
Міністерство освіти і науки України
Одеська національна морська академія
Кафедра фізики і хімії
Лабораторна робота № 8.3
Дослідження залежності фотопровідності напівпровідників від довжини хвилі
збудження
(учбово - методичний посібник до лабораторного практикуму)
Склав проф. Михайленко В.І.
.
Затверджено на засіданні кафедри
протокол №4 від 21 лютого 2003 р.
Одеса - 2003
1.Теоретична частина
Елементи зонної теорії кристалів
Р
озподіл
електронів по енергетичним підрівням
у межах дозволеної зони визначається
принципом
мінімуму
енергії,
відповідно до якого спочатку заповнюються
рівні з меншими значеннями енергії, і
принципом
Паулі,
згідно з яким на кожному підрівні енергії
не може бути більше двох електронів із
протилежними спінами. Заповнення
електронами підрівнів енергії з
урахуванням принципу Паулі описується
розподілом Фермі-Дірака:
Тут
f(Wn)
–
ймовірність заповнення електроном
підрівня енергії Wn,
– стала Больцмана, T
– абсолютна температура, WF
– енергія (або рівень) Фермі. Графік
функції розподілу Фермі - Дірака при
температурах Т=0
і T>0
показано на рис.2.
В
идно,
що при Т=0
ймовірність заповнення підрівнів
енергії в інтервалі від 0
до WF
дорівнює одиниці, а для енергій W>
WF
дорівнює нулю. Це
означає, що при цій температурі на
кожному підрівні енергії в інтервалі
енергій 0,
WF
відповідно до принципу Паулі знаходиться
по два електрона з протилежними спінами,
а більш високі підрівні не заповнені.
При Т>0
за рахунок теплового руху починається
часткове заповнення електронами
підрівнів енергії з W>WF
(рис.3).
Таким чином, рівень Фермі визначає верхню границю заповнення електронами підрівнів енергії при температурі Т=0.
З
они
в кристалі можуть бути заповнені цілком
електронами, заповнені частково або
пустими.
Якщо на рівні енергії атома знаходяться два електрони з протилежними спінами, то при утворенні кристала з N атомів утвориться зона, що складається з N підрівнів, на кожному з яких розміститься по два електрона (всього 2N електронів). Таким чином, у даному випадку утвориться цілком заповнена зона.
При утворенні кристала, взагалі кажучи, утвориться кілька заповнених зон, розділених одна від другої так званими забороненими зонами, тобто зонами, у межах яких для електронів немає енергетичних рівнів. Найвища з повністю заповнених зон називається валентною зоною (рис.4). Наступна за нею зона називається зоною провідності. Валентна зона (ВЗ) і зона провідності (ЗП) відділені одна від другої забороненою зоною (ЗЗ).
Зона провідності може бути або незаповненою (при Т=0) або заповненою частково.
Я
Електричні властивості твердих тіл визначаються взаємним положенням валентної зони і зони провідності, а також тим, пуста зона провідності чи заповнена частково.
Якщо зона провідності частково заповнена електронами, то ми маємо справу з металами (рис.5).