Особенностью эпитаксии является невысокая скорость роста пленки (обычно менее 1000 нм в час).

Эпитаксия из жидкой фазы является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского)

Готовится шихта из вещества наращиваемого слоя, легирующей примеси (может быть подана и в виде газа) и металла-растворителя, имеющего низкую температуру плавления и хорошо растворяющий материал подложки (Ga, Sn, Pb). Процесс проводят в атмосфере азота и водорода (для восстановления оксидных плёнок на поверхности подложек и расплава) или в вакууме(предварительно восстановив оксидные плёнки). Расплав наносится на поверхность подложки, частично растворяя её и удаляя загрязнения и дефекты. После выдержки при максимальной температуре ≈1000С начинается медленное охлаждение. Расплав из насыщенного состояния переходит в пересыщенное и избытки полупроводника осаждаются на подложку, играющую роль затравки.

Следует отметить, что в современной полупроводниковой промышленности данный метод уже давно не используется, ввиду сложности контроля параметров получаемых пленок (толщина, однородность толщины, значение стехиометрического коэффициента), их относительно низкого качества, малой производительности метода. Вместо него используется газофазная эпитаксия,

Газофа́зная эпитаксия — получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро-газовой фазы.

Процесс проводится при атмосферном или пониженном давлении в специальных реакторах вертикального или горизонтального типа. Реакция идёт на поверхности подложек (полупроводниковых пластин), нагретых до 400—1200 °C (в зависимости от способа осаждения, скорости процесса и давления в реакторе). 

11) Диэлектрики - вещества, плохо проводящие электрический ток

Их удельное электрическое сопротивление  ρ > 10⁸ Ом·м

ширина запрещенной зоны Е>3 эВ

Электроны под действием обычных (не слишком сильных») электрических полей не могут преодолеть такую ширину запрещенной зоны Действие электрического поля сводится к перераспределению электронной плотности, что приводит к поляризации диэлектрика В результате в однородном электрическом поле в диэлектрике создается внутреннее электрическое поле. направленное противоположно внешнему и ослабляющее, но не компенсирующее его.

Величина, характеризующая степень ослабления напряженности внешнего приложенного поля внутренним полем диэлектрика. называется диэлектрической проницаемостью е:

где Е - напряженность внешнего и внутреннего электрического полей; Со - емкость конденсатора с данным диэлектриком; Со - емкость того же конденсатора в вакууме.

Электропроводность диэлектрика хоть и мала, но отлична от нуля При этом, электронная проводимость в обычных условиях мала по сравнению с ионной Ионная проводимость обусловлена перемещением собственных и примесных ионов. Возможность перемещения ионов связана с наличием структурных дефектов. Если в диэлектрике есть вакансии, то под действием поля соседний ион может занять ее, а во вновь образовавшуюся вакансию может перейти следующий ион и т.д. С ростом температуры ионная проводимость возрастает. Заметный вклад в электропроводность диэлектрика может внести поверхностная проводимость. Повышение влажности вызывает падение сопротивления диэлектрика, поскольку увеличивается поверхностная проводимость.

Находясь в электрическом поле, диэлектрик может потерять свойства изоляционного материала, если напряженность поля превысит некоторое критическое значение. Явление образования проводящего канала в диэлектрике под действием электрического поля называется пробоем

При пробое почти весь ток течет по узкому каналу

Минимальное приложенное к диэлектрику напряжение, приводящее к пробою, называется пробивным напряжением Unc

Величина его в первую очередь зависит от толщины диэлектрика. Поэтому за величину характеризующую электрическую прочность диэлектрика, принимают отношение пробивного напряжения к толщине диэлектрика:

Еnр= Uop/d

_ это электрическая прочность диэлектрика, которая характеризует напряженность электрического поля, соответствующую пробою диэлектрика

Важнейшей характеристикой диэлектриков является диэлектрические потери под которыми подразумевают электрическую мощность, затрачиваемую на нагрев диэлектрика, находящегося в электрическом поле

В формулу для рассеиваемой диэлектрической мощности входит тангенс угла диэлектрических потерь

Наиболее часто пользуются именно этой характеристикой

Угол диэлектрических потерь определяется сдвигом фаз между током и напряжением в емкостной цепи

Тангенс угла диэлектрических потерь определяется только свойствами материала, а значит, и характеризует свойства диэлектрического материала.