Полупроводники (53)

1. Функциональная характеристика переменного резистора – это

• зависимость сопротивления от положения подвижной части;

2. Ротор и статор – это составные части

• электрической машины или переменного конденсатора, резистора или катушки индуктивности.

3. Для полупроводников характерна следующая ширина запрещенной зоны:

• 0.1 .. 3 эВ

4. Простыми полупроводниками являются:

• кремний, германий, селен, теллур

6. Основной трудностью в изготовлении полупроводниковых приборов является

• требование высокой степени чистоты;

7. Работоспособность полупроводниковых приборов необратимо нарушается:

• при радиационном и корпускулярном воздействии;

8. Основными физическими эффектами в полупроводниках являются эффекты:

• усиления, выпрямления, фото-и термоэффект, эффект Холла;

9. Эффект Холла наблюдается в:

• полупроводниках;

10. Эффект усиления применяется в

• транзисторах.

11. С помощью датчика Холла нельзя измерить:

• удельную термоЭДС;

12. Эффект Ганна – это:

• возникновение ВЧ-колебаний в ПП под действием сильного электрического поля.

13. Освещенность с помощью ПП фотодатчика сложно точно измерить, так как:

• сопротивление полупроводника зависит и от проводимости, и от температуры;

14. Солнечные источники энергии (батареи, электростанции)

• превращают энергию света в электрическую;

• превращают тепловую энергию в электрическую;

15. Эффект магнитосопротивления применяется:

• в магнитных дисках;

16. Эффект Пельтье применяется:

• в термоэлектрических холодильниках;

17.Ктермоэлектрическим эффектам в полупроводниках относятся:

• эффекты Зеебека-Пельтье и Пельтье;

18. Наиболее эффективная технология очистки твердого полупроводника – это

• метод безтигельной зонной плавки;

19. Первым хим. Эл-том, используемым в полупроводниковых выпрямителях, был

• селен;

20. Наибольшие запасы полупроводников в природе –

• кремний;

21. Максимальную рабочую температуру имеют полупроводниковые приборы из

• карбида кремния;

22. Максимальная рабочая температура кремниевой ИМС (на кристалле):

• 150С;

23. Предельные температуры корпуса полупроодниковых приборов

• кремниевых - 120С, германиевых - 70С;

24. Фото-, терморезисторы и ограничитель напряжения изготавливают из

• полупроводников;

25. Органические полупроводники применяют для изготовления:

• фоторезисторов и терморезисторов;

26. Эффекты переключения и памяти открыты в

• аморфных полупроводниках;

27. Верхний предел работоспособности ПП приборов определяется:

• шириной запрещенной зоны;

28. Электроны в n – полупроводнике являются:

• основными носителями заряда;

29. Электрический ток, причиной которого явилось внешнее электрическое поле, называется:

• дрейфовым.

30. Диффузионный ток – ток, возникающий при наличии

• в. разности концентраций носителей;

31. Концентрация носителей заряда в слое полупроводника может измениться вследствие

• в. рекомбинации и генерации носителей;

32. Проводимость полупроводника зависит от

• в. температуры, состава и концентрации примеси, наличия внешних излучений;

33. Рекомбинация сопровождается

а. выделением энергии;

34. Выберите вариант, в котором все перечисленные вещества имеют кристаллическую структуру

в. сталь, графит, алмаз;

35. Кристаллическая решетка кремния имеет следующий тип связей

а. ионная;

36. Валентная энергетическая зона и зона проводимости пересекаются

в. в проводниках;

37.Электроны, участвующие в создании электрического тока, имеют уровни энергии, находящиеся в

б. зоне проводимости;

38. Ширина запрещенной энергетической зоны при уменьшении температуры

а. увеличивается;

39. Концентрации электронов и дырок равны

в. в i – полупроводнике;

40. Примесь для получения n – полупроводника должна быть

в. пятивалентной;

41. С ростом температуры сопротивление полупроводника

б. уменьшается;

42. При температуре абсолютного нуля чистый полупроводник ток не проводит

а. всегда

43. Распределение Ферми – Дирека показывает

в. вероятность;

44. Для больших уровней энергии электрона применяется

б. Распределение Максвелла – Больцмана;

46. Уровень Ферми – это

а. электростатический потенциал;

в. электрохимический потенциал;

47. Уровень Ферми зависим от

в. температуры, типа примеси, концентрации примесных и собственных носителей;