- •Підсилювач каналу відтворення магнітофону курсовий проект
- •Анотація
- •Список скорочень
- •Розробка технічного завдання
- •Розробка структурної схеми пристрою
- •Вибір акустичної системи
- •Вибір схеми підсилювача потужності
- •Визначення величини корисної потужності, яка віддається транзистором підсилювача потужності
- •Вибір типу транзисторів кінцевого каскаду підсилювача
- •Визначення загального коефіцієнта підсилення пристрою по потужності
- •Визначення кількості каскадів підсилення
- •Розрахунок співвідношення сигнал/шум
- •Розподіл частотних та нелінійних спотворень по каскадах
- •2.8.1 Частотні спотворення у області вч
- •2.8.2 Частотні спотворення у області нч
- •Розрахунок глибини від’ємного зворотного зв’язку
- •Розробка структури пристрою на імс
- •Переваги розробки пристрою на імс
- •Вибір мікросхеми кінцевого каскаду підсилення
- •Вибір мікросхеми попереднього підсилювача
- •Електричні розрахунки каскадів підсилювача каналу відтворення магнітофону
- •Розрахунок каскаду кінцевого підсилення
- •Розрахунок каскаду підсилювача-коректора
- •Розрахунок каскаду трьохсмугового регулятору тембру
- •Моделювання каскадів підсилювача на еом
- •4.1 Вибір моделювальної системи
- •Моделювання ачх та афх кінцевого підсилювача
- •Моделювання ачх та афх регулятора тембру
- •Моделювання ачх та афх підсилювача-коректора
- •Порівняння результатів проектування та моделювання з вимогами тз
- •Висновки
- •Література
Розрахунок співвідношення сигнал/шум
Д
ля
забезпечення заданого співвідношення
сигнал/шум, для даного підсилювального
пристрою необхідно перевірити рівень
мінімальної вхідної напруги в режимі
узгодження першого каскаду підсилення
з джерелом сигналу.
де RВХ- еквівалентний опір вхідного кола пристрою
RВХ=10*0,7/10,7=0,65 (кОм)
=60(дБ)=106(раз)
∆F=13(кГц)
Fш=0,05
UВхmin=1/8*106*(0,65*13*0,05)1/2=3,65/8*106=0,08*106(мкВ)
UВхmin‹ UВх
Отже виконується умова нормальної роботи пристрою.
Розподіл частотних та нелінійних спотворень по каскадах
Розподіл частотних спотворювань по каскадах виконується окремо для області високих і нижніх частот.
2.8.1 Частотні спотворення у області вч
Частотні спотворення для каскаду зі спільним емітером у області ВЧ, що визначаються впливом транзисторів каскаду:
МВТ=(1+(Fв/fY21e)2)1/2
МВТ=2*0,24(дБ)= 0,48(дБ)
Частотні спотворення для фазоінверсного каскаду:
МВТ=(1+(Fв/fY21e)2)1/2=0,28(дБ)
Частотні спотворення для КПП:
МВТ=(1+(Fв/fY21К)2)1/2
МВТ= 0,264(дБ)
Частотні спотворення для ККП:
МВТ=(1+(Fв/fY21К)2)1/2
МВТ= 0,45(дБ)
Частотні спотворення у області ВЧ, що вносяться елементами схеми каскаду:
Для каскаду зі спільним емітером: МВ.СХ=0,3 (дБ)
Для ФІК з розділеним навантаженням: МВ.СХ=0,1 (дБ)
Для каскаду КПП та ККП сумарні частотні спотворення, що вносяться елементами схеми каскаду, не перевищують: МВ.СХ=0,4 (дБ)
Величина частотних спотворювань у області ВЧ всього пристрою:
МВ(дБ)= МВ1(дБ)+ МВ2(дБ)+ МВ3(дБ)+ МВ4(дБ)
де МВ1(дБ)…МВ4(дБ)- загальні частотні спотворення у області ВЧ кожного каскаду пристрою.
МВ(дБ)= 0,48+0,28+0,264+0,45+0,3+0,1+0,4=2,274 (дБ)
Отримана величина частотних спотворень не задовольняє накладені на пристрій вимоги.
2.8.2 Частотні спотворення у області нч
Частотні спотворення на низьких частотах МН зумовлені наявністю у каскаді кіл, що впливають на коефіцієнт підсилення у області НЧ. Значення частотних спотворювань у області НЧ [1]:
Для каскаду зі спільним емітером: МН=1,6(дБ)
Для фазоінверсного каскаду: МН=0,3(дБ)
Для каскаду ККП та КПП: МН=0,4(дБ)
Частотні спотворення пристрою МН дорівнюють сумі:
МН=1,6+0,3+0,4=2,3(дБ)
Отримана величина частотних спотворень не задовольняє накладені на пристрій вимоги.
Для забезпечення заданих значень глибини частотних спотворювань у каскадах підсилювача необхідно ввести ланку від’ємного зворотного зв’язку.
Розрахунок глибини від’ємного зворотного зв’язку
Глибина від’ємного зворотного зв’язку буде повинна задовольняти умові:
КН.сх.≤ КН.тз
МВ.сх.≤ МВ.тз
Частотні спотворення визначаються схемою каскаду та типом транзистору. Для великих значень коливальних потужностей, у схемах безтрансформаторних каскадів з додатковою симетрією плеч, глибина зворотного зв’язку обирається [1] у межах А=1,5…5 дБ.
В області ВЧ до частотних спотворень, зумовлених елементами схеми, додаються частотні спотворення, що вносяться транзистором, тому необхідне застосування зворотного зв’язку. Від’ємним зворотнім зв’язком охоплюються 3 каскади: ККП, КПП та ФІК.
МВ=1,494 (дБ)
Мβ= (М-1)/А+1
А=1,5
Мβ= (1,494-1)/1,5+1=0,1976(дБ)
МЗАГ.ВЧ=0,78+0,1976 =0,977(дБ)
Коефіцієнт підсилення каскадів ККП, КПП та ФІК по потужності дорівнює:
Кр зв.зв. =Кр.3 /А
Кр.3=52,8(дБ)
Кр зв.зв. =52,8 /1,5=35,2(дБ)
К’р0. =35,2+58,2=93,4(дБ)
Оскільки коефіцієнт підсилення за потужністю схеми з урахуванням ВЗЗ недостатній для підвищення коефіцієнту підсилення за потужністю вводиться додатковий каскад підсилення зі спільним емітером.
Для зменшення загального коефіцієнту підсилення пристрою, після введення додаткового каскаду підсилення зі спільним емітером, підсилювач-коректор охоплюється від’ємним зворотнім зв’язком.
Кр зв.зв. =Кр.3 /А
КрП-К=120(дБ)
Кр зв.зв.=75.8(дБ)
75,8=120 /А
А=1,583
МВ=0,78 (дБ)
Мβ= 0,78/1,583=0,507(дБ)
