента: Папшев Роман Андреевич
Отделение: Компьютерные системы и комплексы
Курс: 4 Группа: 9кс-424 Отделение: КС
Новосибирск 2014 год
Дневник практики
Дата |
Содержание практики |
оценка |
Подпись непосредственного руководителя, мастера |
12.05.14 |
Знакомство с предприятием: история предприятия, виды деятельности, охрана труда на предприятии.
ООО «Тануки-Новосибирск» 630004, г. Новосибирск Ул. Челюскинцев, 14/1 К.т. 8-913-758-50-24
1. ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ БЕЗОПАСНОСТИ 1.1. Данная инструкция распространяется на всех работающих с персональными ЭВМ (ПЭВМ), в том числе и с видеодисплейными терминалами (ВДТ). 1.2. К работе с ВДТ и ПЭВМ допускаются лица, не имеющие медицинских противопоказаний, прошедшие предварительный (при поступлении на работу) и периодический медицинский осмотр, проверку знаний на первую группу допуска по электробезопасности (ежегодно) и инструктаж по охране труда на рабочем месте. Повторный инструктаж работник проходит не реже 1 раза в 6 месяцев 1.3. Женщины со времени установления беременности и в период кормления ребенка грудью, к выполнению всех видов работ, связанных с использованием ВДТ и ПЭВМ, не допускаются. 1.4. Для обеспечения оптимальной работоспособности и сохранения здоровья пользователей ВДТ и ПЭВМ на протяжении смены устанавливаются регламентированные перерывы. Продолжительность непрерывной работы без перерыва не должна превышать 2-х часов. 1.5. На работающего с ВДТ и ПЭВМ могут воздействовать следующие опасные и вредные производственные факторы: 1.5.1. Физическая группа. Повышенные уровни: шума, ультрафиолетового, ннфракрасного, рентгеновского, электромагнитного излучений. Повышенный уровень статического электричества. Повышенная или пониженная ионизация воздуха, прямая и отраженная блесткость; пониженная контрастность и др. 1.5.2. Психофизическая группа: монотонность труда, нервно-психические перегрузки; перенапряжение зрительных анализаторов. При работе с ПЭВМ характерны высокая концентрация внимания н интенсивность труда, длительное нахождение в одном и том же положении, что приводит к статическому напряжению мышц; появляется быстрая утомляемость глаз, боли в области шеи, спины, запястный синдром, стенокардия и стрессы.
1.5.3. Для работающих с ВДТ и ПЭВМ не менее половины рабочего времени в месяц в соответствии с РАН от 17.02.93 № 10169-75 устанавливаются доплаты к заработной плате за работу, связанную с напряжением внимания и зрения до 0.6 размера оплаты труда 1 разряда. 1.6. Помещения с ВДТ н ПЭВМ должны быть оснащены аптечкой первой помощи, углекислотным огнетушителем. 1.7. С целью снижения уровней электромагнитного и статического излучений, а также исключения поражения электротоком, ВДТ следует включать в трехпроводную электросеть с защитным нулем. Эксплуатация ВДТ и ПЭВМ без зануления не допускается. Самодельные переносные соединительные колодки должны соответствовать требованиям Правил пожарной безопасности (не должно быть деревянного основания, хлопчатобумажных шнуров, сколотых розеток). 1.8. Для обеспечения пожаро- и взрывобезопасности следует отключать ВДТ, ПЭВМ от электросети (за исключением случаев производственной необходимости), уходя на длительное время из помещения. 1.9. Перемещать блоки ПЭВМ, особенно ВДТ, следует отключенными от электросети. В каждой комнате должны быть назначены ответственные лица за пожарную безопасность. На видном месте вывешены номера телефонов, куда следует звонить в случае пожара. 1.10. При обнаружении каких-либо неисправностей работу необходимо прекратить и сообщить об этом своему руководителю. 1.11. Лица, виновные в нарушении данной инструкции, несут дисциплинарную, материальную и уголовную ответственность в зависимости от характера нарушения. 2. ТРЕБОВАНИЯ БЕЗОПАСНОСТИ ВО ВРЕМЯ РАБОТЫ 2.1. Работы можно вести только на исправном оборудовании с исправными питающими проводами и отключающими аппаратами. При обнаружении неисправности необходимо дать заявку на ремонт в соответствующее обслуживающее подразделение. 2.2. Ремонт, разборку и сборку, наладку электротехнологического оборудования может выполнять только подготовленный персонал, имеющий необходимую для данных работ группу допуска по электробезопасности. Санитарными правилами запрещается проводить ремонт ВДТ и ПЭВМ с использованием пайки непосредственно в рабочих помещениях. 2.3. Перестановку имеющегося или установку вновь полученных ВДТ и ПЭВМ производить только после согласования планировки, схемы злектропитания с гл. энергетиком и инженером по охране труда. 2.4. В случае перерыва в электроснабжении все устройства ЭВМ необходимо выключить нажатием соответствующих клавиш. 2.5. Следует оберегать экраны ВДТ и блоки ПЭВМ от механических повреждений. 2.6. Сидеть за компьютером надо так, чтобы угол между туловищем и бедрами, туловищем и предплечьем составлял 90 градусов. 2.7. При 8-ми часовой рабочей смене через 1.5-2 часа от начала работы и через 1.5-2 часа после обеденного перерыва следует делать перерывы на 20 минут. Последующие перерывы должны быть через каждый час работы продолжительностью 15 минут каждый. Можно устраивать перерывы продолжительностью 15 минут через каждый час работы. 3.8. Во время регламентированных перерывов с целью снижения нервно-эмоционального напряжения, утомления зрительного анализатора, устранения влияния гипокинезии и гиподинамии, предотвращения развития позвоночного утомления следует выполнять комплексы специальных упражнений.
|
|
|
13.05.14 |
Изучение средств вычислительной техники, используемых на предприятии. На предприятии используется 17 компьютера различной комплектации, 9 принтеров различного наименования, сканеры и копиры, 4 сервера, 15 камер, 2 Кассы, охранная система, 3 раб. станции.
Пример комплектации рабочего компьютера:
Celeron – 2 Ггц RAM – 2 Gb HDD – 150Gb
|
|
|
19.05.14 |
Состав программного обеспечения имеющихся на предприятии компьютеров: ОС, оболочки, сервисные приложения, языки программирования, архиваторы, антивирусные средства.
На рабочих станциях предприятия установлены операционные системы WindowsXP, Windows 7 Pro, R-kepeer. Офисные редакторы: MicrosoftOffice 2007/2010 и LibreOffice. Почтовая программа используется MozillaThunderbird. Браузеры InternetExplorer, GoogleChrome.Базы данных 1С, КриптошлюзVipNet. На сервере установлены Samba, телефония Asterisk и почта. Архиваторы используются 7-zip. Антивирусы используемые в работе такие как Avast и Dr.Web. |
|
|
22.05.14 |
Состав локальных сетей, их топология, протоколы, распределение ресурсов и прав доступа, техническое и программное обеспечение. Использование средств Интернета на предприятии.
Данная сеть является доменной сетью с выделенным сервером, построенной архитектурой типа: звезда. У каждого пользователя есть свой отдельный профиль на сервере, со своими правами доступа к данным. На сервере установлен: Web-сервер внутреннего пользования для сотрудников, сервер видеонаблюдения, хранения данных Samba, VoIP-телефонии Asterisk. |
|
|
|
|
|
|
30.05.14 |
Аппаратные и программные средства диагностики работы средств ВТ.
Программы для диагностики компьютера позволяют проверить конфигурацию компьютера (количество памяти, ее использование, типы дисков и т.д.), а также проверить работоспособность устройств компьютера (прежде всего жестких дисков). Они позволяют выявить «намечающиеся» дефекты дисков (возникающие из-за износа магнитной поверхности диска) и предотвратить потерю данных, хранящихся на диске. С помощью тестового программного продукта или диагностического комплекса можно определить ряд несложных неисправностей аппаратуры или неправильного конфигурирования системных файлов. Диагностика может выполняться как для системы в целом, так и для отдельных модулей: системной платы, памяти (стандартной, дополнительной и расширенной), видеоподсистемы, жестких дисков, приводов флоппи-дисков, клавиатуры, портов (последовательных и параллельных), координатных устройств, приводов компакт-дисков (CD-ROM) и устройств, имеющих SCSI-интерфейс и т.д.
|
|
|
02.06.14 |
Способы установки и удаления программных продуктов, правила размещения информации в Интернет сайтах.
|
|
|
6.06.14 |
Использование средств защиты информации от несанкционированного доступа и случайных воздействий.
Средства ограничения физического доступа На подготовительном этапе использования электронного замка выполняется его установка и настройка. Настройка включает в себя следующие действия, обычно выполняемые ответственным лицом – Администратором по безопасности:
Средства защиты от НСД по сети VPN – это совокупность сетей, на внешнем периметре которых установлены VPN-агенты .VPN-агент – это программа (или программно-аппаратный комплекс), собственно обеспечивающая защиту передаваемой информации путем выполнения описанных ниже операций. Перед отправкой в сеть любого IP-пакета VPN-агент производит следующее:
|
|
|
9.06.14 |
Работа с базами данных (1С-предприятие и другие.). На практике довелось мне поработать с программным продуктом 1С: Предприятие 8. Система программ «1С:Предприятие 8» включает в себя платформу и прикладные решения, разработанные на ее основе, для автоматизации деятельности организаций и частных лиц. Сама платформа не является программным продуктом для использования конечными пользователями, которые обычно работают с одним из многих прикладных решений (конфигураций), разработанных на данной платформе. Такой подход позволяет автоматизировать различные виды деятельности, используя единую технологическую платформу. |
|
|
12.06.14 |
Система управления базами данных, их виды и характеристика работы. Принцип проектирования создания и модификации баз данных. Основы построения банков информации.
Файловая СУБД - одна из систем управления базами данных, которую поддерживает платформа. Файловая СУБД разработана фирмой "1С" и является частью платформы.Файловая СУБД хранит все данные в одном файле - файловой базе данных. Этот формат хранения данных разработан фирмой "1С" специально для прикладных решений 1С:Предприятия 8.Файловая СУБД является частью платформы, поэтому при работе системы в файловом варианте толстый и тонкий клиенты самостоятельно осуществляют всю работу с данными.В случае веб-клиента подключение к файловой базе данных выполняется через веб-сервер, и непосредственную работу с данными выполняет не клиентское приложение, а модуль расширения веб-сервера, который также содержит в себе файловую СУБД.Взаимодействие элементов системы с файловой базой данных осуществляется по собственному протоколу обмена данными, разработанному фирмой "1С". |
|
|
16.06.14 |
Разновидности программ-архиваторов, их назначение, свойства, основные режимы работы программ, диалоговые окна и архивация файлов.
Разными разработчиками были сделаны особые программы для архивации файлов. Обычно, программы для архивации файлов разрешают помещать копии файлов на диске в сжатом виде в архивный файл, извлекать файлы из архива, просматривать оглавление архива и т.д. Различные программы различаются форматом архивных файлов, скоростью работы, степенью сжатия файлов при помещении в архив, удобством использования. В текущее время применяется несколько 10-ов программ - архиваторов, которые различаются списком функций и параметрами работы, но Лучшие из их имеют приблизительно однообразные свойства. Из числа более лучших программ можно выделить: ARJ, PKPAK, LHA, ICE, HYPER, ZIP, РАК, ZOO, EXPAND, разработанные за рубежом, также AIN и RAR , разработанные в Рф. Традиционно упаковка и распаковка файлов выполняются одной и той же программой, но в неких вариантах это осуществляется различными программками, к примеру, программа РКZIР производит упаковку файлов, a PKUNZIP - распаковку файлов. Управление программой - архиватором осуществляется одним из 2-ух методов: • при помощи командной строчки MS DOS, в какой формируется команда пуска, содержащая имя программы - архиватора, команду управления и ключи ее опции, также имена архивного и начального файлов; схожее управление типично для архиваторов ARJ, AIN, ZIP, РАК, LHA и др.; •при помощи интегрированной оболочки и диалоговых панелей, появляющихся после пуска программы и позволяющих вести управление с внедрением меню и многофункциональных кнопок, что делает для юзера наиболее удобные условия работы. Такое управление имеет программа - архиватор RAR. |
|
|
19.06.14 |
Ознакомление с эксплуатацией микропроцессорных систем.
|
|
|
23.06.14 |
Ознакомление с обслуживанием и ремонтом периферийных устройств.
Была проведена замена картриджей в принтерах марки Brother, т.к. был поврежден картридж принтера вследствие чего был загрязнен напечатанный лист. Перепайка конденсаторов в модеме TP-LINKEC5658V т.к. при попытке связи по каналу связи, сбрасывалось соединение из-за высохших конденсаторов. Перепайка конденсаторов на материнской плате, причина неисправности была в высохших конденсатора, при повышении нагрузки, выключалась. Все отремонтированное оборудование функционирует исправно. |
|
|
26.06.14 |
Работа с антивирусными программами. Антиви́рус Каспе́рского (англ. Kaspersky Antivirus, KAV) — антивирусное программное обеспечение, разрабатываемоеЛабораторией Касперского. Предоставляет пользователю защиту от вирусов, троянских программ, шпионских HYPERLINK "http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0-%D1%88%D0%BF%D0%B8%D0%BE%D0%BD" HYPERLINK "http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0-%D1%88%D0%BF%D0%B8%D0%BE%D0%BD" HYPERLINK "http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0-%D1%88%D0%BF%D0%B8%D0%BE%D0%BD"программ,руткитов, adware, а также неизвестных угроз с помощью проактивной защиты, включающей компонент HIPS (только для старших версий, именуемых «Kaspersky Internet Security 2009+, где '+' — порядковый номер предыдущего регистра, ежегодно увеличиваемый на единицу в соответствии с номером года, следующим за годом выпуска очередной версии антивируса»). Первоначально, в начале 1990-х, именовался -V, затем — AntiViral Toolkit Pro.
Dr. Web - семейство антивирусов, предназначенных для защиты от почтовых и сетевых червей,руткитов, файловых вирусов, троянских программ, стелс-вирусов, полиморфных вирусов, бестелесных вирусов,макровирусов, вирусов, поражающих документы MS Office, скрипт-вирусов, шпионского ПО (spyware), программ-похитителей паролей, клавиатурных шпионов, программ платного дозвона, рекламного ПО (adware), потенциально опасного ПО, хакерских утилит, программ-люков, программ-шуток, вредоносных скриптов и других вредоносных объектов, а также отспама, скаминг-, фарминг-, фишинг-сообщений и технического спама. Разрабатывается компанией Доктор Веб.
|
|
|
Индивидуальное задание на период прохождения практики №8
Перспективные транзисторные структуры: транзисторы со сверхтонким основанием; МОП-транзисторы с управляемой проводимостью канала.
Инженеры из США и Тайваня сконструировали качественные полевые транзисторы на основе составного полупроводника, арсенида индия InAs, размещённого на кремниевой подложке. Предложенная методика позволяет получить высокую подвижность носителей заряда, характерную для полупроводников группы III-V, с применением малозатратной и прекрасно отработанной кремниевой технологии производства.
Помимо арсенида индия, в группу III-V (цифры здесь обозначают положение компонентов полупроводника в периодической системе) входят, к примеру, нитрид алюминия, арсенид галлия ифосфид индия. К сожалению, вырастить на кремнии слой составного полупроводника очень сложно, поскольку кристаллические структуры двух материалов сильно различаются. Авторы выбрали другой вариант схемы изготовления, в котором на подложку переносятся готовые образцы InAs.
Схема процесса изготовления транзисторов и изображения массивов нанолент InAs на Si/SiO2-подложке, помещённых под атомно-силовой микроскоп. Справа внизу показано размещение нанолент в два слоя толщиной в 18 и 48 нм.
Опыты начинались с выращивания монокристаллических плёнок арсенида индия толщиной 10–100 нм на подложке из антимонида галлия GaSb, покрытой 60-нанометровым слоем Al0,2Ga0,8Sb. Затем на плёнку наносились полосыполиметилметакрилата (PMMA), и путём травления с использованием лимонной кислоты и перекиси водорода учёные формировали наноленты InAs. Для того чтобы перенести их на новое основание, слой Al0,2Ga0,8Sb выборочно вытравливался раствором гидроксида аммония. В завершающей стадии процесса наноленты отрывались с помощью пластинки из полидиметилсилоксана(PDMS) и перемещались на совершенно стандартную Si/SiO2-подложку. После этого исследователи формировали никелевые электроды, завершая подготовку транзисторов к тестированию, которое они прошли вполне успешно.
Авторы также изготовили несколько более сложные транзисторы с верхним затвором, изолирующий слой которого был выполнен уже не из SiO2, а из диоксида циркония. Эксперименты показали, что предварительное термическое окисление арсенида индия, формирующее нанометровый слой InAsOх, значительно улучшает свойства перехода между полупроводником и диэлектриком и повышает характеристики готовых устройств. В будущем исследователи планируют провести эксперименты с другими составными полупроводниками и попробуют увеличить размеры используемых кремниевых подложек, постепенно подготавливая технологию к практической реализации
2. МОП-транзисторы с двойным затвором; вертикальные МОП-транзисторы; арсенид-галлиевые транзисторы
3. МОП-транзисторы со встроенным каналом, с двойным затвором, вертикальные транзисторы
МОП-структура (металл — оксид — полупроводник) — наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем диоксида кремния (SiO2). В общем случае структуру называют МДП (металл — диэлектрик — полупроводник).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.
Тип канала
Наиболее распространены транзисторы с индуцированным каналом (англ. enhancement mode transistor): у них канал закрыт при нулевом напряжении исток-затвор. Именно их имеют в виду, когда не упоминают тип канала.
Гораздо реже встречаются транзисторы со встроенным каналом (англ. depletion mode transistor): у них канал открыт при нулевом напряжении исток-затвор.
Тип проводимости
Существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Тип проводимости определяется типом носителя заряда в канале: электрон либо «дырка».
Если транзистор n-канальный:
он открывается положительным напряжением на затворе по отношению к истоку.
паразитный диод в структуре канала катодом подсоединен к стоку, анодом — к истоку.
канал обычно подсоединяют так, что на стоке более положительное напряжение, чем на истоке.
Если транзистор p-канальный:
он открывается отрицательным напряжением на затворе по отношению к истоку.
паразитный диод в структуре канала анодом подсоединен к стоку, катодом — к истоку.
канал обычно подсоединяют так, что на стоке более отрицательное напряжение, чем на истоке.
В дальнейшем были разработаны структуры запоминающих полевых транзисторов с двойным затвором. Встроенный в диэлектрик затвор используется для хранения заряда, определяющего состояние прибора, а внешний (обычный) затвор, управляемый разнополярными импульсами для ввода или удаления заряда на встроенном (внутреннем) затворе. Так появились ячейки, а затем и микросхемы флэш-памяти, получившие в наши дни большую популярность и составившие заметную конкуренцию жестким дискам в компьютерах.
Силовые МОП-транзисторы имеют вертикальную структуру
Электрод стока расположен внизу, а не в одной плоскости с истоком, как у
маломощных МОП-транзисторов. Прибор содержит слаболегированную −
n -область, обеспечивающую высокое напряжение между стоком и истоком.
Если напряжение затвор-исток превышает пороговое напряжение U0 ,
под слоем диэлектрика в p-областях возникает горизонтальный проводящий
канал. Его длина равна L .
Поток электронов через образовавшийся канал и −n - слой попадает в область стока.
Длина канала L в МОП-транзисторе такой конструкции составляет 1-2
мкм. В то же время напряжение пробоя между стоком и истоком может
достигать сотен вольт, а ток истока – десятков ампер. Это объясняется тем,
что область объемного заряда расположена главным образом в
слаболегированной области стока и не влияет на канал. Максимальное
напряжение сток-исток зависит от степени легирования −
n - слоя и его толщины.
Арсенид-галлиевые малошумящие полевые транзисторы с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости 3П397А-2, 3П397А-5 (АЕЯР.432140.498 ТУ).
Предназначены для применения в качестве элементной базы приёмных СВЧ модулей с общей герметизацией.
¾ диапазон частот: 0,1 ÷ 8 ГГц
¾ коэффициент шума: не более 0,3 дБ
¾ коэффициент усиления по мощности: не менее 15 дБ
¾ линейная выходная мощность: не менее 30 мВт
¾ ширина затвора: 600 мкм
МДП-транзисторы со встроенным каналом
связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности .
Статические характеристики передачи выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.