
- •Практическая работа №1 «Архитектура пк и назначение ее основных блоков.»
- •Определение пк. О чем говорит слово персональный?
- •Классификация средств пк (Hardware, Software)
- •Фон Неймановская архитектура эвм, принципы фон Неймана,
- •Назначение cpu и npu, состав и назначение составных узлов cpu (алу, уу, регисторов) ?
- •Назначение оперативной памяти (Схема взаимодействия озу, внешней памяти, устройств ввода и вывода) ?
- •Назначение «пзу», характеристика модулей пзу: (bios, post, setup, bnjk) ?
- •Определение конфигурации пк : (Проходила практическая работа), (скрин работы, свойства пк) ?
- •Понятие открытой архитектуры и ее признаки ?
- •Практическая работа №2 «Устройство системной (материнской) платы»
- •4.Назначение cmos памяти?
- •5.Назначение чипсета, схема материнской платы с чипсетом(северный мост и южный мост)
- •6.Единицы измерения компьютерной информации.
- •7.Понятие интерфейса и его компоненты. Системная шина и шины расширения. Их назначение?
- •Персональные компьютеры
- •Промышленные компьютеры
- •8.Шина расширения (рисунок,таблица)
- •9.Порты ввода-вывода.
- •Привести таблицу с техническими характеристиками портов ввода вывода для каждого из них указов его конструкцию
- •12.Какие разьемы на материнской плате служат для подсоединение кнопок и индикатора передней платы.
- •1.В чем заключается назначение пзу
- •3.Назначения модулей входящей в состав пзу ?
- •4.Привести строения меню bios Setup и и назначение ее компанентов и их опций ?
- •Интерфейс bios (cmos) Setup Utility
- •Основные разделы bios Setup с колоночным главным меню (синий фон)
- •Основные разделы bios Setup с горизонтальным главным меню (серый фон)
- •5. Привести таблицы со звуковыми сигналами программы post пзу различных производителей ?
Практическая работа №2 «Устройство системной (материнской) платы»
Привести схему устройство материнской платы с указанием размещенных на ней элементов (мануал материнской планы)
Привести таблицу с форм факторами материнской планы
Форм-фактор (от англ. form factor) — стандарт, задающий габаритные размеры технического изделия, а также описывающий дополнительные совокупности его технических параметров, например форму, типы дополнительных элементов размещаемых в/на устройстве, их положение и ориентацию.
Конструкция модулей оперативной памяти (таблица, рисунок, краткая хар-ка модуля:SIMM, DIMM, DIMM DDR1,DDR2,DDR3,DDR4)
SIMM отличаются скоростью работы. Обычно в ПК на процессорах 486 применялись устройства на 70 нс, хотя для процессоров типа 486DX4-100, 486DX4-120, 486DX4-133, Pentium, рекомендуется использовать SIMM как минимум на 60 нс.
Назначение контактов модуля |
||
№ |
Название |
Описание |
1 |
Vcc |
Напряжение питания +5 В |
2 |
CAS# |
Строб адреса столбца |
3 |
DQ0 |
Линия данных 0 |
4 |
A0 |
Адресная линия 0 |
5 |
A1 |
Адресная линия 1 |
6 |
DQ1 |
Линия данных 1 |
7 |
A2 |
Адресная линия 2 |
8 |
A3 |
Адресная линия 3 |
9 |
GND |
Общий |
10 |
DQ2 |
Линия данных 2 |
11 |
A4 |
Адресная линия 4 |
12 |
A5 |
Адресная линия 5 |
13 |
DQ3 |
Линия данных 3 |
14 |
A6 |
Адресная линия 6 |
15 |
A7 |
Адресная линия 7 |
16 |
DQ4 |
Линия данных 4 |
17 |
A8 |
Адресная линия 8 |
18 |
A9 |
Адресная линия 9 |
19 |
A10 |
Адресная линия 10 |
20 |
DQ5 |
Линия данных 5 |
21 |
WE# |
Запись данных |
22 |
GND |
Общий |
23 |
DQ6 |
Линия данных 6 |
24 |
A11 |
Адресная линия 11 |
25 |
DQ7 |
Линия данных 7 |
26 |
QP |
Линия данных 9 (контроль четности, выход) |
27 |
RAS# |
Строб адреса строки |
28 |
CASP# |
Строб адреса столбца четности |
29 |
DP |
Линия данных 9 (контроль четности, вход) |
30 |
Vcc |
Напряжение питания +5 В |
Небуферизованный модуль DIMM может содержать микросхемы памяти типа FPM DRAM, EDO DRAM, BEDO DRAM, SDRAM. Модули могут иметь 64 бит или 72 бит (контроль четности), а также 72 бит и 80 бит для ECC. Конструкция модулей предусматривает автоматическое их распознавание компьютером. Для этого используются специальные ключи - пазы в контактной линейке. Левый - буферизованный или небуферизованный, правый - напряжение питания - 5 В или 3,3 В.
|
|
|
|
|
Контакт |
Обозначение |
Контакт |
Обозначение |
|
1 |
Общий |
85 |
Общий |
|
2 |
Бит данных 0 |
86 |
Бит данных 32 |
|
3 |
Бит данных 1 |
87 |
Бит данных 33 |
|
4 |
Бит данных 2 |
88 |
Бит данных 34 |
|
5 |
Бит данных 3 |
89 |
Бит данных 35 |
|
6 |
+3,3 В |
90 |
+3,3 В |
|
7 |
Бит данных 4 |
91 |
Бит данных 36 |
|
8 |
Бит данных 5 |
92 |
Бит данных 37 |
|
9 |
Бит данных 6 |
93 |
Бит данных 38 |
|
10 |
Бит данных 7 |
94 |
Бит данных 39 |
|
11 |
Бит данных 8 |
95 |
Бит данных 40 |
|
12 |
Общий |
96 |
Общий |
|
13 |
Бит данных 9 |
97 |
Бит данных 41 |
|
14 |
Бит данных 10 |
98 |
Бит данных 42 |
|
15 |
Бит данных 11 |
99 |
Бит данных 43 |
|
16 |
Бит данных 12 |
100 |
Бит данных 44 |
|
17 |
Бит данных 13 |
101 |
Бит данных 45 |
|
18 |
+3,3 В |
102 |
+3,3 В |
|
19 |
Бит данных 14 |
103 |
Бит данных 46 |
|
20 |
Бит данных 15 |
104 |
Бит данных 47 |
|
21 |
Разряд четности 1 |
105 |
Не соединен |
|
22 |
Разряд четности 2 |
106 |
Не соединен |
|
23 |
Общий |
107 |
Общий |
|
24 |
Не соединен |
108 |
Не соединен |
|
25 |
Не соединен |
109 |
Не соединен |
|
26 |
+3,3 В |
ПО |
+3,3 В |
|
Контакт |
Обозначение |
Контакт |
Обозначение |
|
27 |
Write Enable |
111 |
Column Address Strobe |
|
28 |
I/O Mask 0 |
112 |
Byte Mask 4 |
|
29 |
I/O Mask 1 |
113 |
Byte Mask 5 |
|
30 |
SO |
114 |
SI |
|
31 |
Зарезервирован |
115 |
Row Address Strobe |
|
32 |
Общий |
116 |
Общий |
|
33 |
Разряд адреса 0 |
117 |
Разряд адреса 1 |
|
34 |
Разряд адреса 2 |
118 |
Разряд адреса 3 |
|
35 |
Разряд адреса 4 |
119 |
Разряд адреса 5 |
|
36 |
Разряд адреса 6 |
120 |
Разряд адреса 7 |
|
37 |
Разряд адреса 8 |
121 |
Разряд адреса 9 |
|
38 |
Разряд адреса 10 |
122 |
Bank Address 0 |
|
39 |
Bank Address 1 |
123 |
Разряд адреса 11 |
|
40 |
+3,3 В |
124 |
+3,3 В |
|
41 |
+3,3 В |
125 |
Clock 1 |
|
42 |
Clock 0 |
126 |
Разряд адреса 12 |
|
43 |
Общий |
127 |
Общий |
|
44 |
Зарезервирован |
128 |
Clock Enable 0 |
|
45 |
S2 |
129 |
S3 |
|
46 |
Byte Mask 2 |
130 |
Byte Mask 6 |
|
47 |
Byte Mask 3 |
131 |
Byte Mask 7 |
|
48 |
Зарезервирован |
132 |
Разряд адреса 13 |
|
49 |
+3,3 В |
133 |
+3,3 В |
|
50 |
Не соединен |
134 |
He соединен |
|
51 |
Не соединен |
135 |
He соединен |
|
52 |
Не соединен |
136 |
He соединен |
|
53 |
Не соединен |
137 |
He соединен |
|
54 |
Общий |
138 |
Общий |
|
55 |
Бит данных 16 |
139 |
Бит данных 48 |
|
56 |
Бит данных 1 7 |
140 |
Бит данных 49 |
|
57 |
Бит данных 18 |
141 |
Бит данных 50 |
|
58 |
Бит данных 19 |
142 |
Бит данных 51 |
|
59 |
+3,3 В |
143 |
+3,3 В |
|
60 |
Бит данных 20 |
144 |
Бит данных 52 |
|
61 |
Не соединен |
145 |
Не соединен |
|
62 |
Voltage Reference |
146 |
Voltage Reference |
|
63 |
Clock Enable 1 |
147 |
Не соединен |
|
Контакт |
Обозначение |
Контакт |
Обозначение |
|
64 |
Общий |
148 |
Общий |
|
65 |
Бит данных 21 |
149 |
Бит данных 53 |
|
66 |
Бит данных 22 |
150 |
Бит данных 54 |
|
67 |
Бит данных 23 |
151 |
Бит данных 55 |
|
68 |
Общий |
152 |
Общий |
|
69 |
Бит данных 24 |
153 |
Бит данных 56 |
|
70 |
Бит данных 25 |
154 |
Бит данных 57 |
|
71 |
Бит данных 26 |
155 |
Бит данных 58 |
|
72 |
Бит данных 27 |
156 |
Бит данных 59 |
|
73 |
+3,3 В |
157 |
+3,3 В |
|
74 |
Бит данных 28 |
158 |
Бит данных 60 |
|
75 |
Бит данных 29 |
159 |
Бит данных 61 |
|
76 |
Бит данных 30 |
160 |
Бит данных 62 |
|
77 |
Бит данных 31 |
161 |
Бит данных 63 |
|
78 |
Общий |
162 |
Общий |
|
79 |
Clock 2 |
163 |
Clock 3 |
|
80 |
Не соединен |
164 |
Не соединен |
|
81 |
Не соединен |
165 |
Serial PD Address 0 |
|
82 |
Serial Data I/O |
166 |
Serial PD Address 1 |
|
83 |
Serial Clock Input |
167 |
Serial PD Address 2 |
|
84 |
+3,3 В |
168 |
+3,3 В |
|
|
|
|
|
|
Так называли тип памяти SDRAM (Synchronous DRAM). Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года. Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron использовали именно этот вид памяти. Дальше пошла эра DDR, и память почти перестали называть симы или димы. Теперь в ходу название DDR (DDR2, DDR3) модуль или планка.
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM. Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.
Pin # |
Description |
Pin # |
Description |
1 |
VREF |
121 |
VSS |
2 |
VSS |
122 |
DQ4 |
3 |
DQ0 |
123 |
DQ5 |
4 |
DQ1 |
124 |
VSS |
5 |
VSS |
125 |
DM0 |
6 |
/DQS0 |
126 |
NC |
7 |
DQS0 |
127 |
VSS |
8 |
VSS |
128 |
DQ6 |
9 |
DQ2 |
129 |
DQ7 |
10 |
DQ3 |
130 |
VSS |
11 |
VSS |
131 |
DQ12 |
12 |
DQ8 |
132 |
DQ13 |
13 |
DQ9 |
133 |
VSS |
14 |
VSS |
134 |
DM1 |
15 |
/DQS1 |
135 |
NC |
16 |
DQS1 |
136 |
VSS |
17 |
VSS |
137 |
CK1 |
18 |
NC |
138 |
/CK1 |
19 |
NC |
139 |
VSS |
20 |
VSS |
140 |
DQ14 |
21 |
DQ10 |
141 |
DQ15 |
22 |
DQ11 |
142 |
VSS |
23 |
VSS |
143 |
DQ20 |
24 |
DQ16 |
144 |
DQ21 |
25 |
DQ17 |
145 |
VSS |
26 |
VSS |
146 |
DM2 |
27 |
/DQS2 |
147 |
NC |
28 |
DQS2 |
148 |
VSS |
29 |
VSS |
149 |
DQ22 |
30 |
DQ18 |
150 |
DQ23 |
31 |
DQ19 |
151 |
VSS |
32 |
VSS |
152 |
DQ28 |
33 |
DQ24 |
153 |
DQ29 |
34 |
DQ25 |
154 |
VSS |
35 |
VSS |
155 |
DM3 |
36 |
/DQS3 |
156 |
NC |
37 |
DQS3 |
157 |
VSS |
38 |
VSS |
158 |
DQ30 |
39 |
DQ26 |
159 |
DQ31 |
40 |
DQ27 |
160 |
VSS |
41 |
VSS |
161 |
NC |
42 |
NC |
162 |
NC |
43 |
NC |
163 |
VSS |
44 |
VSS |
164 |
NC |
45 |
NC |
165 |
NC |
46 |
NC |
166 |
VSS |
47 |
VSS |
167 |
NC |
48 |
NC |
168 |
NC |
49 |
NC |
169 |
VSS |
50 |
VSS |
170 |
VDDQ |
51 |
VDDQ |
171 |
CKE1 |
52 |
CKE0 |
172 |
VDD |
53 |
VDD |
173 |
NC |
54 |
NC |
174 |
NC |
55 |
NC |
175 |
VDDQ |
56 |
VDDQ |
176 |
A12 |
57 |
A11 |
177 |
A9 |
58 |
A7 |
178 |
VDD |
59 |
VDD |
179 |
A8 |
60 |
A5 |
180 |
A6 |
61 |
A4 |
181 |
VDDQ |
62 |
VDDQ |
182 |
A3 |
63 |
A2 |
183 |
A1 |
64 |
VDD |
184 |
VDD |
KEY |
|||
65 |
VSS |
185 |
CK0 |
66 |
VSS |
186 |
/CK0 |
67 |
VDD |
187 |
VDD |
68 |
NC |
188 |
A0 |
69 |
VDD |
189 |
VDD |
70 |
A10/AP |
190 |
BA1 |
71 |
BA0 |
191 |
VDDQ |
72 |
VDDQ |
192 |
/RAS |
73 |
/WE |
193 |
/CS0 |
74 |
/CAS |
194 |
VDDQ |
75 |
VDDQ |
195 |
ODT0 |
76 |
/CS1 |
196 |
A13 |
77 |
ODT1 |
197 |
VDD |
78 |
VDDQ |
198 |
VSS |
79 |
VSS |
199 |
DQ36 |
80 |
DQ32 |
200 |
DQ37 |
81 |
DQ33 |
201 |
VSS |
82 |
VSS |
202 |
DM4 |
83 |
/DQS4 |
203 |
NC |
84 |
DQS4 |
204 |
VSS |
85 |
VSS |
205 |
DQ38 |
86 |
DQ34 |
206 |
DQ39 |
87 |
DQ35 |
207 |
VSS |
88 |
VSS |
208 |
DQ44 |
89 |
DQ40 |
209 |
DQ45 |
90 |
DQ41 |
210 |
VSS |
91 |
VSS |
211 |
DM5 |
92 |
/DQS5 |
212 |
NC |
93 |
DQS5 |
213 |
VSS |
94 |
VSS |
214 |
DQ46 |
95 |
DQ42 |
215 |
DQ47 |
96 |
DQ43 |
216 |
VSS |
97 |
VSS |
217 |
DQ52 |
98 |
DQ48 |
218 |
DQ53 |
99 |
DQ49 |
219 |
VSS |
100 |
VSS |
220 |
CK2 |
101 |
SA2 |
221 |
/CK2 |
102 |
NC |
222 |
VSS |
103 |
VSS |
223 |
DM6 |
104 |
/DQS6 |
224 |
NC |
105 |
DQS6 |
225 |
VSS |
106 |
VSS |
226 |
DQ54 |
107 |
DQ50 |
227 |
DQ55 |
108 |
DQ51 |
228 |
VSS |
109 |
VSS |
229 |
DQ60 |
110 |
DQ56 |
230 |
DQ61 |
111 |
DQ57 |
231 |
VSS |
112 |
VSS |
232 |
DM7 |
113 |
/DQS7 |
233 |
NC |
114 |
DQS7 |
234 |
VSS |
115 |
VSS |
235 |
DQ62 |
116 |
DQ58 |
236 |
DQ63 |
117 |
DQ59 |
237 |
VSS |
118 |
VSS |
238 |
VDDSPD |
119 |
SDA |
239 |
SA0 |
120 |
SCL |
240 |
SA1 |
DDR2 (Double Data Rate 2) – более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым. Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее – в середине 2004. Основное отличие DDR2 от DDR – способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: оно увеличилось со 184 (у DDR) до 240 (у DDR2).
Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа».