4.3 Аналіз моделі пристрою

Отже розглянемо параметри моделі. ЇЇ зображення представлено на рисунку 4.1.

Рисунок 4.1. Модель підсилювача-коректора.

На рисунку 4.1 видно, що пасивні елементи мають певні параметри. Отже потрібно розглянути параметри мікросхеми, що зображені на рисунках 4.2, 4.3.

Рисунок 4.2. Перший лист із параметрами мікросхеми.

Рисунок 4.3. Другий лист із параметрами мікросхеми.

4.4 Моделювання пристрою

Для підсилювача коректора основною характеристикою є амплітудно-частотна, тому визначимо її за допомогою Electronics Worckbench 5.0c. Також визначимо фазочастотну характеристику. Результати вимірювань приведені на рисунках 4.4, 4.5.

Рисунок 4.4. Результати вимірювань АЧХ підсилювача коректора.

Рисунок 4.5. Результати вимірювань ФЧХ підсилювача коректора.

4.5 Аналіз результатів вимірювань

Як видно з графіка АЧХ, зображеного на рисунку 4.4, коефіцієнт підсилення на частоті 1кГц дорівнює К_{1 кГц} = 27дБ (очікуваний К_{1 кГц} = 29.45 дБ), частоти зрізу: f₁ = 110 Гц (очікувана f₁ = 100 Гц); f₂ = 1400 Гц (очікувана f₁ = 1300 Гц), що допустимо.

Ці похибки визначаються не лише програмою Electronics Worckbench, а й похибкою при виборі елементів зі стандартного ряду після обчислення елементів схеми.

Виходячи з отриманих результатів можна зробити висновок, що схему підсилювача-коректора вибрано вірно.

Висновок

У ході курсового проектування було розроблено два можливих напрямки реалізації підсилювача низької частоти.

Перший варіант – на транзисторах. При використанні сучасних транзисторів підсилювач має непогані параметри, які задовольняють вимогам ТЗ, але недоліком такого варіанту є складність розрахунку підсилювача, габарити і маса.

Другий варіант – на ІМС. Їх використання дозволило значно спростити розрахунок підсилювача та зменшити кількість пасивних компонентів в електричній схемі, що призвело до менших габаритних розмірів та більш високої надійності підсилювача.

Для перевірки проводилося моделювання АЧХ регулятора тембру. Результати моделювання підтвердили правильність розрахунків елементів схеми підсилювача.

Реалізований варіант підсилювача на ІМС задовольняє всім вимогам ТЗ. По деяким параметрам спроектований підсилювач має кращі показники , ніж задані в ТЗ. При реалізації підсилювача на практиці за рахунок розкиду параметрів активних та пасивних компонентів можна очікувати трохи більшого загального коефіцієнта підсилення та трохи менших нелінійних спотворень, так як розрахунок підсилювача проводився для найгірших параметрів елементів.

Література

1. Гершунский Б.С. Расчет основних электронних и полупроводникових схем в примерах. – Издательство Киевского университета, 1986.

2. Варшавер Б.А. Расчет и проектирование импульсних усилителей. – Москва: “Высшая школа”, 1975.

3. Шкрытек П.В. Справочное руководство по звуковой схемотехнике. – Москва: “Мир”, 1991.

4. Терещук Р.М. , Терещук К.М., Седов С.А. Справочник радиолюбителя. – Киев: “Наукова думка”, 1987.

5. Остапенко Г.С. Усилительные устройства. – Москва: “Радио и связь”, 1989.

6. Шило П.Л. Линейные интегральные схемы. – Москва: “Советское радио”, 1979.

7. Офіційна WEB-сторінка фірми Philips, розділ напівпровідникові прилади: www.semiconductors.philips.com