Контрольні питання

1. Яка роль джерела струму в електричному колі?

а) створення і підтримування на його кінцях різниці потенціалів (напруги) для отримання електричного струму у провіднику;

б) створення і підтримування на його кінцях різниці потенціалів (напруги) для отримання опору у провіднику;

в) немає правильної відповіді.

2. При замиканні електричного кола запасена в джерелі струму енергія витрачається …

а) на роботу по переміщенню зарядів у зовнішній частині кола з опором R;

б) на роботу по переміщенню зарядів у зовнішній і внут­рішній частинах кола з опорами відповідно R і r;

в) на роботу по переміщенню зарядів в внут­рішній частині кола з опором r..

3. Яка схема використовується для вимірювання ЕРС та внутрішнього опору джерела струму?

а) Рис. 1; б) Рис. 2; в) немає правильної схеми.

Рис. 1 Рис. 2

4. Що вимірює вольтметр, приєднаний до джерела при вимкненому ключі?

а) ЕРС та падіння напруги на опорі вольтметра;

б) ЕРС та падіння напруги у зовнішньому колі;

в) немає правильної відповіді.

5. Як змінюються спад напруги на зовнішній ділянці кола U та спад напруги всередині джерела U_V, якщо збільшується зовнішній опір?

а) U зменшується , U_V збільшується;

б) U збільшується , U_V зменшується;

в) U та U_V не змінюються.

Лабораторна робота № 9 Тема. Дослідження властивостей напівпровідників

Мета: дослідити залежності сил прямого й зворотного струмів діода від докладених до нього напруг і побудувати графіки цих залежностей.

Обладнання: джерело електричної енергії (2 шт.), міліамперметр постійного струму, вольтметр постійного струму, мікроамперметр на 100—200 мА, діод Д7Ж або Д2 на колодці, реостат повзунковий, ключ, з´єднувальні дроти, потенціометр.

Теоретичні відомості

Напівпровідники характеризуються відмінною від провід­ників провідністю: власною, дірковою (р-типу) і електрон­ною (n-типу).

Якщо в монокристал напівпровідника (наприклад, германію), що має провідність n-типу, впаяти краплю напівпровідника (наприклад, індію) з провідністю р-типу, то в області, контакту напівпровідників, утворюється запірний шар (р-n-перехід; див. мал. 1), який добре проводить струм в одному напрямі (прямому від р до n) і практично не про­водить струм в іншому напрямі (зворотному). Це властивість використовується в напівпровідниковій техніці.

Р оботу виконують з напівпровідниковим діодом Д7Ж. Основна частина діода - це монокристалічна пластинка германію 1 з наплавленим індієм 2, яка знаходиться в металевому корпусі, що захищає кристал від зовнішнього впливу (див. мал. 1). До германія та Індія приєднані виводи (3, 4), ізольовані від корпуса. Виводи діода підведені на панелі до двох затискачів, позначених знаками "+" і "−".

На межі областей германій-індій утворюється електронно-дірковий (n-р) перехід, що має однобічну провідність для електричного струму.

Струм, утворений рухом основних носіїв заряду та спрямований від діркового напівпровідника до електронного, називається прямим струмом діода, а струм, спрямований від електронного напівпровідника до діркового,- зворотним струмом діода.

У залежності від напрямку струму у діоді докладена до нього напруга, а також опір діода називають прямими або зворотними.