Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Shablon_prakt__Vosstanovlen.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
4.56 Mб
Скачать

Практическая работа №2 «Устройство системной (материнской) платы»

    1. Привести схему устройство материнской платы с указанием размещенных на ней элементов (мануал материнской планы)

    1. Привести таблицу с форм факторами материнской планы

Форм-фактор (от англ. form factor) — стандарт, задающий габаритные размеры технического изделия, а также описывающий дополнительные совокупности его технических параметров, например форму, типы дополнительных элементов размещаемых в/на устройстве, их положение и ориентацию.

    1. Конструкция модулей оперативной памяти (таблица, рисунок, краткая хар-ка модуля:SIMM, DIMM, DIMM DDR1,DDR2,DDR3,DDR4)

SIMM отличаются скоростью работы. Обычно в ПК на процессорах 486 применялись устройства на 70 нс, хотя для процессоров типа 486DX4-100, 486DX4-120, 486DX4-133, Pentium, рекомендуется использовать SIMM как минимум на 60 нс.

Назначение контактов модуля

 № 

Название

Описание

1

Vcc

Напряжение питания +5 В

2

CAS#

Строб адреса столбца

3

DQ0

Линия данных 0

4

A0

Адресная линия 0

5

A1

Адресная линия 1

6

DQ1

Линия данных 1

7

A2

Адресная линия 2

8

A3

Адресная линия 3

9

GND

Общий

10

DQ2

Линия данных 2

11

A4

Адресная линия 4

12

A5

Адресная линия 5

13

DQ3

Линия данных 3

14

A6

Адресная линия 6

15

A7

Адресная линия 7

16

DQ4

Линия данных 4

17

A8

Адресная линия 8

18

A9

Адресная линия 9

19

A10

Адресная линия 10

20

DQ5

Линия данных 5

21

WE#

Запись данных

22

GND

Общий

23

DQ6

Линия данных 6

24

A11

Адресная линия 11

25

DQ7

Линия данных 7

26

QP

Линия данных 9 (контроль четности, выход)

27

RAS#

Строб адреса строки

28

CASP#

Строб адреса столбца четности

29

DP

Линия данных 9 (контроль четности, вход)

30

Vcc

Напряжение питания +5 В

Небуферизованный модуль DIMM может содержать микросхемы памяти типа FPM DRAM, EDO DRAM, BEDO DRAM, SDRAM. Модули могут иметь 64 бит или 72 бит (контроль четности), а также 72 бит и 80 бит для ECC. Конструкция модулей предусматривает автоматическое их распознавание компьютером. Для этого используются специальные ключи - пазы в контактной линейке. Левый - буферизованный или небуферизованный, правый - напряжение питания - 5 В или 3,3 В.

Контакт

Обозначение

Контакт

Обозначение

1

Общий

85

Общий

2

Бит данных 0

86

Бит данных 32

3

Бит данных 1

87

Бит данных 33

4

Бит данных 2

88

Бит данных 34

5

Бит данных 3

89

Бит данных 35

6

+3,3 В

90

+3,3 В

7

Бит данных 4

91

Бит данных 36

8

Бит данных 5

92

Бит данных 37

9

Бит данных 6

93

Бит данных 38

10

Бит данных 7

94

Бит данных 39

11

Бит данных 8

95

Бит данных 40

12

Общий

96

Общий

13

Бит данных 9

97

Бит данных 41

14

Бит данных 10

98

Бит данных 42

15

Бит данных 11

99

Бит данных 43

16

Бит данных 12

100

Бит данных 44

17

Бит данных 13

101

Бит данных 45

18

+3,3 В

102

+3,3 В

19

Бит данных 14

103

Бит данных 46

20

Бит данных 15

104

Бит данных 47

21

Разряд четности 1

105

Не соединен

22

Разряд четности 2

106

Не соединен

23

Общий

107

Общий

24

Не соединен

108

Не соединен

25

Не соединен

109

Не соединен

26

+3,3 В

ПО

+3,3 В

Контакт

Обозначение

Контакт

Обозначение

27

Write Enable

111

Column Address Strobe

28

I/O Mask 0

112

Byte Mask 4

29

I/O Mask 1

113

Byte Mask 5

30

SO

114

SI

31

Зарезервирован

115

Row Address Strobe

32

Общий

116

Общий

33

Разряд адреса 0

117

Разряд адреса 1

34

Разряд адреса 2

118

Разряд адреса 3

35

Разряд адреса 4

119

Разряд адреса 5

36

Разряд адреса 6

120

Разряд адреса 7

37

Разряд адреса 8

121

Разряд адреса 9

38

Разряд адреса 10

122

Bank Address 0

39

Bank Address 1

123

Разряд адреса 11

40

+3,3 В

124

+3,3 В

41

+3,3 В

125

Clock 1

42

Clock 0

126

Разряд адреса 12

43

Общий

127

Общий

44

Зарезервирован

128

Clock Enable 0

45

S2

129

S3

46

Byte Mask 2

130

Byte Mask 6

47

Byte Mask 3

131

Byte Mask 7

48

Зарезервирован

132

Разряд адреса 13

49

+3,3 В

133

+3,3 В

50

Не соединен

134

He соединен

51

Не соединен

135

He соединен

52

Не соединен

136

He соединен

53

Не соединен

137

He соединен

54

Общий

138

Общий

55

Бит данных 16

139

Бит данных 48

56

Бит данных 1 7

140

Бит данных 49

57

Бит данных 18

141

Бит данных 50

58

Бит данных 19

142

Бит данных 51

59

+3,3 В

143

+3,3 В

60

Бит данных 20

144

Бит данных 52

61

Не соединен

145

Не соединен

62

Voltage Reference

146

Voltage Reference

63

Clock Enable 1

147

Не соединен

Контакт

Обозначение

Контакт

Обозначение

64

Общий

148

Общий

65

Бит данных 21

149

Бит данных 53

66

Бит данных 22

150

Бит данных 54

67

Бит данных 23

151

Бит данных 55

68

Общий

152

Общий

69

Бит данных 24

153

Бит данных 56

70

Бит данных 25

154

Бит данных 57

71

Бит данных 26

155

Бит данных 58

72

Бит данных 27

156

Бит данных 59

73

+3,3 В

157

+3,3 В

74

Бит данных 28

158

Бит данных 60

75

Бит данных 29

159

Бит данных 61

76

Бит данных 30

160

Бит данных 62

77

Бит данных 31

161

Бит данных 63

78

Общий

162

Общий

79

Clock 2

163

Clock 3

80

Не соединен

164

Не соединен

81

Не соединен

165

Serial PD Address 0

82

Serial Data I/O

166

Serial PD Address 1

83

Serial Clock Input

167

Serial PD Address 2

84

+3,3 В

168

+3,3 В

Так называли тип памяти SDRAM (Synchronous DRAM). Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года. Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron использовали именно этот вид памяти. Дальше пошла эра DDR, и память почти перестали называть симы или димы. Теперь в ходу название DDR (DDR2, DDR3) модуль или планка.

Контакт

Обозначение

Контакт

Обозначение

1

Reference +1,25 В

93

Общий

2

Бит данных 0

94

Бит данных 4

3

Общий

95

Бит данных 5

4

Бит данных 1

96

Ввод-вывод +2,5 В

5

Строб данных 0

97

Строб данных 9

6

Бит данных 2

98

Бит данных 6

7

+2,5 В

99

Бит данных 7

8

Бит данных 3

100

Общий

9

Не соединен

101

Не соединен

10

Не соединен

102

Не соединен

11

Общий

103

Разряд адреса 13

12

Бит данных 8

104

Ввод-вывод +2,5 В

13

Бит данных 9

105

Бит данных 12

14

Строб данных 1

106

Бит данных 13

15

Ввод-вывод +2,5 В

107

Строб данных 10

16

Clock 1

108

+2,5 В

17

Clock 1#

109

Бит данных 14

18

Общий

ПО

Бит данных 15

19

Бит данных 10

111

Clock Enable l

20

Бит данных 11

112

Ввод-вывод +2,5 В

21

Clock Enable 0

113

Адрес банка 2

22

Ввод-вывод +2,5 В

114

Бит данных 20

23

Бит данных 16

115

Разряд адреса 12

24

Бит данных 17

116

Общий

25

Строб данных 2

117

Бит данных 21

26

Общий

118

Разряд адреса 11

27

Разряд адреса 9

119

Строб данных 11

28

Бит данных 18

120

+2,5 В

29

Разряд адреса 7

121

Бит данных 22

30

Ввод-вывод +2,5 В

122

Разряд адреса 8

31

Бит данных 19

123

Бит данных 23

32

Разряд адреса 5

124

Общий

33

Бит данных 24

125

Разряд адреса 6

34

Общий

126

Бит данных 28

35

Бит данных 25

127

Бит данных 29

36

Строб данных 3

128

Ввод-вывод +2,5 В

DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM. Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.

Pin #

Description

Pin #

Description

1

VREF

121

VSS

2

VSS

122

DQ4

3

DQ0

123

DQ5

4

DQ1

124

VSS

5

VSS

125

DM0

6

/DQS0

126

NC

7

DQS0

127

VSS

8

VSS

128

DQ6

9

DQ2

129

DQ7

10

DQ3

130

VSS

11

VSS

131

DQ12

12

DQ8

132

DQ13

13

DQ9

133

VSS

14

VSS

134

DM1

15

/DQS1

135

NC

16

DQS1

136

VSS

17

VSS

137

CK1

18

NC

138

/CK1

19

NC

139

VSS

20

VSS

140

DQ14

21

DQ10

141

DQ15

22

DQ11

142

VSS

23

VSS

143

DQ20

24

DQ16

144

DQ21

25

DQ17

145

VSS

26

VSS

146

DM2

27

/DQS2

147

NC

28

DQS2

148

VSS

29

VSS

149

DQ22

30

DQ18

150

DQ23

31

DQ19

151

VSS

32

VSS

152

DQ28

33

DQ24

153

DQ29

34

DQ25

154

VSS

35

VSS

155

DM3

36

/DQS3

156

NC

37

DQS3

157

VSS

38

VSS

158

DQ30

39

DQ26

159

DQ31

40

DQ27

160

VSS

41

VSS

161

NC

42

NC

162

NC

43

NC

163

VSS

44

VSS

164

NC

45

NC

165

NC

46

NC

166

VSS

47

VSS

167

NC

48

NC

168

NC

49

NC

169

VSS

50

VSS

170

VDDQ

51

VDDQ

171

CKE1

52

CKE0

172

VDD

53

VDD

173

NC

54

NC

174

NC

55

NC

175

VDDQ

56

VDDQ

176

A12

57

A11

177

A9

58

A7

178

VDD

59

VDD

179

A8

60

A5

180

A6

61

A4

181

VDDQ

62

VDDQ

182

A3

63

A2

183

A1

64

VDD

184

VDD

KEY

65

VSS

185

CK0

66

VSS

186

/CK0

67

VDD

187

VDD

68

NC

188

A0

69

VDD

189

VDD

70

A10/AP

190

BA1

71

BA0

191

VDDQ

72

VDDQ

192

/RAS

73

/WE

193

/CS0

74

/CAS

194

VDDQ

75

VDDQ

195

ODT0

76

/CS1

196

A13

77

ODT1

197

VDD

78

VDDQ

198

VSS

79

VSS

199

DQ36

80

DQ32

200

DQ37

81

DQ33

201

VSS

82

VSS

202

DM4

83

/DQS4

203

NC

84

DQS4

204

VSS

85

VSS

205

DQ38

86

DQ34

206

DQ39

87

DQ35

207

VSS

88

VSS

208

DQ44

89

DQ40

209

DQ45

90

DQ41

210

VSS

91

VSS

211

DM5

92

/DQS5

212

NC

93

DQS5

213

VSS

94

VSS

214

DQ46

95

DQ42

215

DQ47

96

DQ43

216

VSS

97

VSS

217

DQ52

98

DQ48

218

DQ53

99

DQ49

219

VSS

100

VSS

220

CK2

101

SA2

221

/CK2

102

NC

222

VSS

103

VSS

223

DM6

104

/DQS6

224

NC

105

DQS6

225

VSS

106

VSS

226

DQ54

107

DQ50

227

DQ55

108

DQ51

228

VSS

109

VSS

229

DQ60

110

DQ56

230

DQ61

111

DQ57

231

VSS

112

VSS

232

DM7

113

/DQS7

233

NC

114

DQS7

234

VSS

115

VSS

235

DQ62

116

DQ58

236

DQ63

117

DQ59

237

VSS

118

VSS

238

VDDSPD

119

SDA

239

SA0

120

SCL

240

SA1

DDR2 (Double Data Rate 2) – более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым. Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее – в середине 2004. Основное отличие DDR2 от DDR – способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: оно увеличилось со 184 (у DDR) до 240 (у DDR2).

Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа».

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]