
- •5 Конденсаторы
- •5.1 Классификация конденсаторов
- •5.2 Основные параметры и характеристики конденсаторов
- •5.3 Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Контрольные вопросы
- •6 Активные диэлектрики и элементы функциональной электроники
- •6.1 Пьезоэлектрические и электрострикционные материалы
- •6.2 Пироэлектрики и электреты
- •6.3 Сегнетоэлектрики
- •6.4 Элементы типовой модели функциональной электроники
- •Контрольные вопросы
6.3 Сегнетоэлектрики
Сегнетоэлектрик
– полярный диэлектрик, в котором
спонтанная поляризация
может изменять
свое направление под воздействием
электрического поля.
Собственной поляризацией, кроме сегнетоэлектриков, обладают также электреты и пироэлектрики. Однако в отличие от неравновесной остаточной поляризации электретов, спонтанная поляризация сегнетоэлектриков характеризует их стабильное (термодинамически устойчивое) состояние. Поэтому остаточная поляризация бесследно исчезает при нагревании или облучении электрета, в то время как спонтанная поляризация сегнетоэлектриков только изменяется при внешних воздействиях на сегнетоэлектрик. От пироэлектриков сегнетоэлектрики отличает их способность к переполяризации – переориентации спонтанной поляризации под действием электрического поля. При этом наблюдается диэлектрический гистерезис.
Особенностью
сегнетоэлектриков является самопроизвольное
разбиение их на множество доменов.
Внутри каждого домена спонтанная
поляризация направлена одинаковым
образом, но в различных доменах направление
различается. Электрическое поле
заставляет
сегнетоэлектрические домены,
ориентированные хаотично, приобретать
одинаковую ориентацию, при этом с ростом
величины напряженности электрического
поля поляризация достигает насыщения.
Состояние с ориентированными доменами
сохраняется и при последующем снижении
напряженности электрического поля до
нуля. Как видно на рисунке 6.1,
поляризация
в отсутствие внешнего электрического
поля стремится сохранять свое
установившееся направление.
Рисунок 6.1 – Зависимость поляризованности сегнетоэлектриков от напряженности электрического поля.
Если
же изменить полярность приложенного
извне электрического поля
и увеличивать его в направлении,
противоположном спонтанной поляризации
,
то электрическое поле
,
не изменяя абсолютной величины спонтанной
поляризации, изменяет направление
спонтанной поляризации. Для такого
изменения направления спонтанной
поляризации
(переполяризации
сегнетоэлектрика)
к сегнетоэлектрику необходимо приложить
электрическое поле определенной величины
(критическое
поле
).
Наличие диэлектрического гистерезиса
является необходимым и достаточным
свойством сегнетоэлектрического
состояния. Повышение температуры выше
критической
приводит к исчезновению петли гистерезиса
и сегнетоэлектрического состояния.
Таким образом, сегнетоэлектрики
это особенные, нелинейные
пироэлектрики.
Активными
диэлектриками, прежде всего, являются
сегнетоэлектрики или родственные им
диэлектрики. Именно в сегнетоэлектриках
все преобразовательные
характеристики выражены наиболее
сильно. Например, рекордно высокие
значения пьезоэлектрических модулей
наблюдаются в кристаллах сегнетовой
соли и в сегнетоэлектрике сульфоиоде
сурьмы (
).
Наиболее высокие значения пироэлектрических
коэффициентов также имеют место в
сегнетоэлектрических кристаллах.
6.4 Элементы типовой модели функциональной электроники
При интеграции на одном кристалле не только элементов, но и физических явлений и эффектов увеличиваются функциональные возможности приборов и устройств интегральной электроники. При этом используются уже не только схемотехнические решения для обработки и хранения информации, но и физические носители информационного сигнала – динамические неоднородности различной физической природы. Это направление в развитии электроники называют функциональной электроникой.
Функциональная электроника представляет собой область интегральной электроники, в которой изучается возникновение и взаимодействие динамических неоднородностей в континуальных средах в совокупности с физическими полями, а также создаются приборы и устройства на основе динамических неоднородностей для целей обработки, генерации и хранения информации. Динамическая неоднородность представляет собой локальный объем на поверхности или внутри среды с отличными от ее окружения свойствами, которая не имеет внутри себя статических неоднородностей и генерируется в результате определенных физико-химических процессов. Динамическая неоднородность может быть локализована или перемещаться по рабочему объему континуальной среды в результате взаимодействия с различными физическими полями или динамическими неоднородностями такой же или другой физической природы. Известно большое количество динамических неоднородностей различной физической природы – ансамбли заряженных частиц и квазичастиц (зарядовые пакеты, флуксоны и т.п.), домены (сегнетоэлектрические домены, домены Ганна, цилиндрические магнитные домены и т.п.), динамические неоднородности волновой природы (поверхностные акустические волны – ПАВ, магнитные статические волны – МСВ, волны пространственного заряда – ВПЗ, волны зарядовой плотности – ВЗП и так далее).
Динамические неоднородности различного вида и различной физической природы - это первый элемент типовой модели функциональной электроники. Все виды динамических неоднородностей генерируют, обрабатывают или хранят информацию в континуальных средах. Континуальная среда является вторым элементом типовой модели функциональной электроники.
Континуальными средами функциональной акустоэлектроники являются твердотельные материалы: пьезоэлектрики, пьезополупроводники, сложные слоистые среды. Выбор континуальных сред определяется природой используемых динамических неоднородностей. Основные требования к этим материалам сводятся к минимизации уровня потерь для распространения динамических неоднородностей акустической или иной природы, а также к максимальной температурной стабильности.
В качестве континуальных сред в функциональной диэлектрической электронике используются, как правило, активные диэлектрики – диэлектрические материалы, в которых могут быть возбуждены динамические неоднородности и которые предназначены для процессов генерации, усиления, преобразования и хранения информационных сигналов.
Континуальными средами функциональной полупроводниковой электроники являются элементарные полупроводники и полупроводниковые химические соединения.
Континуальными средами функциональной магнитоэлектроники являются монокристаллические пленки феррит-гранатов, эпитаксиальные пленки феррит-шпинелей. В настоящее время магнитоодноосные пленки ферритов-гранатов, выращенных на намагниченных подложках галлий-гадолиниевого граната, не испытывают заметной конкуренции со стороны других материалов.
Континуальными средами в функциональной оптоэлектронике могут служить как пассивные среды, так и активные. Под активной средой понимается вещество, в котором распространение частиц (атомов, молекул, ионов) не является равновесным по энергетическим состояниям, а также среда, в которой меняется плоскость поляризации световой волны. Пассивные оптические среды представляют собой каналы передачи оптического информационного сигнала. Это каналы высокой добротности и оптического качества, например, оптические стекла, кварц. Для генерации динамических неоднородностей часто используют эффективно люминесцирующие соединения типов АIIIBV, АIIBIV, твердые растворы на их основе: GaAs, InGa, GaP, GaAlAs, GaAsP, ZnS и так далее.
Передача информации в молекулярной электронике осуществляется ансамблями электронов и солитонов.
Третьим элементом является генератор динамических неоднородностей, расположенный в континуальной среде и предназначенный для ввода динамических неоднородностей в канал распространения информационного сигнала.
Устройство управления динамическими неоднородностями в тракте переноса информационного сигнала или в области его хранения является четвертым элементом.
Ввод или считывание информации осуществляется с помощью детектора. Детектор преобразовывает информационный массив, созданный динамическими неоднородностями, в массив двоичной информации. Детектор является пятым элементом типовой модели функциональной электроники.