- •1.Жидкокристаллические индикаторы и проектирование на их основе систем отображения информации
 - •1.2. Способы снижения времени выключения жки
 - •1.4. Проектирование систем управления многоразрядными жки
 - •1.4.1. Проектирование систем управления, реализующих статический режим работы многоразрядных жки
 - •1.4.2. Проектирование систем управления, реализующих динамические режимы работы многоразрядных жки
 - •2.Вакуумно-люминесцентные индикаторы и проектирование на их основе систем отображения информации
 - •2.1. Вли: конструкция, разновидности конструктивного исполнения и
 - •2.2. Проектирование систем управления многоразрядными вли
 - •2.2.1. Проектирование систем управления, реализующих статический режим
 - •2.2.2. Проектирование систем управления, реализующих динамические режимы работы многоразрядных вли
 - •2.3. Методика проектирования систем управления для сои, реализуемых
 - •3.Проектирование устройств ручного ввода
 - •3.1. Проектирование урвд с однокоординатной- линейной адресацией клавиш
 - •3.2. Проектирование урвд с двухкоординатной адресацией клавиш
 - •4. Проектирование микропроцессорных систем
 - •4.1. Развитие возможностей сои на основе микропроцессоров
 - •4.2.Проектирование микропроцессорных систем управления
 - •4.3. Пример проектирования микропроцессорной системы управления дискретным индикатором (на примере светофора)
 - •5.Матричные индикаторы и проектирование на их
 - •5.1.Газоразрядные индикаторные панели
 - •5.1.2.Гип с самосканированием (гипс)
 - •5.2. Способы управления матричными индикаторами и их реализация
 - •5.2.1. Способы адресации ячеек матричных индикаторов
 - •5.2.1.3. Способ многоматричной адресации
 - •5.2.1.4.Способ адресация со сканированием
 - •5.2.2. Способы модуляции яркости свечения ячеек матричных индикаторов
 - •5.3. Проектирование систем управления газоразрядными индикаторными панелями
 - •5.3.1. Проектирование системы управления гип постоянного тока с внешней адресацией
 - •5.3.2. Проектирование системы управления гип с самосканированием
 - •5.3.3. Проектирование системы управления гип переменного тока
 - •6.Светодиодные экраны и проектирование на их основе систем отображения информации
 - •6.2. Пиксель и его характеристики
 - •6.3. Светодиодный модуль и его характеристики
 - •6.4. Светодиодный экран, особенности его конструкции и характеристики
 - •6.5. Проектирование систем управления пикселем, модулем и сдэ
 - •6.5.1. Проектирование системы управления пикселем сдэ
 - •6.5.2. Проектирование системы управления модулем сдэ
 - •6.5.3. Проектирование системы управления сдэ
 - •4.Конопольченко а., Кривандин с. Управление яркостью свечения светодиодов с помощью модульных dc/dc-драйверов//Новости электроники, №15, 2009, с.25-28.
 - •5. Rich Rosen. Способы управления яркостью свечения светодиодов с помощью импульсных драйверов. Перевод // Электронный журнал "РадиоЛоцман", №11, 2011.
 
5.1.2.Гип с самосканированием (гипс)
Другими недостатками ГИПП являются: сложность управления, а также отсутствие равномерной по индикаторному полю предварительной ионизации газа. Эти недостатки отсутствуют в ГИП с самосканированием.
Конструкция ГИПС показана на рис.5.5. Сканирующая часть содержит аноды сканирования, изготавливаемые из тонкой проволоки, катодную систему электродов, общую для всех анодов сканирования. Катодная система изготавливается из тонких металлических полосок, расположенных перпендикулярно анодам сканирования, объединенных в катодные группы с помощью разводящих шин и одного нулевого катода. В точках скрещения анодов индикации и катодов имеются отверстия. Таким образом, сканирующая часть ГИПС представляет собой совокупность декатронов с линейным расположением электродов.
.
Рис.5.5.Элементы конструкции ГИПС
Для подключения ГИПС к электрической схеме от сканирующей части отводятся три вывода групп катодов К1 -К4, один вывод от К0 и один вывод от анодов сканирования, объединенных через резисторы.
Индикаторная часть ГИПС содержит аноды индикации, также изготовленные из тонкой проволоки, и диэлектрическую пластину с отверстиями. Аноды индикации проходят вдоль оси расположения отверстий в катодах и диэлектрической пластине
Принцип работы панели для простоты покажем на примере функционирования одной строки, показанной на рис.5.6. Анод сканирования (АС) через Rас подключен к источнику Еас, напряжение которого превышает U3 для ячеек сканирования. Катоды ГИПС подключены к коллекторам транзисторов VI—V4, напряжение питания которых Ек. Резистор в коллекторной цепи должен обеспечивать допустимый ток транзистора и необходимый ток подготовительного разряда. Анод индикации (АИ) подключается к коллектору V5, смещенному с помощью стабилитрона (С), либо дополнительного источника напряжения. Резистор в коллекторной цепи Rаи выбирается исходя из режима работы индикаторной ячейки.
При открытом ключе V1 и закрытых V2 — V4 на К0 зажигается разряд. Зажигания разряда между анодом сканирования и другими катодами не произойдет, поскольку разность потенциалов между ними на Ек меньше. Кроме того, для уменьшения Uз нулевой катод выполнен со специальным штырем, уменьшающим расстояние между анодом сканирования и К0 . После зажигания разряда через нулевую ячейку протекает ток, создающий область ионизации вблизи ячейки сканирования, подключенной к первому катоду К1.
По окончании импульса сброса приходит первый импульс, открывающий транзистор V2. Транзистор V1 закрывается и разряд на К0 гаснет. Разность потенциалов между катодами первой группы (К1, K4, К7 и т.д.) и анодом сканирования АС достаточна для зажигания разряда. Однако, поскольку вблизи К1 область повышенной ионизации, подготовленная разрядом на К0, то произойдет разряд на К1, напряжение упадет до Uп и другие ячейки этой катодной группы не возбуждаются.
Рис.5.6.Схема электрического включения ГИПС
С приходом второго импульса VT3 открывается, a VT2 запирается. Разряд переходит на К2, расположенный вблизи К1 и, наконец, с приходом импульса на V4, разряд переходит на К3. В дальнейшем цикл подачи импульсов на V2 — V4 повторяется, но вспомогательный разряд будет перемешаться по ячейкам К4 — К6 и т. д.
Таким образом, при соединении большого числа катодов в группы и подаче на соответствующие шины тактирующих импульсов, следующих друг за другом, происходит направленное перемещение вспомогательного разряда вдоль строки, что напоминает развертку по одной строке в ТВ-индикаторе.
Поскольку отверстия в катодах малы, свечение сканирующего разряда не видно на лицевой панели индикатора. Для формирования изображения синхронно с разверткой сканирующего разряда подаются импульсы на аноды индикации. В схеме на рис.5.6 запирается V5 и на анод индикации подается напряжение, достаточное для пробоя основного газоразрядного промежутка между анодом индикации и катодом. Поскольку соответствующая ячейка строки подготовлена к зажиганию наличием вспомогательного разряда, то разряд как бы вытягивается на переднюю панель индикаторного устройства через отверстие в катоде и диэлектрической пластине. Для устойчивой работы импульс индикации должен иметь амплитуду, обеспечивающую зажигание в ячейке, подготовленной вспомогательным разрядом, и не зажигаться в других ячейках строки:
Uв> U3 (подготовленной ячейки);
Uв< U3 (неподготовленной ячейки).
Вывод информации на панель ГИПС, как следует из принципа его работы, производится по столбцам. Для получения немигающего изображения необходима регенерация с частотой выше fкчм. Следовательно, Вcр и tв будут зависеть от числа столбцов панели, т. е.:
,
,
и информационная емкость ГИПС ограничена допустимыми параметрами Вср и tв, обеспечивающими, соответственно, необходимый контраст изображения и устойчивое зажигание ячеек. Основные параметры ГИПС отечественного производства и производства фирмы BURROUGHS (США) представлены в табл.5.3 [1,2].
Таблица 5.3
Тип индикатора  | 
		Число ячеек  | 
		Размер ячейки, мм  | 
		Яркость, кд/м2  | 
		Угол обзора  | 
		Uскан, В  | 
		Uиндик, В  | 
		I, мА  | 
		Контраст  | 
	
ГИПС 16×1  | 
		111×7 (16×1)  | 
		1  | 
		140  | 
		90о  | 
		250  | 
		150  | 
		1,4  | 
		50  | 
	
ИГИПС1 222×7  | 
		222×7 (32×1)  | 
		0,6  | 
		140  | 
		90о  | 
		250  | 
		150  | 
		2  | 
		50  | 
	
S110120- 0039 (США)  | 
		280×7 (40×1)  | 
		0,9  | 
		до 200  | 
		150о  | 
		250  | 
		150  | 
		3  | 
		30  | 
	
Главным образом ГИПС используются для воспроизведения буквенно-цифровой информации в виде одной или нескольких текстовых строк.
5.1.3. ГИП переменного тока
Отличительными признаками панелей переменного тока являются:
наличие систем электродов, изолированных от плазмы разряда слоем диэлектрика;
наличие режима внутренней памяти;
использование импульсного переменного напряжения под держания разряда средней или высокой частоты.
Режим памяти является важнейшей особенностью ГИП переменного тока, поскольку в этом режиме отсутствует зависимость средней яркости свечения от информационной емкости панели. Кроме того, если скорость поступления информации меньше скорости записи ее на панели, схема управления не требует буферной памяти.
Конструктивно панели переменного тока можно разделить на две группы:
— с механически изолированными электродами;
— с механически неизолированными электродами.
Базовая конструкция ГИП переменного тока с механическим разделением системы электродов представлена на рис.5.7.
Рис.5.7. Элементы конструкции ГИП переменного тока
Панель содержит стеклянные пластины (1,6), на внутреннюю поверхность которых нанесены системы перпендикулярно расположенных металлических электродов (5), изолированных диэлектриком (7) со стабилизирующим покрытием (4). Для ограничения области разряда и механического разделения электродов между ними помещена диэлектрическая матрица (2) с отверстиями (3). Диэлектрическое покрытие электродов создает в каждой ячейке ГИП структуру, подобную емкости, и через ячейку может протекать только переменный ток. Стабилизирующее покрытие предназначено для снижения напряжения возникновения разряда Uз, напряжения поддержания Uп и стабилизации этих параметров при эксплуатации. Разработаны конструкции цветных ГИП переменного тока, в которых в зоне разряда или вблизи ее наносится слой люминофора [2].
Принцип действия ГИП переменного тока в режиме памяти поясняется диаграммами на рис.5.8.
Рис.5.8. Диаграммы импульсов: напряжений управления и тока в ячейке
На все электроды одновременно подается знакопеременное напряжение смещения Uсм, амплитуда которого недостаточна для зажигания газоразрядного промежутка, но достаточна для поддержания возбужденного состояния ячейки индикации. Запись информации осуществляется путем подачи на электроды (вертикальный и горизонтальный) выбранной ячейки импульсов записи, суммарная амплитуда которых превышает напряжение зажигания разряда (Uзап>Uз). При пробое газоразрядного промежутка протекает импульс тока, заряжающий емкость ячейки до напряжения Uc1. После этого газоразрядный промежуток возвращается к непроводящему состоянию, благодаря чему напряжение на емкости сохраняется до следующего импульса поддерживающего напряжения. При приходе отрицательного импульса Uсм внутреннее поле складывается с внешним (Uc1 + Uсм), что дает возможность повторного пробоя газового промежутка. Ток будет протекать в обратном направлении, перезаряжая емкость индикаторной ячейки до противоположной полярности. При этом изменение напряжения на емкости будет ΔUс. Далее процессы повторяются через каждые полпериода поддерживающего напряжения.
Для стирания информации подается импульс стирания (Uстир) полярность и амплитуда которого достаточны для пробоя газоразрядного промежутка и компенсации заряда на диэлектрике, но не обеспечивают перезаряд ячейки. После импульса стирания напряжение на емкости ячейки становится равным нулю и напряжение Uсм уже не обеспечивает повторного зажигания разряда.
Оптимальная частота поддерживающего напряжения лежит в диапазоне 40-50кГц. Выбор Uсм, Uзап и Uсmиp производится по перезарядной и динамической характеристикам ГИП переменного тока [1], представленных на рис.5.9а,б соответственно. Перезарядная характеристика позволяет определить изменение напряжения на емкостях ячеек ГИП в результате протекания импульса разрядного тока:
.
Стационарный режим перезаряда емкости ячейки соответствует условию:
.
Это уравнение соответствует прямой линии, тангенс угла наклона которой в осях (ΔUс, U) равен 2. При известном Uсм, прямая пересекает перезарядную характеристику в точках α, β, γ. Как видно из рис.5.9а, при Uсм<Uсм.min устойчивая разрядная серия не может существовать независимо от начального импульса записи. При Uсм>Uсм.max разрядная серия существует независимо от наличия напряжения Uc, т. е. ячейка становится неуправляемой. Управляемый режим работы ГИП переменного тока соответствует прямой, проходящей через точки α, γ, β при поддерживающем напряжении Uсм. Для записи информации в ячейку необходимо подать импульс Uзап ≥ Uзап.min, создающий на емкости ячейки напряжение больше Uc.miт. Рабочая точка тогда перейдет из α в устойчивое состояние β, соответствующее режиму «памяти».
Для стирания ячейки подается импульс, уменьшающий Uc таким образом, чтобы Uc + Uсм<Uзап.min , тогда рабочая точка перейдет в область левее а и, в результате переходного процесса, разряд прекратится (ΔUс = 0 точка γ).
        Рис.
5.9. Перезарядная и динамическая
характеристики ГИП         
По перезарядной характеристике можно построить динамическую характеристику панели, на которой ограничены области устойчивой работы и по которой удобно выбирать Uзап и Uстир. Основные конструктивные и электрические параметры отечественных и зарубежных индикаторов ГИП переменного тока приведены в табл.5.4 [2].
Таблица 5.4
Тип индикатора  | 
		Число ячеек  | 
		Размер ячейки, мм  | 
		Цвет свечения  | 
		Яркость, кд/м2  | 
		Угол обзора  | 
		Есм, В  | 
		Uзап 
  | 
		Uстир 
  | 
	
ГИПП 6384 
  | 
		128×128 
  | 
		0,5  | 
		оранж.-красный  | 
		100  | 
		120о  | 
		100  | 
		80  | 
		50  | 
	
ИГПВ1 512×512  | 
		512×512 
  | 
		0,5  | 
		оранж.-красный  | 
		100  | 
		120о  | 
		100  | 
		80  | 
		50  | 
	
FPG9HRUD (Fujitsu, Япония)  | 
		512×512 
  | 
		0,42  | 
		
  | 
		
  | 
		
  | 
		
  | 
		
  | 
		
  | 
	
