- •Глава I
- •§ 1.1. Основные понятия квантовой электроники
- •§ 1.2. История квантовой электроники
- •Глава 2
- •§2.(. Амплитуда и вероятность перехода
- •§ 2.2, Переходы в монохроматическом поле
- •§ 2.3. Сечение и коэффициент поглощения
- •§ 2.4. Вынужденные переходы в случайном поле
- •§ 2.5. Поле в качестве термостата
- •2 Д. Н. Клышко
- •Глава 3
- •§3.1. Определение и свойства матрицы плотности
- •§ 3.2. Населенности уровней
- •§3.3. Эволюция матрицы плотности
- •Глава 4
- •§4.1. Определение и общие свойства восприимчивости
- •§ 4.2. Теория дисперсии
- •§4.3. Двухуровневая модель и эффект насыщения
- •§4.4°. Уравнения Блоха
- •Глава 5
- •§5.1, Вынужденные нестационарные эффекты
- •§ 5,3, Коллективное излучение
- •2T„ (нижний рисунок)
- •§ 6.1. Нелинейные восприимчивости — определения и общие свойства
- •§6.2. Модели оптического энгармонизма
- •§ 6.3. Макроскопическая нелинейная оптика
- •§ 6,4. Непараметрические взаимодействия
- •§ 6.5. Параметрические взаимодействия
- •Va? д. Н. Клышко
- •71 Д н Клышко
- •Глава 7
- •§7.1. Закон Кирхгофа для квантовых усилителей
- •§ 7.2. Основные понятия статистической оптики
- •§ 7.3. Гамнльтонова форма уравнений Максвелла
- •§ 7.4. Квантование поля
- •§ 7.5Ь. Возможные состояния поля и их свойства
- •0Онным11.
- •§ 7,6°. Статистика фотонов и фотоэлектронов
- •Уважаемые читатели!
§4.3. Двухуровневая модель и эффект насыщения
Найденная выше восприимчивость % определяет отклик вещества на переменное поле лишь в первом приближении теории возмущения. При этом не учитывается эффект насыщения населенностей и другие нелинейные по полю явления. Нелинейные эффекты наиболее сильно проявляются в резонансных условиях — когда частоты поля близки к собственным частотам вещества.
Область применения модели. В настоящем разделе будет рассмотрена модель двухуровневой системы, которая широко используется в квантовой электронике и спектроскопии. Эта модель основана на предположении, что поле квазимонохроматично и имеется резонанс <й'~соа1=ю<) лишь для одной пары невырожденных уровней молекулы. Характерный пример такой ситуации встречается в магнитном резонансе — ядерном (ЯМР) или электронном (ЭПР), Если молекула имеет один неспаренный электрон или спин ядра /=1/2, то при наложении постоянного магнитного поля Ял все уровни расщепляются на два зее-мановских подуровня с частотой перехода щ~уНц, где у — гиромагнитное отношение. Обычно ш„ лежит в радиодиапазоне и резко отличается от других частот молекулы.
Как правило, однако, гамильтониан в отсутствие постоянного магнитного поля инвариантен по отношению к некоторым операциям симметрии, например к вращениям, н поэтому все энергетические уровни вырождены. Тем не менее и в этом случае двухуровневая модель дает качественно правильное описание.
Следует отметить, что встречаются ситуации, когда двухуровневое приближение вообще неприменимо — например, в случае ЯМР при £>1/2 или для описания переходов между колебательными уровнями Молекул со слабым энгармонизмом. В последнем случае молекула ведет себя как осциллятор с почти эквидистантным набором уровней, так что резонанс имеет место одновременно для многих пар Уровней.
Кинетические уравнения. Двухуровневая система описывается Уравнениями для матрицы плотности (3.3.6) при т, я = 1,2с феноменологическими временами релаксации штч и уг1 = 1/Г8 (см. (3.3.10)).
Пусть 5^нп = 0, тогда
Pii=-(i«0+l/7,,)p„ —»(Рп—РЯ)ПА
Рп = а»иРм—wsiPh +' {^иРи—Pii^ii)/*- (4.3.2)
В случае двух уровней р, i И-pS2 = 1 > так что ри = — ри. Введем обозначения
Ри—Рм — д. шн + ю,!^ (4.3.3)
При выключенном возмущении (уэ=0) населенности должны принимать равновесные значения pjj)}, поэтому скорости релаксации aij, и а»а1 связаны условием (3.3.19), из которого следует
(и>и—ю11)/(ш„ + ш1М) = Д<« (4.3.4)
Уравнение (2) при учете (3) и (4) принимает вид
A = (A»>-A)/7'I + 4Im(pllyjJ/A. (4.3.5)
Пусть поле квазнмонохроматично и имеет среднюю частоту to > 0, близкую к о>0:
£(0Н1/2)Е,{О«Р(— +к. с, (4.3.6)
где £„(£)— медленно меняющаяся амплитуда поля. Тогда в диполь-ном и резонансном приближениях в (1) можно полагать
Уи» — (1/2)(0ехр(—1й>0= — (1/2)&qехр (— нй*-Иф).(4.3.7)
Здесь опущено нерезонансное отрицательно-частотное слагаемое, про- порциональное еш'), введены частота Раби Q = |tfa[ и фаза взаимодействия <р(г)- В случае линейной поляризации поля и веще- ственных волновых функций <р является просто фазой волны. Опре- делим также медленно меняющуюся «огибающую» недиагонального элемента матрицы плотности:
p2I(0 = Po(Oexp(-icoO- (4-3.8)
В результате кинетические уравнения для двухуровневой системы принимают вид
р„ = [i (а>— <о0)— 1 /Тй] р„ + *ЙДе*/2, Л = (Д'0» — АуТ,—2Q 1ш (рое"'*).
(4.3.9) (4.3.10)
*)
Мы пренебрегаем также высшими гармониками
матрицы плотности, осциллирующими
с частотами па
и
имеющими порядок (Q/ю)4,
Эффект насыщения. Рассмотрим далее установившийся отклик двухуровневой системы в случае монохроматического поля, когда Я, р0 Ф и Д постоянны. Из (9) при этом следует (ср. (4.2.17))
Подстановка этого выражения в (10) позволяет определить стационарную разность населенностей:
Д = Д«'/(1+2Г1№'), (4.3.12)
где
т— qa?v2
(4.3.13)
Эти формулы описывают эффект насыщения — уменьшение разности населенностей под действием сильного резонансного поля. Отметим, что (13) совпадает со скоростью перехода, найденной в §2.2 для случая лоренцевой формы линии с ненасыщенной шириной Д<м0= =2/7%. Второе слагаемое в знаменателе (12) называется фактором насыщения:
s=21Pri=2W/(ayla+ie(21). (4.3.14)
Из (14) ясно, что эффект насыщения определяется конкуренцией скоростей переходов под действием шумового поля термостата +ffii8i)/2 и монохроматического внешнего поля W.
Эффект насыщения согласно (13) наиболее сильно проявляется при точном резонансе, когда фактор насыщения принимает максимальное значение:
(4.3.15)
Здесь введены сечение перехода u=WjF, плотность потока фотонов F и плотность потока фотонов FH, вызывающая уменьшение разности населенностей вдвое:
Ряя 1/2о07\ = пс/8пю„ | dg|27\7Y (4.3.16)
Итак, разность населенностей под действием резонансного поля уменьшается по закону
(4.3.17)
"Форма линии при насыщении. Подстановка (12) и (13) в (11) дает значение р„ с учетом эффекта насыщения населенностей. Диполь-ный момент двухуровневой системы равен (полагаем, что молекула
неполярна, d„„sO)
<d(t)> = a!ips,-\-K. с,
(4.3.18)
так что восприимчивость вещества, состоящего из N двух^ роеневых молекул, принимает вид (ср. (4.2.18))
Хае №.) = Nd^d^Mh К- со _f/Ta) -
(ao—fflj'+d-f-sjj/ra
Напомним, что здесь частоты со и <й„ положительны, значения у_ для <в<0 определяются формулой (19) при замене о>, i на — м, —/. Отметим, что из (19) при su# О следует, что восприимчивость x(w, £„), рассматриваемая как функция комплексного переменного еа = ш' + 'ю'', имеет полюсы как в верхней, так и в нижней полуплоскостях:
ffl=±we±((H-se)1'v7,v
В результате функция х(й> -Ео) не удовлетворяет соотношениям Крамерса —Кронига (4.1.8) при е0фо.
Найдем с помощью (19) и (4.1.II) поглощаемую или при < О излучаемую мощность:
(4.3.20)
где Wffs= | ■ jBT4/2—скорость вынужденного перехода при
¥
о
-5
увеличивается в V~l+sa раз (рис. 4.6):
Д(й1
W\+s0lT9. (4.3.21)
Этот эффект называется уши-рением излучением ил и полевым уширениел.
Пусть s. > 1 + К — «)гП (сильное насыщение), тогда из (20) следует
(4.3. 22)
Таким образом, при сильном насыщении поглощаемая веществом мощность перестает зависеть от интенсивности и частоты поля и определяется лишь скоростью передачи энергии от молекул термостату. Действительная часть восприимчивости при сильном насыщении со* гласно (19) линейно зависит от частоты:
Х'~К—«0/я,- (4 3.23)
Сделаем
численную оценку. Пусть интенсивность
волны / = 1 Вт/сма
и
'А=
1
мкм;
при этом йсо = 2-10-12
эрг, F
= 5 I01S
фотон/(с-см2)
и 5в=/8я//с
= 0,1
Гс
= 30 В/см. Если dM=l
Дт
то Q=108c"1,
так что s0=l
при Г1
= Т2=Ю^а
с. Скорость перехода № = 5.107
с^1
и. если Д<0,#=1019
см-3
(примесный кристалл или газ при
атмосферном давлении), то из (20)
следует 5* = 50 МВт/см3.
Эта оценка показывает, что в оптическом
диапазоне эффект насыщения
сопровождается очень сильным нагревом
вещества. С другой стороны, при электронном
парамагнитном резонансе в диапазоне
Х=1
см
и при T^IQ-*
с
из
(22) следует 5> = = 0,1 Вт/см3,
так что возможен стационарный режим
насыщения, что и используется в
парамагнитных усилителях.
Эффект насыщения имеет большое значение в квантовой электронике. Он используется для инверсии населенностей с помощью вспомогательного излучения (накачки) в лазерах на примесных конденсированных веществах и в парамагнитных усилителях, а также для получения коротких мощных импульсов света методами модуляции добротности и синхронизации мод. Эффект насыщения стабилизирует амплитуду квантовых генераторов и ограничивает сверху динамический диапазон квантовых усилителей.
В случае неоднородного уширения, например из-за эффекта Доплера, насыщается не вся линия, а лишь ее часть с шириной порядка столкновительной или естественной ширины. Этот эффект, приводящий к провалу Беннета в распределении молекул по скоростям (рис. 4.7), используют для стабилизации частоты лазеров и в методе спектроскопии насыщения (§ 6.4).
