
- •Розділ 1 Вакуумні електронні прилади
- •Тема 1. Основні групи електронних приладів.
- •Тема 2. Принципи дії електронних ламп і лампових підсилювачів.
- •Тема 3. Електронна емісія.
- •3.1.Електронні стани в кристалах
- •3.1.1. Види емісій заряджених частинок
- •3.1.2. Енергія електронів в твердому тілі
- •3.1.3. Заповнення зон електронами
- •3.1.4. Зв’язок зонної структури і провідності
- •3.1.5. Поверхневий потенціальний бар’єр і робота виходу електронів
- •3.2. Термоелектронна емісія
- •3.2.1. Закон термоелектронної емісії
- •3.2.2. Вплив прискорюючого електричного поля
- •3.2.3. Вплив адсорбованих на поверхню катоду атомів сторонніх речовин
- •3.2.4. Термоелектронні катоди
- •Конструкції термокатодів.
- •3.3. Автоелектронна емісія
- •3.4.Фотоелектронна емісія
- •3.4.1. Основні закони фотоелектронної емісії.
- •3.4.2. Параметри фотокатодів
- •Типи фотокатодів.
- •3.5. Вторинна електронна емісія Основні закономірності.
- •Тема 4. Розподіл катодного струму в діоді
- •4.1. Розподіл потенціалу в діодних системах
- •4.2. Закон «степеня три других» для діода
- •Тема 5. Випрямні діоди
- •Тема 6. Тріод
- •6.1. Конструкція тріода
- •6.2. Діючий потенціал
- •Статичні характеристики тріода
- •6.4. Параметри тріода
- •Динамічний режим роботи тріода
- •Тема 7 Тетрод. Пентод
- •Тема 8. Шуми
- •Дробовий ефект
- •Тема 9. Фізика електронно-променевих приладів
- •9.1. Електростатичні електронні лінзи
- •9.2. Магнітні електронні лінзи
- •9.3. Осцилографічна електронно-променева трубка. Принцип дії. Принцип створення зображення на екрані.
- •Конструкція осцилографічної трубки
- •Принцип дії
- •– Катод; 2) – перша лінза (імерсійний об’єктив); 3) – друга, фокусуючи лінза; 4) – екран;
- •9.4. Відхиляюча система
- •9.5 Принцип створення зображення на екрані
- •9.6. Екрани електронно-променевих трубок
- •Тема 10 Фотоелектронні прилади
- •Основні типи фотоелектронних приладів
- •10.1. Фотоелементи
- •10.2. Фотоелектронні помножувачі
- •Тема 11. Електронно-оптичний перетворювач
- •Розділ 2. Плазмова електроніка
- •Тема 2.1. Фізика газорозрядних приладів
- •Електричний розряд в газах
- •Види електричних розрядів
- •Цифрові індикатори і газорозрядні індикаторні панелі.
- •Плазмові панелі
- •Розділ 3. Електроніка надвисоких частот (нвч)
- •Тема 3.1. Особливості руху електронів у змінних за часом полях
- •Тема 3.2. Відбивний клістрон
- •Тема 3.3. Лампа біжучої хвилі типу о
3.1.3. Заповнення зон електронами
Електропровідність твердих тіл залежить від взаємного розташування зони провідності і валентної зони. Саме за характером енергетичних діаграм тверді тіла більш чітко розділяють на провідники (метали), напівпровідники і діелектрики (ізолятори ) На рис. 1.6. зображені спрощені діаграми енергетичних рівнів металу, власного напівпровідника і діелектрика. В металах зона провідності і валентна зона перекриваються, і електрони валентної зони можуть легко переходити в зону провідності незалежно від температури тіла. В зоні провідності електрони належать всьому кристалу і вільно всередині нього переміщуються. Провідний стан для металу є звичайним.
На відміну від металів при нульовій температурі у діелектриків і напвіпровідників зона провідності порожня і електропровідність відсутня.
З
агальне
число дозволених значень енергії в
кристалі перевищує число валентних
електронів. Енергетично найбільш
вигідними рівнями є самі низькі. Але
оскільки, у відповідності з принципом
Паулі, на одному рівні не може одночасно
знаходитись більше двох електронів (з
протилежно направленими спінами), тому
електрони в кристалі навіть при Т=0 К
займають широкий діапазон енергій. В
металі вони заповнюють нижню частину
загальної зони дозволених рівнів від
нуля до деякого максимального значення
Еф
–
рівня Фермі, а верхня частина залишається
незаповненою.
Рис. 1.6.
В напівпровідниках і діелектриках електрони заповнюють всі рівні нижніх зон, а верхні зони залишаються вільними. При підвищенні температури електрони з нижньої зони можуть перейти у верхню.
Введення домішок у власний напівпровідник, тобто речовин, які відрізняються від основної речовини кристалу, приводить до появи в забороненій зоні додаткових, «локальних» енергетичних рівнів.
Дозволені енергетичні стани можуть бути заповнені електронами, або залишатись вільними.
Розподіл електронів за енергією в кристалах з виродженим електронним газом описується статистикою Фермі-Дірака і має вигляд:
,
де
-
число електронів в одиниці об’єму,
повна енергія яких знаходиться в границях
від Е до Е+dЕ;
- число квантових станів в одиниці
об’єму,
- функція Фермі, яка виражає ймовірність
того, що квантовий стан з енергією Е
зайнятий електроном;
-
стала Больцмана, Т – температура тіла.
Для металів
(3.1)
Розрахунки
за формулою (3.1) дають значення
від кількох електрон-вольт для
лужноземельних елементів до 15 еВ і
більше для важких елементів (W,
Pt,
Ni
…).
На
рис. 1.7. наведений графік функції
при Т=0 К і Т
0,
з якого видно, що навіть при низьких
температурах велика кількість електронів
має достатньо високу внутрішню енергію.
Рис. 1.7.
Підвищення температури змінює розподіл електронів за енергією тільки біля рівня Фермі. І тільки ці електрони можуть переходити на більш високі незайняті енергетичні рівні. Електрони, які займають низькі енергетичні рівні, не можуть зразу перейти на високі рівні, томі що вони зайняті іншими електронами. Тільки значне підвищення температури дозволить приймати участь у цьому процесі всім електронам. Але для більшості металів така температура вища їх температури плавлення, тому в реальних емітерах далеко не всі електрони переходять на більш високі рівні.
Розрахунки показують, що в металах електрони з достатньо великими значеннями енергії розподіляються за максвелівським законом
В напівпровідниках (власних і легованих домішками), в яких електронний газ знаходиться у невиродженому стані, закон розподілу електронів за енергією також масвелівський.