Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка КХ.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
614.15 Кб
Скачать

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”

Поверхневі явища та дисперсні системи збірник задач та конторольних питань

до самостійної роботи для студентів базових напрямків

051301«Хімічна технологія», 051401«Біотехнологія»,

051701«Харчова інженерія», 120201«Фармація»

Затверджено

на засіданні кафедри

фізичної та колоїдної хімії

Протокол № 11 від 06.05.2014 р.

Львів – 2014

Поверхневі явища та дисперсні системи: Збірник задач та контрольних питань до самостійної роботи для студентів базових напрямків 051301«Хімічна технологія», 051401«Біотехнологія», 051701«Харчова інженерія», 120201«Фармація»/Укл.: В.М. Дібрівний, В.В. Сергеєв, Ю.П. Павловський та інші – Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2014. – 90 с.

Укладачі Дібрівний В.М., доктор хім. наук, професор,

Сергеєв В.В., доктор хім. наук, доцент,

Павловський Ю.П., канд. хім. наук, доцент,

Кочубей В.В., канд. хім. наук, доцент,

Мельник Г.В., канд. хім. наук, доцент,

Собечко І.Б., канд. хім. наук.

Відповідальний за випуск Ван-Чин-Сян Ю.Я., доктор хім. наук, професор

Рецензент Новіков В.П., доктор хім. наук, професор,

Основні фізичні сталі:

Стала Авогадро

NA = 6,022∙1023 1/моль;

Універсальна газова стала

R = 8,314 Дж/моль∙К;

Стала Фарадея

F = 96485 Кл/моль;

Стала Больцмана

k = 1,381∙1023 Дж/К

Діелектрична проникність вакууму

0 = 8,854∙1012Ф/м

Прискорення сили тяжіння

g = 9,8 м/с2

Умовні позначення:

H

ентальпія;

VМ

мольний об’єм;

U

енергія;

m

маса;

G

енергія Гіббса;

крайовий кут змочування;

S

ентропія;

густина;

W

робота;

a

активність;

Q

теплота;

коефіцієнт активності;

T

температура;

A

адсорбція;

поверхневий натяг;

Г

адсорбція за Гіббсом;

S

площа поверхні;

час;

хімічний потенціал;

r

радіус;

електричний потенціал;

F

сила

p

тиск;

z

заряд іона;

ps

тиск насиченої пари;

в’язкість

c

концентрація;

відносна діелектрична проникність

V

об’єм;